采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响...采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低Al GaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有显著降低,BST/Al GaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到23GHz。展开更多
HPM是英文history and pedagogy of mathematics的缩写，意为数学与数学教育．我们以此作为栏目名称是为了表述上的简洁．“将数学史融入数学教学”是新课程中的一项专题内容，本栏目将配合教学实际，刊登数学发展过程中的“重要事件、...HPM是英文history and pedagogy of mathematics的缩写，意为数学与数学教育．我们以此作为栏目名称是为了表述上的简洁．“将数学史融入数学教学”是新课程中的一项专题内容，本栏目将配合教学实际，刊登数学发展过程中的“重要事件、重要人物与重要成果”，以“反映数学发展的不同时代的特点”，“通过史实介绍数学的思想方法”．希望老师们提供这一方面的教学材料．展开更多
文摘采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低Al GaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有显著降低,BST/Al GaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到23GHz。
文摘HPM是英文history and pedagogy of mathematics的缩写，意为数学与数学教育．我们以此作为栏目名称是为了表述上的简洁．“将数学史融入数学教学”是新课程中的一项专题内容，本栏目将配合教学实际，刊登数学发展过程中的“重要事件、重要人物与重要成果”，以“反映数学发展的不同时代的特点”，“通过史实介绍数学的思想方法”．希望老师们提供这一方面的教学材料．
