期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于GaN工艺S波段高功率放大模块的设计 被引量:1
1
作者 王强 马东磊 闫冲 《电子质量》 2019年第4期73-76,共4页
随着无线通信、雷达等领域的高速发展,微波产品尤其是功率放大模块呈现出高功率、低功耗、轻量化、小型化、易使用的发展趋势,这就要求功率放大器具备更高的效率以及更高的工作结温,基于新一代宽禁带半导体材料,Ga N功率放大器能够满足... 随着无线通信、雷达等领域的高速发展,微波产品尤其是功率放大模块呈现出高功率、低功耗、轻量化、小型化、易使用的发展趋势,这就要求功率放大器具备更高的效率以及更高的工作结温,基于新一代宽禁带半导体材料,Ga N功率放大器能够满足该需求。该文采用CREE公司的Ga N功放管CGH40010F研制了一款S波段高功率放大模块,包括模块各部分电路设计及结构盒体设计。测试结果显示,在2.2~2.4GHz带宽内增益≥40dB,饱和输出功率≥10W,工作效率≥50%。。 展开更多
关键词 GAN S波段 高功率放大模块
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部