高功率二极管激光器面阵四通抽运耦合系统

高功率二极管激光器面阵连续抽运1. 1mmNd∶YAG薄片,采用非球面柱透镜来准直二极管激光器线阵的快轴方向,然后用两个正交的柱透镜分别对快慢轴光进行成像,在薄片上形成10mm×7mm的抽运光斑。用球面反射镜将薄片未吸收的抽运光再一次通过Nd∶YAG薄片,从而达到高的吸收效率,抽运光束在薄片上快慢轴方向上的束参数积分别为640mm·mrad和540mm·mrad。用CCD测得抽运光在薄片上的光强分布较均匀,面阵经非球面柱透镜和两个柱透镜后在10mm×7mm内的耦合效率为80. 5%。

高功率二极管激光器Au80Sn20焊料焊接实验研究

半导体激光器封装工艺过程对于激光器的输出特性、寿命等性能有重要影响,其中焊料的选择和焊接工艺是最关键的因素。本文采用磁控溅射的方法,在WCu热沉上制备了Au80Sn20合金焊料,取代了传统的In焊料,并对焊接工艺进行了改进。国外沉积的和我们制备的Au80Sn20合金焊料焊接DL芯片后的性能参数很接近。充分说明双靶分层溅射镀膜可以实现二极管激光器的封装要求,从而为优化半导体激光器制备工艺和提高半导体激光器的性能奠定基础。

高功率激光二极管线性阵列光束特性的研究

该文对激光二极管线性阵列的光束特性进行了研究.基于二阶矩定义,对激光二极管线性阵列光束的光束质量(M2因子)、束宽、远场发散角和内禀像散不变量等光束特征参数作了理论推导和分析.对激光二极管线性阵列光束的近场光强分布的理论模拟与实验结果相符.

高功率二极管激光封装技术

高功率二极管抽运YLF系统采用近场注入、近场输出的离轴双程放大结构,激光头采用微透镜准直LD发出的抽运光,Lensduct汇聚抽运光,并利用匀束器改善抽运光的空间分布,达到对YLF均匀抽运. 对该系统进行了模拟计算,表明系统在注入能量为22 μJ时,输出为180 mJ,系统的净增益约为3000倍,光束畸变很小. 实验研究得知:对激光头单独研究表明,微透镜将LD快轴方向的抽运光由超过40°准直为10°以下,lensduct的耦合效率达到75%,其光-光转换效率为24%;系统的静态损耗为45%,系统的单通增益为9,净增益为3600倍,在注入能量为40 μJ时,输出能量为近150 mJ.(OC18)

利用高功率二极管对H13钢表面进行激光硬化

应用高功率二极管激光器对H13钢进行了表面硬化研究。本试验中除激光功率和扫描速度外,表面加热温度被选作为特定的激光处理参数。试验结果表明,尽管激光设定功率和扫描速度相同,一旦表面处理温度设定不同,获得的表面硬化层的深度、宽度和显微组织有所不同。作为典型试样,其表面加热温度为1400℃时,硬化层的显微组织依次为柱状晶区+等轴晶区+相变硬化区+热影响区+基体。

渐变光扩展结构减小885nm高功率激光二极管发散角

为了减少激光二极管泵浦激光晶体过程中产生的热量,并提高与泵浦材料的光学耦合效率,理论设计并实验制备了低发散角的885 nm高功率激光二极管列阵。通过在限制层中引入渐变光扩展结构,结合对整体外延材料结构的优化设计,有效减小了激光器件的远场垂直发散角。采用AlGaInAs/AlGaAs量子阱适当增加材料的压应变,提高外延材料光增益系数,并对量子阱的组分和厚度进行了优化。采用低压金属有机化学汽相沉积(LP-MOCVD)技术制备了外延材料,并制作成1 cm单条激光列阵。测试结果表明:器件远场垂直发散角减小到17.6°,输出光功率为20.1W,斜率效率为1.05W/A,相应中心波长为888.2 nm。

浅谈高功率发光二极管封装

本文围绕高功率发光二极管的封装工艺，结合发光二极管（LED）芯片封装结构的发展介绍目前国际主流白光封装技术，设计了单个大功率芯片封装结构并对整个封装工艺进行研究。

高功率半导体激光器光纤耦合模块

光纤耦合输出的高功率激光二极管模块具有体积小、光束质量好、亮度高等特点,在泵浦光纤激光器、材料处理、医疗仪器等领域都获得了广泛的应用。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,提出了基于多只激光二极管串联的光纤耦合方法。这种方法具有耦合效率高、光学元件加工简单等特点。利用两组反射镜,将多只高功率激光二极管输出光束经准直、复合、聚焦,耦合进光纤输出,根据激光二极管和光纤的相关参数设计了聚焦透镜。利用特殊加工的AlN材料作为过渡热沉解决了激光二极管的导热和相互之间的绝缘问题。采用这种方法将4只输出波长为980nm的高功率激光二极管输出光束耦合进数值孔径0.22、芯径100μm的多模光纤中,当工作电流为4.0A时,光纤连续输出功率为11.6W,耦合效率大于79%。

