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ZnSe单晶生长及性能研究
被引量:
5
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作者
卢利平
刘景和
+3 位作者
李建立
万玉春
张亮
曾繁明
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期215-218,共4页
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测...
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好。对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%。
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关键词
ZnSe单晶
物理气相输运
法
高压坩埚下降法
透过率
吸收系数
发光效率
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职称材料
题名
ZnSe单晶生长及性能研究
被引量:
5
1
作者
卢利平
刘景和
李建立
万玉春
张亮
曾繁明
机构
长春理工大学材料与化工学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期215-218,共4页
基金
兵器工业集团公司项目(GDZX2003)资助
文摘
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好。对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%。
关键词
ZnSe单晶
物理气相输运
法
高压坩埚下降法
透过率
吸收系数
发光效率
Keywords
ZnSe single crystal
physical vapor transportation method
high-pressure Bridgman method
transmittance
分类号
O78 [理学—晶体学]
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnSe单晶生长及性能研究
卢利平
刘景和
李建立
万玉春
张亮
曾繁明
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
5
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