磁通密度特征分析与CT饱和区识别及重构技术

为解决电流互感器饱和引起的继电保护问题,提出了一种基于磁通密度特征的电流互感器(current transformer,CT)饱和识别方法,以及畸变区二次电流重构技术。首先以饱和时磁通密度梯形区域特征为基础,对CT饱和进行识别,进而利用磁通方差的斜率在进入饱和与退出饱和的差异构建饱和判据,并计算二次电流饱和起点和终点对应的时间,以此得到CT饱和区。然后以电网负荷最大时的电流为依据构建保护启动判据,避免保护误动。最后利用最小二乘法对饱和区二次电流进行重构,可靠反映系统一次电流。基于PSCAD/EMTDC软件的仿真验证表明,所提方法准确可靠,能快速有效识别CT饱和区段,且时间误差不超过1 ms。

有效饱和磁通密度（Bs）_e

叙述有效饱和磁通密度（Ｂｓ）ｅ，以及如何确定（Ｂｓ）ｅ指标问题．要使磁芯的（Ｂｓ）ｅ接近材料的有效饱和磁通密度Ｂｅｓ。

高饱和磁通密度Fe基非晶软磁合金研究进展

简要评述了高饱和磁通密度、低铁损Fe基非晶合金领域的最新进展。重点介绍了新的FeSiBC系非晶合金2605HB1的最佳化学成分、磁特性、薄带质量和关键技术,用新发展的HB1铁心制备的试验配电变压器与用常规的FeSiB系非晶合金2605SA1铁心变压器相比,显示出铁损低、工作磁感高、可听噪音低和物理尺寸小等优点。

高饱和磁通密度锰锌铁氧体材料研究动态

高饱和磁通密度锰锌铁氧体在清洁能源、LED照明、混合动力及电动汽车等新兴市场有重要的应用前景。要满足不断发展的市场要求,高饱和磁通密度锰锌铁氧体必须在保持高饱和磁通密度(Bs)之外、同时具有较低的损耗(Pcv)和较好的温度稳定性。目前,商业化的材料主要关注的是Bs(100℃)为450m T左右的材料,而实验室内则对Bs(100℃)大于500m T的材料进行了较多的研究。要提高Bs,主要通过增加材料中Fe2O3的含量和提高材料的密度,在这个方面现在的很多研究已经可以实现。要将Bs(100℃)大于500m T的材料大批量生产,主要的问题是降低损耗。降低损耗一般通过添加杂质和控制烧成工艺实现,此外还应考虑原材料的粒度、比表面积等粉体特性和造粒工艺。在保证Bs(100℃)的基础上改善材料的温度稳定性主要是引入Ni O等实现的。

较高磁导率高饱和磁通密度HN120B NiCuZn材料的研制

根据平板显示器对软磁铁氧体材料性能的要求,通过优化配方组成,采用TiO2-V2O5、Bi2O3等复合添加剂,针对不同原材料粉体采取的不同工艺处理技术,研制了在常温下起始磁导率(μi)为1200、饱和磁通密度(Bs)大于360mT、居里温度(TC)高于160℃以及具有较高电阻率的NiCuZn铁氧体材料,并已实现小批量生产。

高温高饱和磁通密度软磁铁氧体研究进展

随着电子产品小型化和节能化,要求应用于高频电力电子的软磁铁氧体材料不但要有较低的损耗,而且在高温下要有着较高的饱和磁通密度,从而保持磁性元件的小型化和高效率。本文介绍了高温高饱和磁通密度Mn-Zn软磁铁氧体的影响因素,总结了国内外高温高饱和磁通密度Mn-Zn软磁铁氧体的研究及开发现状,并对其发展进行了展望。

高饱和磁通密度低损耗MnZn铁氧体材料ZY90的开发

采用传统的氧化物陶瓷工艺制备高饱和磁通密度、低损耗锰锌软磁铁氧体材料ZY90,研究了主配方和CaCO3、Co2O3等掺杂对材料饱和磁通密度和功率损耗的影响。结果表明,主配方氧化铁含量在55.2mol%时,可以获得较高饱和磁通密度;适量的CaCO3掺入可使铁氧体晶粒均匀,晶粒边界变厚,形成一定厚度的高阻层,降低比损耗因子;添加适量的Co2O3可以使K1值有多个补偿点,提高电阻率,降低损耗;当CaCO3掺杂量为1000×10-6,Co2O3掺杂量为1500×10-6,饱和磁通密度与功率损耗表现最好。

基于高Bs软磁铁氧体材料制备的过程分析

本文基于对Mn-Zn高软磁铁氧体材料的研制,通过对、高温负功耗以及制备工艺过程中的问题进行研究。得出了、在一定区域内有负的相关性结论,提出通过改变峰位置来得到所需的高温和高温负功耗。

