驱动高压浮动MOSFET的自举电容设计

介绍高压浮动MOSFET自举驱动电路的工作原理和高压驱动芯片的内部原理;讨论影响自举电容设计的各种因素,并给出自举电容的计算公式。通过实例,以测试波形来证明设计结果的准确性,表明其具有实际应用价值。

高压浮动MOSFET栅极驱动技术

本文介绍了高压浮动MOSFET的应用场合、栅极驱动的的几种常用技术及其优缺点,详细论述了采用IR2125芯片的自举工作模式及充电泵模式的高压浮动MOSFET栅极驱动电路。同时论述了高压浮动MOSFET在汽车制动器中的应用。

高压大功率SiC MOSFETs短路保护方法

碳化硅(SiC)MOSFETs短路承受能力弱,研究其短路保护方法成为保障电力电子设备安全运行的重要课题。现有方法大多围绕低压小功率SiC MOSFETs,然而随着电压和功率等级的提升,器件特性有所差异,直接套用以往设计难以实现高压大功率SiC MOSFETs的快速、可靠保护。该文首先详细研究了几种常用短路检测方法;其次基于高压大功率SiC MOSFETs器件特性,深入对比分析了不同短路检测方法的适用性,提出一种阻容式漏源极电压检测和栅极电荷检测相结合的短路保护方法;最后搭建了实验平台验证所提方法的可行性。结果表明,提出的方法在硬开关短路故障(hard switching fault,HSF)下,保护响应时间缩短了1.4μs,短路能量降低了62.5%;且能可靠识别负载短路故障(fault under load,FUL)。

基于功率MOSFET的高速高压脉冲产生器

通过研究功率MOSFET器件的开关特性和脉冲产生技术,设计了互补推挽和集成芯片两种MOSFET栅驱动脉冲电路,其较好的驱动能力,极大的提升了MOSFET的开关速度,分别实现了上升(下降)时间小于5 ns和2.5 ns、输出幅度300~500 V、脉冲宽度5 ns^0.2ms可调的高速、高压的脉冲产生与放大。据此研制成功的脉冲产生器具有稳定性好、带负载能力强、输出脉宽调节范围大、体积小等特点。该脉冲产生器已成功应用于像增强器高速摄影的电子快门装置,并在其他需要高速、高压脉冲领域有一定应用前景。

一种新颖实用的高压浮动功率开关驱动器研究

提出一种适于ＤＣＤＣ和ＡＣＤＣ变换用的高压浮动驱动电路，克服了以往类似电路驱动能力弱的问题，具有较广泛的实用性。

高压RESURF LDMOSFET的实现

利用ＲＥＳＵＲＦ（ＲＥｄｕｃｅｄＳＵＲｆａｃｅＦｉｅｌｄ）技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ，本文介绍了该高压ＬＤＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。此外，本文还从实验和分析的角度探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅──金属栅场板长度ＬＦ对ＲＥＳＵＲＦ器件耐压的影响。

高压齿轮泵轴套轴向浮动性的研究

该文以三段式高压齿轮泵为例,分析了影响轴套轴向浮动性的因素,并给出了解决的方法。在高压齿轮泵的设计实例中,介绍了具有良好轴向浮动性的轴套的设计方法。

基于功率MOSFET的慢升快降型高压脉冲信号源

利用MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)导通过程中某一时段输出电流和门电压成比例的特点来获得前沿缓慢而后沿陡降的高压脉冲信号,通过栅极电阻降低脉冲前沿的上升速度;通过低驱动内阻对栅极电容电荷的快速泄放提高脉冲后沿的下降速度。在50Ω负载下脉冲的最大幅度为800V,下降沿约为15ns。

高压编移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ６０－γ，辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系．结果表明：击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、漂移区长度、场板长度以及漏区结构有关．另外，γ辐照导致导通电阻增加．结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制．对实验现象给出了比较圆满的解释．结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用．

基于高压浮动技术的CNT-FED驱动保护电路

采用高压浮动技术的CNT-FED驱动电路，有利于实现高亮度，得到较好的显示质量；但是由于浮动技术本身特点，给整个驱动电路带来了不稳定因素，同时也不利于保护电路的设计。文章提出针对高压浮动技术的保护电路，能在放电单元出现打火现象时保护驱动电路免于损坏，不影响整个驱动电路的正常工作。

基于MOSFET的正向幅度高压脉冲信号源设计

利用MOSFET导通过程中的线性控制特性实现对脉冲输出前沿的控制，使输出脉冲前沿为类正弦波；利用低输出阻抗驱动信号源实现栅极电容电荷的快速泄放，从而实现MOSFET的快速关断，使得脉冲源输出脉冲后沿陡降。电路设计巧妙地实现了缓升快降脉冲的产生，设计的高压信号源最大输出脉冲幅度可达800V。

高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果。

高压齿轮泵浮动侧板的动态平衡机理

针对高压齿轮泵浮动侧板磨损问题,在解析齿轮泵内部流场的基础上重点研究浮动侧板反推力作用点变化规律和导致侧板产生倾覆力矩的关键因素。以某型号高压大排量齿轮泵为模型,运用CFD软件解析齿轮泵内部流场并根据侧板结构特点建立压紧力和反推力的求解微分方程,求得一个轮齿啮合周期内的侧板倾覆力矩变化规律,同时通过建立齿轮泵工作腔压力测试系统对该理论分析结果进行验证。结果显示:额定工况下试验值与理论值的误差为4.18%,当齿轮转角φ=14°时倾覆力矩达到最大值Ms=82.16 N·m。该研究结果可为高压大排量齿轮泵浮动侧板倾覆力矩计算和侧板结构优化设计提供理论基础和技术支撑。

VHF高压双栅功率MOSFET的研制

采用硅栅结构的自对准离子注入工艺，研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ、输出功率５．１Ｗ、功率增益８ｄＢ、跨导６５０ｍＳ、截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参数和工艺参数的设计，给出了计算机数值分析结果。

超结型高压功率MOSFET结构工作原理

目前,高压功率MOSFET具有平面型和超结型（Super Junction）两种常用的结构。早期,高压功率MOSFET主要是平面型结构,它采用厚的低掺杂的N-的外延层,即epi层,用来保证具有足够的击穿电压,低掺杂的N-的epi层的尺寸越厚,耐压的额定值越大,

高压集成电路中高压功率MOSFET的设计

本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成。MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路。

高压齿轮泵浮动组合轴套的设计

通过分析轴套在高压齿轮泵中的作用和受力特点,提出了一种浮动组合轴套的设计思路。

级联MOSFET均压测试方法研究

文章分析了传统均压测试方法中,隔离高压探头寄生参数对级联MOSFET均压效果的影响。通过改变同一高边MOSFET的DS电压测试探头数量,分析了测试方法引入寄生参数的变化对瞬态均压的干扰程度。基于此提出了一种减法均压测试方法,并对所提出的减法均压测试方法的优化进行了分析与实验验证。实验结果表明该测试方式能精确评估级联MOSFET在稳态以及开通、关断瞬态的均压效果,且不受测试线缆寄生参数的影响。

浮动蝶板式高压蝶阀

浮动蝶板式高压蝶阀为金属硬密封阀，阀杆既能作轴向移动，又能绕自轴转动。阀杆轴向移动时，推动蝶板槽内的凸轮驱动蝶板到达关闭位置。通过阀杆的旋转及凸轮和槽的共同作用，蝶板在开关位置旋转。蝶板被槽的夹持盖限制，作轴向移动，阀杆被限制在蝶板和夹持盖内（图１、...

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源（SMPS）里将起到节能的重要作用。