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700V外延LDMOS模型的建立与参数提取
1
作者
王邦麟
程东方
+1 位作者
徐志平
关彦青
《微计算机信息》
北大核心
2006年第10S期134-136,共3页
本文借助二维数值模拟软件MEDICI对700V外延型LDMOS特性进行分析,对其电流饱和机理做了研究,在此基础上采用宏模型的建模方法,给出LDMOS的等效电路模型。并用参数提取软件Aurora,提取了相应得参数。在Cadence下仿真取得了较好的效果。
关键词
LDMOS
饱和栅压
等效电路模型
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职称材料
题名
700V外延LDMOS模型的建立与参数提取
1
作者
王邦麟
程东方
徐志平
关彦青
机构
上海大学微电子中心微电子与固体电子学
出处
《微计算机信息》
北大核心
2006年第10S期134-136,共3页
基金
上海市教委204453项目即单片高压集成电路设计与研究
文摘
本文借助二维数值模拟软件MEDICI对700V外延型LDMOS特性进行分析,对其电流饱和机理做了研究,在此基础上采用宏模型的建模方法,给出LDMOS的等效电路模型。并用参数提取软件Aurora,提取了相应得参数。在Cadence下仿真取得了较好的效果。
关键词
LDMOS
饱和栅压
等效电路模型
Keywords
LDMOS, Saturation voltage of gate, sub-circuit model
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
700V外延LDMOS模型的建立与参数提取
王邦麟
程东方
徐志平
关彦青
《微计算机信息》
北大核心
2006
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