一种基于PJFET输入的高压摆率集成运算放大器

基于双极型集成工艺设计并制作了一种高压摆率、低输入偏置电流、低输入失调电流的运算放大器。输入级采用p沟道结型场效应晶体管(PJFET)共源结构,有利于减小输入偏置电流,提高信号接收的灵敏度,实现高输入阻抗、低偏置电流、低输入失调电流和高压摆率。增益级采用常规的共射放大电路结构。输出级采用互补推挽输出结构,提升了驱动负载的能力,并克服交越失真。测试结果表明:在电源电压±15 V、25℃环境温度下,开环电压增益为114.49 dB,正压摆率为12.33 V/μs,负压摆率为-9.76 V/μs,输入偏置电流为42.52 pA,输入失调电流为4.23 pA,输出电压摆幅为-13.56~14.16 V,共模抑制比为105.56 dB,电源抑制比为107.91 dB。

基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO

基于0.35μm CMOS工艺设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(cap-free LDO),通过误差放大器组成的环路控制稳态误差,通过摆率增强电路构成的环路改善瞬态响应。该LDO输出电压为1.72V,压差80mV,最大输出电流50mA。测试结果显示:负载电流(IL)在0.5μs内瞬变50mA时,俯冲电压和过冲电压均为80mV左右,重回稳态的时间均小于1.5μs。

采用新型高摆率电路的电动汽车驱动控制器设计

为了降低电动汽车驱动控制器的成本和功耗,提出了一种采用高摆率运算放大器的嵌入式数字驱动控制器。该运算放大器包括一种新型压摆率提升电路,以便提升负载。驱动控制器总体结构包括8051单片机、嵌入式FLASH存储器、定制的DSP协同处理器等模块。采用0.18 mm CMOS工艺进行了实现。实验测量结果显示,相比其他类似结构,提出的运算放大器能够驱动负载1 000 p F的功率晶体管,并且功耗更低仅为0.38 m W,压摆率为0.22 V/ms,能够满足汽车应用的严苛要求（环境温度范围为-40℃~160℃）,并且静电放电（ESD）特性为±4 k V。