高压双脉冲位移电路源漏电阻计算方法分析

阐述在高压智能功率模块中,耐高压器件LDMOS是产生功耗的主要原因,高压双脉冲位移电路中源漏电阻的选取特别重要。分析高压窄脉冲移位电路的源极和漏极的电阻计算方法和选取理论。

用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS

文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料,设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS,包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压,厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入,避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明,薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344 V和340 V。采用文中设计的高压器件,成功研制出200 V高压电平位移电路。

一种高压电平位移电路设计

伴随半导体器件及其制造工艺的不断发展完善,高性能MOSFET器件日渐走上发展舞台,一跃成为主流功率器件。因其能耐高压、可耐受电流大和热稳定性良好等优势,在日常生活中的多个电气设备领域中都有着广泛的应用。本文基于高压BCD工艺,针对用于高压MOSFET半桥驱动电路中的高压电平位移电路进行了仿真设计。该电路能够有效提高器件控制能力,实现将低电源轨信号传输到浮动高电源轨,较普通电路而言大大降低了电路功耗,提高了电路的抗噪性能和稳定性能。