高压编移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ６０－γ，辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系．结果表明：击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、漂移区长度、场板长度以及漏区结构有关．另外，γ辐照导致导通电阻增加．结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制．对实验现象给出了比较圆满的解释．结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用．