超结型高压功率MOSFET结构工作原理

目前,高压功率MOSFET具有平面型和超结型（Super Junction）两种常用的结构。早期,高压功率MOSFET主要是平面型结构,它采用厚的低掺杂的N-的外延层,即epi层,用来保证具有足够的击穿电压,低掺杂的N-的epi层的尺寸越厚,耐压的额定值越大,

基于高压虚拟仪器的电容型设备介质损耗在线测试仪

电容型设备在运行过程中由于电导和极化等原因会产生介质损耗，目前电力系统的发展运行趋势是设备的网络化、数字化，而以往介质损耗的在线测试仪存在稳定性较低、准确率不高等缺点。为了跟上趋势，就迫切的需要运用更为先进的解决方案。在这里，我们就将对基于高压虚拟仪器的电容型设备介质损耗在线测试仪进行分析。

开关型高压电网故障限流装置研制

针对日趋严重的电网短路电流超标问题,采用基于爆炸式快速开断载流桥体的大容量高速开关装置(Fast Switching Release,FSR)与限流电抗器一体技术研制了"节能型限流装置",并在宁夏220 kV步桥变电站成功运行;基于高速大遮断容量真空断路器技术、短路电流快速识别技术、相控技术与限流电抗器相结合研制了"330 kV开关型零损耗电网限流装置",并在宁夏330 kV迎安I线成功进行2次短路试验。现场运行及试验结果表明:2种开关型高压电网故障限流装置从根本上解决了电网故障限流技术实用化中面临的安全性、可靠性以及经济性等关键问题,标志着电网故障限流技术取得了一个突破性的进展。

QS1型高压电桥的技术改造

介质损耗因数tgδ的测量是电气设备绝缘试验中一个较重要的项目 ,系统内进行tgδ测量所用设备中 ,QS1型高压电桥是现场最广泛使用的电桥。QS1型高压电桥的结构、原理和技术改造必要性 ,运用电源高压隔离技术、检零信号电子放大技术、电子放大线路信号输出的光电隔离技术 ,对其进行改造的原理和方法。

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源（SMPS）里将起到节能的重要作用。

Vishay发布11颗采用GenⅡ超级结技术的新款500V高压MOSFET

2015年1月22日-日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等，可帮助客户达到更高的性能／效率标准，例如某些高性能消费类产品、照明应用，以及ATX／银盒PC开关电源所要求的严格的80PLUS转换效率标准。

Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET

2015年1月22日一日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等，可帮助客户达到更高的性能／效率标准，例如某些高性能消费类产品、照明应用，以及ATX／银盒PC开关电源所要求的严格的80PLUS转换效率标准。

Vishay发布11颗采用GenⅡ超级结技术的新款500V高压MOSFET

2015年1月22日-日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay SiliconixMOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等，可帮助客户达到更高的性能／效率标准，例如某些高性能消费类产品、照明应用，以及ATX／银盒PC开关电源所要求的严格的80PLUS转换效率标准。

Vishay发布11颗采用GenⅡ超级结技术的新款500V高压MOSFET

2015年1月22日－日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等，可帮助客户达到更高的性能／效率标准，例如某些高性能消费类产品、照明应用，以及ATX／银盒PC开关电源所要求的严格的80PLUS转换效率标准。

在500V电压等级的AC／DC应用中最优化平面型MOSFET与超大结MOSFET的竞争

仙童公司(Fairchild)面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET,与通常的500V电压等级的MOSFET相比,它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比,这种MOSFET 可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比,它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大结面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

高速trr型600V超级结MOSFET

R60xx MNX系列是罗姆高速trr（反向恢复时间）型600V超级结MOSFET PrestoMOS产品群的新成员，非常适用于要求低功耗化的白色家电及工业设备等的电机驱动。PrestoMOS拥有超快trr性能和超小的开关损耗，可帮助搭载变频器的白色家电的功耗更低。

LV5980MC:低功率损耗降压型稳压器设计方案

安森美公司的LV5980MC是一款内嵌P沟道MOSFET的单通道DC，DC转换器，工作电压范围为4．5V～23V，最大输出电流为3A。可实现低功率损耗，操作电流大约为63pA。该芯片具有外部电容软启动、过流保护、欠压及过热关闭等功能特性。

