对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保...对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。分析认为饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响,一方面辐射感生界面态导致阈值电压正向漂移使耗尽层可存储最大电荷量下降;另一方面电离辐射损伤使电荷耦合器件片上放大器增益减小导致饱和输出电压下降。展开更多
针对Bershad算法中滤波器输出信号畸变的问题,提出了一种新的考虑输出饱和约束的自适应有限脉冲响应(Finite-impulse-response,FIR)滤波器设计方法,并给出了它的最小均方(Least mean square,LMS)算法实现。理论证明和数值仿真验证了本...针对Bershad算法中滤波器输出信号畸变的问题,提出了一种新的考虑输出饱和约束的自适应有限脉冲响应(Finite-impulse-response,FIR)滤波器设计方法,并给出了它的最小均方(Least mean square,LMS)算法实现。理论证明和数值仿真验证了本文算法的有效性。与Bershad算法相比,按照本文算法设计的自适应FIR滤波器不仅严格满足饱和约束条件,输出信号也光滑无畸变,从而克服了Bershad算法的滤波器输出畸变问题。展开更多
文摘对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。分析认为饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响,一方面辐射感生界面态导致阈值电压正向漂移使耗尽层可存储最大电荷量下降;另一方面电离辐射损伤使电荷耦合器件片上放大器增益减小导致饱和输出电压下降。
文摘针对Bershad算法中滤波器输出信号畸变的问题,提出了一种新的考虑输出饱和约束的自适应有限脉冲响应(Finite-impulse-response,FIR)滤波器设计方法,并给出了它的最小均方(Least mean square,LMS)算法实现。理论证明和数值仿真验证了本文算法的有效性。与Bershad算法相比,按照本文算法设计的自适应FIR滤波器不仅严格满足饱和约束条件,输出信号也光滑无畸变,从而克服了Bershad算法的滤波器输出畸变问题。