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高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征(英文)
被引量:
3
1
作者
乔彦彬
陈燕宁
+1 位作者
赵东艳
张海峰
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-13,35,共5页
利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级...
利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.
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关键词
半导体技术
热耦合特征
红外热成像技术
有限元
高功率808
nm
AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条
下载PDF
职称材料
题名
高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征(英文)
被引量:
3
1
作者
乔彦彬
陈燕宁
赵东艳
张海峰
机构
北京南瑞智芯微电子科技有限公司
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期10-13,35,共5页
基金
Supported by National Natural Science Foundation of China(61376077)
the Beijing Natural Science Foundation of China(4132022)
文摘
利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.
关键词
半导体技术
热耦合特征
红外热成像技术
有限元
高功率808
nm
AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条
Keywords
semiconductor technology
thermal crosstalk characteristics
infrared thermography
finite element method
high-power
808
nm AlGaAs/
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高功率808nmAlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征(英文)
乔彦彬
陈燕宁
赵东艳
张海峰
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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