几种高密度垂直记录磁头

本文介绍了几种主要的垂直记录磁头,以及用于垂直记录的环形头的读写性能,讨论了影响记录性能的几个主要参数,从而为设计制作垂直记录磁头提供了基本依据。

什么是TA饱和

TA（即电流互感器）的饱和就是TA铁芯中的磁通饱和,由于磁通密度与感应电势成正比,因此,如果TA二次负载阻抗大,则在同样电流情况下,二次回路感应电势就大,或在同样的负载阻抗下,二次电流越大,感应电势就越大,这两种情况都会使铁芯中磁通密度大,磁通密度大到一定值时,TA就饱和。TA严重饱和时,一次电流全部变成励磁电流,二次侧感应电流为零,流过电流继电器的电流为零,保护装置就会拒动。避免TA饱和主要从两个方面入手,

高饱和磁通密度NiZn铁氧体材料TN35B

采用传统氧化物法制备了主配方为Ni0.402Cu0.118ZnO0．480Fe2O4的NiZn铁氧体材料TN35B，并对其微观结构和电性能进行了分析。结果表明，相对于NiZn常规材料，TN35B材料通过配方改进饱和磁通密度从410mT提升到T465mT，居里温度从250℃提升到了270℃，其他磁性能保持了相同的水平。TN35B材料饱和磁通密度的大幅提升，从而其制成的DRC型磁心的直流偏置特性也有显著提升，能够较好的满足高性能功率电感的要求。

环形磁芯快脉冲动态参数测量方法

磁开关压缩脉冲过程中,磁芯磁参数需历经非饱和与饱和两个阶段,磁滞回线变化经历半个周期,通过测量这一变化过程中通过磁开关绕组的电流和磁通量变化率,可以计算出磁芯的磁滞回线,确定饱和磁通密度、剩磁等动态参数。讨论了基于高电压放电和脉冲压缩方法测量磁芯动态参数的原理,给出了测试装置的电路原理和电路元件参数的选择方法,测量了大型磁开关磁芯快脉冲条件下的电参数,计算了相关的磁参数,给出了实验结果。

耐热冲击高B_sNiZn铁氧体材料TN35H

高性能功率电感要求磁心所用的NiZn铁氧体材料具有优良的耐热冲击能力和较好的直流叠加性能。通过传统氧化物法制备了NiZn铁氧体材料TN35H。测试证明,相对于一般NiZn材料,一方面TN35H材料的耐热冲击能力有明显提升;另一方面TN35H的饱和磁通密度大幅度提升,从而其直流叠加特性也显著提升。

中国磁性材料及器件行业发展现状和趋势(下)

(接上期)3“十四五”期间产业发展趋势与需求分析3.1产业技术发展趋势3.1.1中国软磁铁氧体材料技术发展方向和趋势随着应用领域的拓展和材料开发的深化,今后开发适用的新型软磁材料是中国软磁铁氧体生产企业的当务之急。未来,不少多种特性兼备的软磁铁氧体新材料将先后推向市场,市场研发方向为:①“两高”软磁材料:更高的饱和磁通密度(Bs),更高直流偏置特性(DC-Bias),高μ>12000。

磁粉心磁性能VSM测量研究

与铁氧体材料相比,磁粉心材料一般具有高饱和磁通密度B(s>1T)以及高居里温度TC(>400℃)。采用振动样品磁强计(VSM)测量了铁硅、铁硅铝磁粉心材料饱和磁化状态时的Ms、Hs以及H为240kA/m时的σs-T曲线。根据公式Bs=μo[H+(1-N)Ms],计算获得材料的Bs值(1.55T和1.07T),与采用B-H分析仪所测得的Bs值(1.60T和1.06T)相近。我们认为VSM可作为一种临时用来测试材料Bs的简便方法,但是更准确的Bs可通过B-H分析仪来测量。通过σs-T曲线方式测量得到铁硅、铁硅铝的居里温度约495℃、470℃,但实际居里温度点比测试值更低。

ZnO含量及烧结温度对NiZn铁氧体性能和显微结构的影响

采用传统氧化物法制备了Ni0.49-xZn0.398+xCu0.112Fe2O4(x=0,0.014,0.026,0.038,0.05)铁氧体材料,研究了主配方及烧结温度对材料电磁性能和显微结构的影响。研究表明,ZnO含量对NiZn铁氧体材料的起始磁导率μi、饱和磁通密度Bs、Q值和比损耗系数tanδ/μi影响较大;当x=0.026时,NiZn铁氧体材料的饱和磁通密度最高;饱和磁通密度随烧结温度先升高后降低,当烧结温度为1100℃时,晶粒尺寸分布均匀、结构致密性好,其饱和磁通密度达到最大。在本研究中,最佳工艺参数为:x=0.026,烧结温度1100℃。