基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究

简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长波限激光脉冲的吸收。

基于光电导开关的高功率超宽带微波脉冲产生技术

光控光电导开关因其具有传统高功率脉冲器件所不具有的优良特性 ,在产生高功率微波脉冲领域具有很大的发展潜力。利用光控光电导开关可以直接从直流电源产生高功率的微波脉冲。本文首先介绍了光控光电导开关的结构和两种不同的工作模式 ,以及它在不同工作模式下的工作特性 。

半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析

报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 3mm的横向半绝缘GaAs光导开关的实验结果 对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析 ,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异 。

基于光导开关的光电集成一体化装配技术研究

随着微电子技术的发展,光导开关是一种新型的快速电子器件,在高功率脉冲、超快光电控制等领域有广泛的应用。作为一种复杂的光电混合器件,在高电压高功率应用场景下,需要同时满足微波输出、光学对位、耐高压等要求。在一体化装配过程中,碳化硅光导开关存在碳化硅晶片易碎、输入激光易损耗等问题,因此,该文从光波导装配设计、一体化装配设计和一体化装焊仿真3个方面进行研究,通过柔性装配实现耐高压光导开关封装。

用光激开关产生高功率亚纳秒电脉冲的研究

报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘 Ga As光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达 3 0 k V。分别用 ns,ps和 fs激光脉冲触发开关的测试表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动。 3 mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于 2 0 0 ps,脉宽达亚 ns;在偏置电压 2 0 0 0伏 ,光脉冲宽度 8ns,能量 1 .2 m J的触发条件下 ,峰值电流达 5 60 A。用重复频率为 76MHz和 1 0

GaAs光电导开关时间抖动特性研究进展

GaAs光电导开关是超快激光器与光电半导体相结合形成的一类新型器件,在脉冲功率技术、精同步控制等领域有重要的应用价值。本文介绍了测量时间抖动的主流方法,归纳了触发激光脉冲特性以及外加偏置电压对不同工作模式下GaAs光电导开关时间抖动的影响,并在此基础上分析了时间抖动的产生原因,这为进一步研究开关时间抖动提供理论参考。

LT-GaAs飞秒光电导特性

采用飞秒脉冲光电探测技术研究低温生长砷化镓光电导开关超快瞬态响应特性 .实验测得不同激发波长或偏置电压下 L T- Ga As光电导开关瞬态响应驰豫时间约 35 0～ 390 fs,由实验数据计算得到电子迁移率约 10 0 0 cm2 /V.s.由导出的瞬态光电流相关响应归一化表达式 ,对实验曲线进行数据拟合 ,结果与实验曲线吻合 .

高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动 ,电流脉冲上升时间小于 2 0 0ps ,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达 5 6 0A ,电磁脉冲重复率 10 8Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lock on状态下的实验结果 ,测试了GaAs开关工作于lock on状态下的光能。

用光电导开关产生稳幅ps量级时间晃动超快电脉冲的研究

报道了用半绝缘GaAs光电导开关产生电压幅值稳定、ps量级时间晃动超快电脉冲的实验结果 .分别用ns ,ps和fs激光脉冲触发GaAs光电导开关的结果表明 ,在低电场偏置下 ,电极间隙为 1mm的GaAs光电导开关可以产生触发时间晃动小于 1 0ps、电压幅值变化小于 1 2 %、亚ns量级脉冲宽度的稳定超短电脉冲 .分析了触发光脉冲能量起伏对光电导开关产生超快电脉冲电压幅值的影响 ,指出通过控制光电导开关的触发条件和对开关的优化设计 ,就可以获得电压幅值稳定。

其他

TN248 2002042592高功率激光器非线性自聚焦效应的补偿=Compensa-tion of nonlinear self - focusing effect of high-power lasers[刊,中]/王韬,朱鹤元,李富铭(复旦大学三束材科改性国家重点实验室.上海(200433)),徐光,钱列加。

光放大、控制与器件

TM564 99063847 高压超快GaAs光电导开关的研究=Fabrication ofhigh—voltage ultra—fast photoconductiveswitches[刊,中]/梁振宪(西安交通大学电气学院.陕西,西安(710049)),施卫(西安理工大学应用物理系.陕西,西安(710048))∥电子学报.—1998,26(11).

光放大、控制与器件

TM564 99031831超高速光电导开关脉冲源及其应用=Pulse sourcesof ultra-fast photoconductive switches and itsapplications[刊,中]/施卫,李琦,孙强(西安理工大学.陕西,西安(710048)),梁振宪(西安交通大学.陕西,西安(710049))//光子学报.—1998,27(23).-11-15概述了超快光电导开关脉冲源的原理、性能。