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高介电栅介质材料研究进展
被引量:
5
1
作者
武德起
赵红生
+2 位作者
姚金城
张东炎
常爱民
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期865-871,共7页
传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介...
传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
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关键词
高介电栅介质
晶化温度
低介电界面层
金属
栅
电极
下载PDF
职称材料
高介电栅介质ZrO_2薄膜的物理电学性能
被引量:
2
2
作者
武德起
姚金城
+3 位作者
赵红生
常爱民
李锋
周阳
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2009年第5期484-488,554,共6页
采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在...
采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.
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关键词
ZRO2薄膜
高介电栅介质
等效厚度
漏电流
下载PDF
职称材料
高介电栅介质材料HfO_2掺杂后的物理电学特性(英文)
被引量:
1
3
作者
武德起
姚金城
+4 位作者
赵红生
张东炎
常爱民
李锋
周阳
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期71-74,共4页
采用激光分子束外延法(LMBE)在p型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)y(NiO)1-x-y栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力。X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度。原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄...
采用激光分子束外延法(LMBE)在p型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)y(NiO)1-x-y栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力。X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度。原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔。900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层。实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小。
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关键词
高介电栅介质
材料
激光分子束外延
二氧化铪
原文传递
题名
高介电栅介质材料研究进展
被引量:
5
1
作者
武德起
赵红生
姚金城
张东炎
常爱民
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期865-871,共7页
基金
国家自然科学基金(50372083)
中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(072C201301)
文摘
传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
关键词
高介电栅介质
晶化温度
低介电界面层
金属
栅
电极
Keywords
high-K gate dielectrics
recrystallization temperature
low-K interface layer
metal gate electrode
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高介电栅介质ZrO_2薄膜的物理电学性能
被引量:
2
2
作者
武德起
姚金城
赵红生
常爱民
李锋
周阳
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
中国科学院半导体所
中国科学院研究生院
河北大学物理科学与技术学院
出处
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2009年第5期484-488,554,共6页
基金
中科院研究生科学与社会实践资助专项创新研究项目
中科院知识创新工程青年人才领域前沿项目(072C201301)
文摘
采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.
关键词
ZRO2薄膜
高介电栅介质
等效厚度
漏电流
Keywords
ZrO2 film
high-κ gate dielectrics
equivalent oxide thickness
leakage current
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
高介电栅介质材料HfO_2掺杂后的物理电学特性(英文)
被引量:
1
3
作者
武德起
姚金城
赵红生
张东炎
常爱民
李锋
周阳
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
中国科学院北京半导体所
中科院研究生院
河北大学物理科学与技术学院
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期71-74,共4页
基金
National Natural Science Foundation of China(No.50372083)
the Knowledge Innovation Program of the Chinese A-cademy of Sciences(No.072C201301)
the graduate student innovation program of the Chinese academy of sciences
文摘
采用激光分子束外延法(LMBE)在p型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)y(NiO)1-x-y栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力。X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度。原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔。900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层。实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小。
关键词
高介电栅介质
材料
激光分子束外延
二氧化铪
Keywords
High - κ gate dielectric
LMBE
HfO2
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高介电栅介质材料研究进展
武德起
赵红生
姚金城
张东炎
常爱民
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
下载PDF
职称材料
2
高介电栅介质ZrO_2薄膜的物理电学性能
武德起
姚金城
赵红生
常爱民
李锋
周阳
《河北大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2009
2
下载PDF
职称材料
3
高介电栅介质材料HfO_2掺杂后的物理电学特性(英文)
武德起
姚金城
赵红生
张东炎
常爱民
李锋
周阳
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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