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Diode-pumped double passively Q-switched Nd:GdVO_4 laser 被引量:2
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作者 LIU Min LIU Shu-shan LI Lei WANG Wei-wei CHEN Fei LIU Jie 《Optoelectronics Letters》 EI 2008年第5期331-334,共4页
Through using both Cr^4+:YAG and GaAs saturable absorbers, a diode-pttmped double passively Q-switched Nd:GdVO4 laser is realized and compared with a single passively Q-switched laser. This laser can generate symme... Through using both Cr^4+:YAG and GaAs saturable absorbers, a diode-pttmped double passively Q-switched Nd:GdVO4 laser is realized and compared with a single passively Q-switched laser. This laser can generate symmetric pulse temporal profiles and shorter pulses. A laser pulse width of 17 ns has been achieved with the incident pump power of 8.5 W. 展开更多
关键词 激光器 饱和吸收体 脉冲 泵能量
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线性GaAs光电导开关的饱和参数研究 被引量:4
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作者 杨宏春 阮成礼 +3 位作者 孙庆玲 张克迪 张鹏程 张达 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第13期1516-1522,共7页
通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响,给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律;考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束,给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度;结合微带实验测试电路方程、饱和载... 通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响,给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律;考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束,给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度;结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律,以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律,给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数,在实验误差范围内,理论计算结果与实验测试结果较好吻合. 展开更多
关键词 散射机制 电导率 迁移率 饱和光能 饱和输出电压
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