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基于固体开关器件的新型高压脉冲驱动源
被引量:
6
1
作者
陈静
周晓青
《现代电子技术》
2012年第4期208-210,共3页
从MOSFET的开关基理,以仿真与电路实验相结合的方法,研究出了MOSFET栅极的"过"驱动技术,以此来提高MOSFET的开关速度。并结合多个MOSFET的串并联的级联技术,采用多管串联方法来提高脉冲源的输出脉冲幅度,采用多管并联方法来...
从MOSFET的开关基理,以仿真与电路实验相结合的方法,研究出了MOSFET栅极的"过"驱动技术,以此来提高MOSFET的开关速度。并结合多个MOSFET的串并联的级联技术,采用多管串联方法来提高脉冲源的输出脉冲幅度,采用多管并联方法来提高脉冲源的其输出脉冲功率,从而得到较大的脉冲宽度。在此研制出了输出脉冲幅度大于4kV、前沿小于10ns、脉冲宽度大于100ns的高压快脉冲源。
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关键词
过驱动
MOSFET
高压固体器件
高压
宽脉冲
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职称材料
题名
基于固体开关器件的新型高压脉冲驱动源
被引量:
6
1
作者
陈静
周晓青
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《现代电子技术》
2012年第4期208-210,共3页
文摘
从MOSFET的开关基理,以仿真与电路实验相结合的方法,研究出了MOSFET栅极的"过"驱动技术,以此来提高MOSFET的开关速度。并结合多个MOSFET的串并联的级联技术,采用多管串联方法来提高脉冲源的输出脉冲幅度,采用多管并联方法来提高脉冲源的其输出脉冲功率,从而得到较大的脉冲宽度。在此研制出了输出脉冲幅度大于4kV、前沿小于10ns、脉冲宽度大于100ns的高压快脉冲源。
关键词
过驱动
MOSFET
高压固体器件
高压
宽脉冲
Keywords
overdriving
power MOSFET
high-voltage solid device
high-voltage wide pulse
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于固体开关器件的新型高压脉冲驱动源
陈静
周晓青
《现代电子技术》
2012
6
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