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硅基锗硅驰豫衬底的外延生长
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作者 陈城钊 李云 +1 位作者 邱胜桦 刘翠青 《材料研究与应用》 CAS 2020年第1期9-13,共5页
应用低温缓冲层的方法,采用超高真空化学汽相淀积法(UHV/CVD)在硅(100)衬底上外延出应变弛豫的低位错密度的锗硅(SiGe)薄膜,分别采用利用X射线双晶衍射和拉曼光谱仪、原子力显微镜和化学腐蚀位错坑等方法,对薄膜进行分析检测.结果表明,... 应用低温缓冲层的方法,采用超高真空化学汽相淀积法(UHV/CVD)在硅(100)衬底上外延出应变弛豫的低位错密度的锗硅(SiGe)薄膜,分别采用利用X射线双晶衍射和拉曼光谱仪、原子力显微镜和化学腐蚀位错坑等方法,对薄膜进行分析检测.结果表明,在300 oc低温时Ge量子点缓冲层上生长的SiGe外延层厚度仅为380 nm,弛豫度已达99%,位错密度低于1×10^5 cm^-2,表面无Cross-hatch形貌,表面且粗糙度小于2 nm. 展开更多
关键词 硅基锗硅薄膜 驰豫衬底 外延生长
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