给体-受体(D-A)型苯基环八四噻吩的合成及其聚集诱导发光与高压发光性能研究

“马鞍型”环八四噻吩(COTh)是一类有趣的聚集诱导发光(AIE)分子.通过Suzuki反应,将强吸电子基团氰基(CN)与强供电子基团甲氧基(OMe)引入到苯环的邻位、间位与对位,构筑了6种取代苯基的给体-受体(D-A)型Ar-COTh化合物.p-OMe-Ph-COTh的单晶结构分析显示,分子间存在多重S…C、C…O和O…H相互作用.这些D-A型Ar-COTh化合物均表现出显著的AIE发光性质,来源于COTh自身的分子内空间共轭效应(ITSC)所造成的较低能级的激发态发光,发光峰位与取代基效应关联较小.其固态发光的荧光量子产率高于AIE态发光.高压下,含强吸电子基团的p-CN-Ph-COTh随着压力从0.00 GPa到8.86 GPa的变化,其荧光发射峰从531 nm红移到了634 nm,二者相差达103 nm;而含供电子基团的p-OMe-Ph-COTh随着压力从0.00 GPa到12.0 GPa的变化,其发射峰只变化了29 nm,体现出显著的取代基效应与高压发光性质.

电流检测型四段式线性高压恒流LED驱动芯片

文章基于CSMC 0.8μm 700VBCD工艺,采用检测驱动电流的方式,设计了1款非隔离4段式线性高压恒流发光二极管(light emitting diode,LED)驱动芯片,即将4个700 V双重扩散金属氧化物半导体(double-diffused metal oxide semiconductor,DMOS)功率开关管集成在芯片内部以实现分段点亮控制,在电压上升和下降阶段均能有效地完成对4段高压LED的分段驱动。仿真结果表明,在70~120Ω范围内调节片外限流电阻阻值可以实现驱动电流在29.5~44.5mA范围内连续改变,以调节LED光照强度。

GaN高压LED在极小电流与极低温度下的光电特性

在图形化蓝宝石衬底上制备了串联结构的氮化镓(GaN)高压发光二极管(LED),分别在极小电流与极低温度下研究了其光电特性。结果表明,在极小电流区(I<1×10^-8 A),主要输运机制为缺陷辅助隧穿。由于能带热收缩效应和辐射复合中心的热激活效应,随着温度升高,电致发光(EL)峰发生红移,半高宽(FWHM)增加;光输出强度与注入电流呈幂指数关系,表明极小电流下非辐射复合占主导,且载流子通过缺陷辅助隧穿至量子阱。在极低温度下(T^40 K)仍能观测到电致发光现象,表明载流子并未被完全冻析,在强场下可由施主态或受主态通过缺陷辅助隧穿至量子阱;随着注入电流增加,注入电荷的库伦电场对极化电场的屏蔽作用增强,导致发光峰发生明显的蓝移,能带填充效应则导致半高宽增加。

GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析

GaN基高压直流发光二极管工艺制备,采用蓝宝石图形衬底(PSS)外延片制备正梯形芯粒结构的GaN基高压直流LED.相对其他结构器件,该结构器件发光效率最高,封装白光后,在色温4500 K,驱动电流20 mA时,光效116.06 lm/W,对应电压50 V.测试其I-V曲线表明,开启电压为36 V,对应驱动电流为1.5 mA;在电流15 mA至50 mA时,光功率随驱动电流增加近似于线性增加,在此区域光效随电流增加而降低的幅度比较缓慢,表明GaN基高压直流LED适宜于采用大电流密度驱动,而不会出现驱动电流密度增加导致量子效率明显下降(efficiencydroop),为从芯片层面研究解决量子效率下降难题提供了一种新思路.

具有侧面柱状结构的高压LED芯片制备

设计制作了一种具有侧面柱状结构的高压发光二极管(HV-LED)芯片,与未作侧面柱状结构的HV-LED芯片相比,在正向电流20mA下,其光功率提高了7.6%,而正向电压和波长基本维持不变。对这两种HV-LED芯片的电流和电压以及电流和光功率的关系进行研究。封装白光后的测试结果表明,在色温4 500K、驱动电流20mA下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片光效达125.6lm/W。在标准测试温度为20℃、正向电流为20mA驱动下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片封装老化测试1 000h后,光衰仅为2%。