高介陶瓷薄膜小型化器件制备关键工艺

为满足电子系统小型化和轻量化的集成需求,采用高介陶瓷制作射频无源器件以减小系统关键部位的体积。试验并优化了高介陶瓷薄膜电路制作流程中的关键工艺,确定了与高介陶瓷匹配的工艺方法及参数,成功制作出了基于高介陶瓷的小型化薄膜器件。与传统氧化铝基器件对比,在性能相当的情况下,器件体积缩小了55%,小型化效果显著,满足了应用需求。