高功率微波脉冲功率驱动源研究进展

通过文献调研 ,阐述了高功率微波脉冲驱动源的研究现状、发展趋势及其所涉及的一些如开关、绝缘和材料击穿、脉冲形成和二极管等相关关键技术的发展状况 ,简要评估后得出一些相关结论 。

高功率LED散热技术研究进展

从高功率LED理论模型分析着手,分别从芯片级、封装级和系统级三个层面归纳和总结了LED热管理的最新研究进展。研究发现:芯片倒装结构及合理的阵列方式有利于散热;性能优良的封装材料和翅片的优化能有效降低热阻;选择适当的二次散热方式也是提高散热效率的关键。

高功率LD泵浦的Q开关内腔倍频Nd:YVO_4激光器的研究

对高功率准连续激光二极管（ＬＤ）泵浦的声光调Ｑ内腔倍频Ｎｄ：ＹＶＯ４激光器进行了实验研究，获得了输出３．２Ｗ、５３２ｎｍ波长的光，其重复率达２２ｋＨｚ。

大功率半导体激光器光纤耦合技术研究

文章通过对高功率DL输出光束特性的分析,设计了大功率DL光纤耦合输出激光器系统,并进行了实验验证。根据实验结果,DL单元线阵经过准直后,快轴方向的发散角小于0.2°。利用微台阶镜实现了高功率DL快轴、慢轴方向束参积的转换,较好地实现了光纤耦合,在光纤直径为800μm,数值孔径为0.22的条件下,连续输出功率达到31.5W,耦合效率达到72%。

高功率准连续激光二极管抽运的Q开关内腔倍频固体激光器的研究

对高功率准连续激光二极管抽运的声光调Q内腔倍频Nd∶YAG和Nd∶YVO4激光器进行了实验研究 ,分别获得了输出功率为 3.5W和 3.2W、输出波长为 5 32nm的激光脉冲 ,其重复率达 2 2kHz。

高功率准连续激光二极管抽运的Nd¨YVO_4激光器

对高功率准连续激光二极管端面抽运的 Nd:YVO4 固体激光器进行了实验研究。研究了抽运功率、温度、重复率及输出镜的透过率对激光器输出功率的影响。当激光二极管重复率达到72 0 Hz、抽运功率 33.2 W时 ,激光输出最大平均功率为

Au80Sn20合金焊料制备工艺

针对高功率二极管激光器的封装要求,通过磁控溅射的方法制备了Au80Sn20合金焊料,使用扫描电子显微镜(SEM)观察其微结构和表面形貌;利用能谱仪(EDX)和X射线荧光测试仪分析其成分;采用差热分析法(DTA)测试其熔化温度,并用制备的Au80Sn20合金焊料进行了可焊性实验。结果表明:磁控溅射法可以制备Au80Sn20合金焊料,其制备的Au80Sn20合金焊料表面无明显缺陷,结构致密;成分与理论值接近;熔点与理论熔点接近;焊接浸润性好,空洞率小,强度大。

基于双包层光纤远程供电系统研究

针对深井煤矿综采、综放工作面的远程供电难题,提出了一种基于双包层光纤的远程供电系统,仿真分析了双包层光纤(DCF)供电链路远程天线单元输出传输能力和大功率供电能力。光纤供电通过中心控制站的馈电功率来管理远端供电单元的供电大小,井下数据通过单模纤芯进行传输,大功率供电通过双包层内部的包层进行传输。仿真结果表明,100 m的双包层光纤在远端供电单元可提供约800 MW的功率。在12 W大功率馈电的条件下,双包层的功率损耗可忽略不计,在实现大功率电远距离输送的同时可进行2.5 Gbps速率的双工通信。

用镱空心阴极灯稳频的高功率紫外激光二极管

在镱激光冷却和捕陷实验中,展示了稳定在Yb空心阴极灯中Yb共振跃迁398.9nm的高功率紫外扩展腔二极管激光器(ECDL)。通过无调制二色性原子蒸气激光锁定技术,得到频率一色散信号,利用它把紫外扩展腔二极管激光器稳定,在1秒平均时间,频率稳定低于1MHz,可用输出功率15mW。

激光器系统与技术

TN24 9604228395我国激光产品市场评论=Comment of 95’laser product market of our country[刊,中]/张育川,葛惠芸(北京光电技术研究所)∥激光集锦.—1995,5(4).—5—11介绍了94年全国激光产品销售分类统计,并对激光市场进行了分析和评论。

半导体激光器

TN248.4 2003064087基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器=Al-free SQW high-power semiconductor lasers[刊,中]/王玲(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室.吉林,长春(130022)),李忠辉…∥半导体光电.-2002,23(6).-391-392在改进的带有多槽石墨舟的液相外延(LPE)设备上,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),制作了条宽为100μm、腔长为1 mm的激光器,其阈值电流为0.70 A,最高连续输出功率达4 W,斜率效率为1.32 W/A,串联电阻为0.1 Ω,中心波长为808.8 nm。图4参3(严寒)TN248.4 2003064088940 nm高功率激光二极管及线阵=940 nm high powerlaser diodes and bars[刊,中]/王乐(中科院长春光机所.吉林,长春(130021)),曹玉莲…∥半导体光电.-2002。