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题名VHF/UHF宽带低噪声放大器设计
被引量:1
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作者
韩玉朝
郝景红
高长征
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第7期533-537,共5页
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文摘
介绍了VHF/UHF宽带低噪声放大器的设计与实现。利用软件对放大器的电性能及有源芯片的沟道温度进行了仿真、优化。电路制作完成后,与实际测试结果进行了对比分析,并且结合不同电路形式,开发了系列化放大器。该系列放大器采用GaAs PHEMT管芯,微波薄膜工艺,封装在密封的金属或陶瓷管壳中,性能优异,体积小、噪声低、动态范围大,可适应目前微波整机向小型化、高可靠方向发展的需求,有着广泛的应用前景。
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关键词
宽带
低噪声
放大器
高三阶截止点
红外热成像
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Keywords
broadband
low noise
amplifier
high IP3
thermal infrared imaging
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分类号
TN722.3
[电子电信—电路与系统]
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