电容型设备介质损耗因数在线检测技术方法

现代社会对电力的依赖性极高,安全、可靠、优质地供电是对现代电力系统运行提出的基本要求。电网事故和大面积停电造成的经济损失无法估量,因此,提高电力设备运行的可靠性是保证电力系统运行的关键。对于高压电力设备而言,一方面,要求制造商使用优质绝缘材料,改善绝缘结构、改进制造工艺;另一方面,在设备运行中通过必要的检测手段来评估设备绝缘状态、及早且有效地发现绝缘缺陷,将会对减少事故的发生、提高设备的运行具有重要的意义。

在线测量介质损耗的方法与误差分析

以电压、电流过零相位差原理为基础。分析了测量的误差来源，给出了计算公式；利用单片计算机和配套的软件，作为信号采集、数据处理和计算的工具，实现了对高电压电容型设备介质损耗（tgδ）、等效电容（C）和系统频率（f）的在线测量。

桥臂交替导通型多电平换流器的晶闸管换向方法

给出了一种用于桥臂交替导通型多电平换流器的晶闸管换向方法。当换向开关门极信号发生变化时,不立即改变所对应子模块组的输出电压,而是继续保持输出电压以强迫串联晶闸管关断,即通过延迟桥臂交替控制晶闸管作为换向开关。该方法的优点在于:损耗低、直流侧故障耐受能力强,保证换流器具有电压源换流器的灵活性,避免了大量IGBT串联,大幅降低了换流器的实现难度和成本。建立了三相35 kV的240子模块换流器的仿真模型。仿真结果表明:给出的方法可以控制晶闸管关断换向,换流器能够四象限稳定运行,并在此过程中保持桥臂电抗尖峰电压和子模块电压波动均处在合理水平。

基于MC34063的小体积高压升压电源的研究

微开关电源控制芯片MC34063基于电流型控制稳压技术原理,外围电路极少,使用特别方便。文中介绍了一种实用的小体积高压升压电源的设计方法,它克服了以往PWM开关电源体积大、调试困难的缺点。

一种可阻断直流故障电流的双逆阻型MMC研究

可阻断直流故障电流的模块化多电平变换器(Modular Multilevel Converter, MMC)在高压直流输电工程中具有广泛的应用前景。提出一种可阻断故障电流的基于新型双逆阻型子模块(DualReverseBlockingSub-Module,DRBSM)的MMC拓扑结构。在输出相同电平数的前提下,与现有拓扑相比,DRBSM型MMC具有较强的直流故障电流阻断能力和更低的功率损耗,且DRBSM型MMC可直接移植半桥子模块(HBSM)型MMC拓扑的控制和调制策略。亦对该子模块结构的拓扑构成、运行原理及故障电流阻断机理进行分析。最后,采用PSCAD/EMTDC仿真验证了该拓扑结构的可行性和有效性。

500kV惠州站#1主变B相高压套管介损异常分析

广东电网有限责任公司惠州供电局500 kV惠州站#1B主变高压套管运行中在线监测发现介损异常增大,停电试验复测确认了异常结果。为分析缺陷原因,将该套管返厂进行检查及试验。基于现场高压介损试验数据,初步分析异常原因并制定针对性检查及试验方案。试验结果表明,该套管由于出厂时电容芯干燥不彻底,残留的水分在运行温度及电压共同作用下损耗增大是导致本次缺陷的主要原因。通过试验发现,在套管内部温度降低时又重新出现介损降低并能接近出厂值的现象。通过对本次缺陷的研究及处理,积累了油纸电容式套管的运行、试验及维护的经验,并为新招标套管的技术要求、同类型潜伏缺陷的早期检测等提供有益经验。

基于SiC MOSFET三电平Buck变换器电压尖峰抑制研究

SiC MOSFET工作频率高,温度稳定性好,应用于三电平Buck变换器中可以减小系统损耗,提高系统效率,但SiC MOSFET的高频特性会使其开关过程中的电压尖峰更为严重。针对该问题,分析了三电平Buck电路SiC MOSFET开关过程及瞬态电压尖峰产生机理;在传统的充放电型RCD吸收电路的基础上加以优化改进,设计了一种低损耗型RCD吸收电路作为电压尖峰抑制方法。首先,对充放电型RCD吸收电路和改进后的低损耗型RCD吸收电路的工作原理及损耗进行对比分析;其次,搭建了三电平Buck变换器实验装置,对吸收电容和电阻进行参数设计;最后,通过实验验证了低损耗型RCD吸收电路的有效性、参数设计的合理性;结合理论分析和实验结果表明,相比于带充放电型RCD吸收电路,带低损耗型RCD吸收电路的三电平Buck变换器具有更低的损耗。