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新型TPBI/Ag阴极结构的红色有机发光二极管
被引量:
6
1
作者
李春
彭俊彪
曾文进
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期1992-1996,共5页
采用可溶液加工的小分子红光材料2为发光层(EML),制备了不同阴极结构的系列电致发光器件.结果表明,空穴阻挡层(HBL)TPBI的引入能有效降低高功函数(Al,Ag,Au)金属阴极的电子注入势垒,显著改善器件发光效率.与传统阴极结构(Ba/Al)比较,采...
采用可溶液加工的小分子红光材料2为发光层(EML),制备了不同阴极结构的系列电致发光器件.结果表明,空穴阻挡层(HBL)TPBI的引入能有效降低高功函数(Al,Ag,Au)金属阴极的电子注入势垒,显著改善器件发光效率.与传统阴极结构(Ba/Al)比较,采用TPBI/Ag阴极结构的器件外量子效率提高了57%,主要原因是TPBI/Ag阴极界面形成较低的电子注入势垒,有利于电子注入,使器件发光效率明显提高.
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关键词
电致发光
电子注入
阻挡层
高功函数金属阴极
原文传递
题名
新型TPBI/Ag阴极结构的红色有机发光二极管
被引量:
6
1
作者
李春
彭俊彪
曾文进
机构
华南理工大学高分子光电材料与器件研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期1992-1996,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:50573024
U0634003)
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2009CB623604)资助的课题~~
文摘
采用可溶液加工的小分子红光材料2为发光层(EML),制备了不同阴极结构的系列电致发光器件.结果表明,空穴阻挡层(HBL)TPBI的引入能有效降低高功函数(Al,Ag,Au)金属阴极的电子注入势垒,显著改善器件发光效率.与传统阴极结构(Ba/Al)比较,采用TPBI/Ag阴极结构的器件外量子效率提高了57%,主要原因是TPBI/Ag阴极界面形成较低的电子注入势垒,有利于电子注入,使器件发光效率明显提高.
关键词
电致发光
电子注入
阻挡层
高功函数金属阴极
Keywords
electroluminescence,electron injection,hole-blocking layer,high work functional metal cathode
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型TPBI/Ag阴极结构的红色有机发光二极管
李春
彭俊彪
曾文进
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
6
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