高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究

研究了高介薄型陶瓷芯片电容的金属化和微小元件的精密切割工艺。分别采用TiW/Au层、TiW/Ni/Au层和TaN/TiW/Au层制备电极,并采用电容器绝缘电阻的偏压特性和温度特性、电容器电容量和介电损耗的温度特性表征了电容在电极金属化工艺中不同电极材料对高介薄型陶瓷电容器性能的影响,优选出了电极制备的膜系结构。通过选择刀具类型,优化切割固定方法,本工作有效规避了切割崩边和卷边问题,实现了微小元件的精密切割,成功制备出一种性能优异的高介薄型陶瓷芯片电容器。