高压大功率芯片封装的散热研究与优化设计

针对单片高压功率集成电路芯片,利用Flo THERM软件,建立三维结构的封装模型,并对各模型进行了仿真。研究了在不同基片材料、不同粘结层材料、不同封装外壳条件下封装模型的温度变化情况,分析得出一个最优的封装方案。结果表明,当基片材料采用BeO陶瓷、粘结层采用AuSn20合金焊料、封装外壳采用金属Cu时,该封装模型的温度最低、散热效率最高。

单片智能电池和功率管理芯片TPS65800

TI公司日前推出单片智能电池和功率管理芯片TPS65800。这种高性能功率转换集成电路具有智能充电功能，它在单片器件上集成了所有基本的功率晶体管。和分立器件解决方案相比，其所占的板空间降低了70％多，可对高效DC／DC转换器以及单节锂离子为能源的多电压通信和多媒体设备（如智能手机，手提音频和媒体播放器，卫星无线电和GPS系统等）进行可编程地电池管理。

业界首创内建200V HOSFET的单片式DC-DC功率转换芯片全面缩减转换器的占位面积

中国香港讯,2002年7月15日以提供一流AC到DC功率转换高压IC而闻名业界的Power Integrations公司今天宣布推出能大幅简化DC-DC功率转换设计的革命性全新器件DPA-Switch。此产品线的推出能开发全新的客户群,进一步加强公司收入渠道多元化的政策。公司预期在2003年中开始获得DPA-Switch初期的业绩。此器件是业界第一种专为DC-DC转换器和分布式电源结构(DPAs)而设计的高集成度高压功率转换IC。

Power Integrations的LinkSwitch~系列新增低价芯片

Power Integrations公司(Nasdaq代码POWI)宣布其LinkSwitch系列新增一种低成本器件,继续争取以更小巧、更高效的开关电源设计取代使用线性变压器的那些"能量吸血鬼"充电器和适配器新型LNK500高压单片式功率转换芯片,使用了与现有LNK501相同的革命性的初级开关电源拓扑结构,又充分利用了大多数低档线性变压器设计中常用的松散输出电流特性LNK500的输出电流容差范围高达±25%,系统成本得以降低。

宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2102(60V)及EPC2103(80V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN(?)功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙,使晶体管的占板面积减少50%。这会提高效率(尤其是器件在更高频工作时)及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。半桥式器件是面向高频直流/直流转换应用的理想器件。在典型降压转换器采用EPC2103器件,在48V转12V。

宜普电源转换公司(EPC)推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出30V的增强型单片式半桥氮化镓晶体管（EPC2111）。透过集成两个eGaNTM功率场效应晶体管形成单个元件，可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件之间的空隙。

宜普电源转换公司推出单片式氮化镓半桥器件

EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案一推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率,以及推动48 V转至1 V并在300 kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 A输出电流时实现84%效率。宜普电源转换公司宣布推出80

宇航抗辐射加固集成电路技术发展与思考

宇航抗辐射加固集成电路是航天工程的核心基础技术。长期以来,美欧等国家对抗辐射加固集成电路持续支持并严格禁运,宇航集成电路的发展和自主可控是我国向航天强国迈进的关键核心基础之一,受到国家的高度重视。本文总结了宇航抗辐射加固集成电路发展特点和我国发展现状,分析了未来宇航抗辐射加固集成电路的发展需求,探讨了未来需要重点关注的3个技术方向,即软加固的天算芯片、高压功率器件加固和单粒子效应仿真。

模拟／电源

安森美完整时钟解决方案满足时钟市场高要求；ADI推出8款高速、低功耗数模转换器；新日本无线双电路单电源全摆幅运算放大器；Intersil小尺寸高集成度功率模块；PI单芯片集成谐振控制器、高压驱动器及功率因数校正；

高频荧光灯镇流器芯片的设计

本文介绍了一种高频荧光灯镇流器芯片的设计,在芯片的实现上充分体现了低压控制电路与高压功率器件在单一芯片上的兼容性。论文从该类芯片的D类DC-AC谐振转换工作模式出发,介绍了其中的两个核心线路:可控频率的波形发生器和电平移位电路的设计。作者对片上集成的高压功率器件进行了结构上的探讨,并使用MEDICI仿真工具对采用的高压功率器件进行了模拟仿真。

科锐开发出两项新型GaN RF MMIC工艺技术

科锐公司宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度,与传统技术相比,能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。两项新技术均与科锐业经验证的GaN单片式微波集成电路(MMIC)技术相兼容。

模拟与混合信号

测量用高速低功耗的16位A／D转换器；单芯片RF可变增益放大器；单电源轨到轨输入／输出运算放大器；两款频率达千兆赫以上的高速放大器；可降低功率损耗的无RSENSE电子断路器；单片多普勒移相器。