X波段砷化镓单片驱动功率放大器

介绍了X波段砷化镓单片驱动功率放大器的结构设计、CAD设计、工艺制作及测试结果。该放大器工作频率高、增益高，同时具有一定的输出功率，适用于各种应用环境。X波段砷化镓单片驱动功率放大器工作在8～10GHz，典型输出功率≥20．5dBm，功率增益≥19dB，工作电流≤100mA。

一种带非线性补偿的宽带GaAs HBT驱动功率放大器设计

针对5G对驱动功率放大器的应用需求,提出一种带非线性补偿的宽带GaAs HBT驱动功率放大器设计。利用有源偏置电路与三阶交调失真消除技术,提升功率放大器输出功率线性度;采用一种微带线与集总元件结合的输出匹配网络结构,实现宽带大信号输出。该放大器工作电压为5.0 V,工作频率覆盖4~6 GHz,小信号增益为30 dBm,输出1 dB压缩点达到30 dBm。在频率点5.9 GHz处,采用连续波1 MHz间隔信号,测得输出功率在24 dBm以下,OIP3超过34 dBm;在输出功率24 dBm处,OIP3达到了43 dBm。

用于相控阵雷达的简化功率放大器调制驱动器

传统的功率放大器调制驱动器采用电荷泵式结构,使电路输出的脉冲宽度受到限制,同时,外围元器件连接也较为复杂。提出了一种新型调制驱动器架构解决以上问题。采用高侧驱动p型MOSFET的应用架构,从而去除了电荷泵式结构;并引入分时电控结构,减少了外围元件。基于0.5μm BCD工艺设计了一款半桥式调制驱动器芯片,测试结果表明,采用该技术的半桥驱动器芯片,在没有外接电容的情况下,驱动能力可达400 mA,负载电容1 nF时,驱动信号上升沿和下降沿均小于100 ns,能够满足大多数小体积应用需求,具有极好的应用适应性。

0.82～2.2GHz高线性功率驱动放大器设计

用Jazz0.35μmSiGe BiCMOS工艺设计了一个宽带、高线性和增益可调的功率驱动放大器。放大器采用两级级联结构,第一级采用差分结构,双端输入单端输出,第二级采用单端输入单端输出的共发射极放大结构,在3.3V电源电压下,放大器带宽达到0.82-2.2GHz,高增益模式下放大器小信号增益为29.7±1.3dB,低增益模式下小信号增益为19.7±0.9dB,输出1dB压缩点大于13.7dBm,总的直流电流小于20mA。

10K WPSM短波广播发射机500W功放的改进

介绍10KWPSM短波发射机500W功率驱动前级工作原理。