微波铁氧体饱和磁化强度的测量磁场及剩磁比问题

微波铁氧体的饱和磁化强度Ms是器件设计者选择材料的重要参数之一,但是一些文章常将Bm、Bs与Ms混为一谈,本文旨在讨论这一问题。软磁铁氧体材料因为磁晶各向异性常数K1非常低,饱和磁化场Hs低,其Bs通常由指定测量磁场Hm下测得的Bm(Hm Hs)来确定。为了说明微波铁氧体与软磁铁氧体的不同,给出了小线宽石榴石材料的磁化曲线和微波铁氧体材料的矫顽力,由此推知微波铁氧体材料的饱和磁化场Hs远高于磁滞回线的测量磁场Hm(5Hc 10Hc),相差2 3个数量级。由Li铁氧体的Bm/0Ms(Mm/Ms)63%81%和Mn:YIG的Bm/0Ms 81%86%,说明在Hm下材料磁畴中的磁矩中有14%37%不在磁场方向。因此对微波铁氧体来说,不能像在软磁铁氧体中那样有Bm Bs 0Ms的关系。所以为保证材料被磁化饱和,Ms的测量应该按照IEC60556标准在>300kA/m磁场下进行。最后讨论了经常将剩磁比R=Br/Bm误成Br/Bs问题。

NiFeNb薄膜的磁特性及磁阻效应研究

研究了射频磁控溅射膜（Ｎｉ＿（８１）Ｆｅ＿（１９）＿（１００－ｘ）Ｎｂ＿ｘ的各向异性磁阻效应ＡＭＲ、矫顽力Ｈ＿ｃ、饱和磁化强度４πＭ，和饱和磁化场Ｈ＿ａ。研究其作为磁阻磁头材料和低磁场高灵敏度材料的可能性。我们发现Ｎｂ的含量对（Ｎｉ＿（８１）Ｆｅ＿（１９）＿（１００－ｘ）Ｎｂ＿ｘ的各向异性磁阻效应ＡＭＲ、矫顽力Ｈ＿ｃ、饱和磁化场Ｈ＿ａ、饱和磁化强度４πＭ＿ａ、电阻率ρ有很大的影响。在ｘ＝７时，（Ｎｉ＿（８１）Ｆｅ＿（１９）＿（１００－ｘ）Ｎｂ＿ｘ的各向异性磁阻效应ＡＭＲ＝２％、矫顽力Ｈ＿ｃ＝１１９Ａ／ｍ和饱和磁化场Ｈ＿ａ＝４４５Ａ／ｍ，适宜于低磁场高灵敏度检测材料。

常压下的Ca(Mn_(3-x)Cu_x)Mn_4O_(12)样品的制备及其导电机制的研究

钙钛矿结构ＣａＣｕ３Ｍｎ４Ｏ１２的传统制备方法是热压法（几万个大气压，１０００℃）。人们发现它的居里点Ｔｃ＝３５５ Ｋ，磁电阻ＭＲ值比相同条件下的Ｌａ０．６Ｙ０．０７Ｃａ０．３３ＭｎＯａ大得多，并且从低温到高于居里点的温度范围内都存在较大的磁电阻值。另外，Ｃａ（Ｍｎ３－ｘ Ｃｕｘ） Ｍｎ４Ｏ１２（ｘ＝３）的饱和磁化场，在室温３００Ｋ时，饱和磁化场仅为０．０３Ｔ。本实验中，在常压和１０７０ Ｋ的条件下合成了Ｃａ（Ｍｎ３－ｘＣｕｘ）Ｍｎ４Ｏ１２，从而大大简化了Ｃａ （Ｍｎ３－ｘＣｕｘ）Ｍｎ４Ｏ１２的制备条件。关于该材料的导电机制，铁磁磁畴再取向饱和场与磁电阻饱和场相同，表明Ｃａ（Ｍｎ３－ｘ Ｃｕｘ）Ｍｎ４Ｏ１２的ＭＲ来源于磁畴间或颗粒间的隧道机制。