专用高速高压驱动器设计

以标准3-μm双阱CMOS工艺为基础,开发了高低压体硅CMOS工艺,解决了低压CMOS和高压LDMOS工艺兼容性问题。基于RESURF原理,设计了八边形结构的高压LDMOS;完成了低压控制电路与高压LDMOS集成专用高速高压驱动器的设计。测试结果表明,高压LDMOS的开通电阻约为22Ω,击穿电压不高于130V;专用高速高压驱动器功能指标达到设计要求。