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基于GaN工艺S波段高功率放大模块的设计
被引量:
1
1
作者
王强
马东磊
闫冲
《电子质量》
2019年第4期73-76,共4页
随着无线通信、雷达等领域的高速发展,微波产品尤其是功率放大模块呈现出高功率、低功耗、轻量化、小型化、易使用的发展趋势,这就要求功率放大器具备更高的效率以及更高的工作结温,基于新一代宽禁带半导体材料,Ga N功率放大器能够满足...
随着无线通信、雷达等领域的高速发展,微波产品尤其是功率放大模块呈现出高功率、低功耗、轻量化、小型化、易使用的发展趋势,这就要求功率放大器具备更高的效率以及更高的工作结温,基于新一代宽禁带半导体材料,Ga N功率放大器能够满足该需求。该文采用CREE公司的Ga N功放管CGH40010F研制了一款S波段高功率放大模块,包括模块各部分电路设计及结构盒体设计。测试结果显示,在2.2~2.4GHz带宽内增益≥40dB,饱和输出功率≥10W,工作效率≥50%。。
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关键词
GAN
S波段
高功率放大模块
下载PDF
职称材料
题名
基于GaN工艺S波段高功率放大模块的设计
被引量:
1
1
作者
王强
马东磊
闫冲
机构
山东航天电子技术研究所
出处
《电子质量》
2019年第4期73-76,共4页
文摘
随着无线通信、雷达等领域的高速发展,微波产品尤其是功率放大模块呈现出高功率、低功耗、轻量化、小型化、易使用的发展趋势,这就要求功率放大器具备更高的效率以及更高的工作结温,基于新一代宽禁带半导体材料,Ga N功率放大器能够满足该需求。该文采用CREE公司的Ga N功放管CGH40010F研制了一款S波段高功率放大模块,包括模块各部分电路设计及结构盒体设计。测试结果显示,在2.2~2.4GHz带宽内增益≥40dB,饱和输出功率≥10W,工作效率≥50%。。
关键词
GAN
S波段
高功率放大模块
Keywords
GaN
S band
high output power amplifier
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于GaN工艺S波段高功率放大模块的设计
王强
马东磊
闫冲
《电子质量》
2019
1
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