一个特殊单滑移取向铜单晶疲劳位错结构研究

为了更细致地揭示面心立方金属单晶体的循环变形机制,利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察研究了Schmid因子为0.5的[41841]单滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.实验表明,在单滑移铜单晶体中,胞结构除了在高应变幅下的循环变形中出现外,还可能出现在循环应力-应变(CSS)曲线平台区的较低塑性应变幅下.驻留滑移带(PSBs)会随应变幅的增大而在试样表面聚集成内部含有位错胞的粗滑移带,带内的位错胞结构被认为是由于带内滑移阻力增大引起的应变集中所致形成的.此外,CSS曲线高应变幅区起始部分对应的循环饱和位错结构观察揭示出迷宫结构和胞结构是由PSBs逐渐演变而成的.

纯镍多晶体循环形变过程中位错结构的TEM研究

本文对纯镍多晶体循环形变过程中位错结构,特别是驻留滑移带(PSB)的形成及特性进行了TEM研究,并用选区电子衍射确定了晶粒膜面及其它晶体学取向。结果表明在循环饱和的开始点附近已观察到以梯状花样为特征的PSB;证明循环硬化阶段的末端基本上与PSB的成核相对应。并证实PSB结构是一种体效应。