高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器制备

Micro-LED作为一种新型的显示技术,具有对比度高、响应快及寿命长等优点,已成为当前研究的热点。然而,尽管潜力巨大,Micro-LED技术的商业化之路仍面临诸多技术上的挑战与瓶颈。本文旨在探讨高亮绿光氮化镓基Micro-LED微型显示器的制备过程及其相关技术。基于WVGA041全数字信号电路CMOS硅基驱动电路,制作了0.41 inch、分辨率为800×480的主动式单色绿光Micro-LED微型显示器。利用高精度倒装焊接技术实现了CMOS驱动电路与LED发光芯片的电气连接。结果表明,制备出LED显示芯片正常启亮电压为2.8V,EL光谱峰值波长524nm;在硅基CMOS电路驱动范围内,Micro-LED微型显示器在5V电压下,器件亮度为108000cd/m^(2)(最大亮度可达250000 cd/m^(2)),电流密度达到0.61A/cm^(2)时色坐标为(0.175,0.756)。当电流密度从0.3A/cm^(2)增加到1.3A/cm^(2)时,色坐标从(0.178,0.757)变化到(0.175,0.746),器件的色稳定性能够满足实际应用要求。

顶发光单色绿光OLED微型显示器件发光层掺杂特性研究

本文设计了一种磷光顶发射结构制备单色高亮绿光OLED微型显示器件,器件结构为:ITO/2-TNATA/NPB/MCP:Ir(ppy)3/Bphen/LiF/Mg:Ag。为获得低功耗、高亮度的绿光OLED微型显示器件,采用开口率大、益于集成的顶发射结构器件,并对发光层掺杂机制进行实验研究,通过改变掺杂比例获得较佳的器件性能。研究表明,在掺杂比分别为1.0%、1.5%、1.8%、2.0%、2.3%、2.5%的绿光OLED器件中,2.0%的掺杂器件较其他比例的性能更优,通过进一步优化掺杂研究显示,发光层主体材料MCP与掺杂料Ir(ppy)3的最佳掺杂比例为1:0.02,主体材料薄膜厚度为250A。在20mA/cm^2的电流密度下,得到器件电压为3.62V,亮度为4622cd/cm^2,色坐标(X,Y)为(0.33,0.61)。

高亮度蓝绿发光二极管芯片制造技术研究

高亮度发光二极管（HB—LED）芯片制造是介于外延片生产和芯片封装的中间过程，通过光刻、等离子刻蚀（ICP）、掩模（PECVD）、电子束真空蒸发镀膜、研磨抛光、划片、裂片、点测等工艺技术研究，实现高亮度发光二极管芯片生产的产业化。由于具有体积小、低能耗、冷光源、使用寿命长、环保等特点，蓝、绿光LED应用前景十分广泛，比如全彩显示屏、背光源、汽车刹车灯、装饰灯、交通信号灯、景观照明以及通用照明等。