液相法制备GaN单晶体研究进展

回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展。液相法可以制备相比于气相法更高质量的GaN晶体。其中HPNSG可以制备位错密度低于102cm-2的GaN晶体,氨热法可以生产出高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)GaN晶体,重点介绍了Na助溶剂法的生长设备及最新研究成果,目前该方法已经可以生长直径超过2 cm、高度约为1.2 cm的无位错块体GaN晶体。对液相法生长GaN晶体的应用前景进行了预测,认为液相法制备的高质量GaN晶体作为大功率、高可靠性GaN电子器件理想衬底,会发挥越来越重要的作用。

制备磷酸铁添加对厌氧发酵产气的影响

以磷化渣为原料,利用高压溶液法制备磷酸铁,并用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),对这种添加剂进行表征。将制备出的Fe PO4添加到厌氧发酵实验,评价其对厌氧发酵影响。结果表明:在实验条件下,制备出磷酸铁的纯度可达99.14%,添加相同量的Fe SO4、Na H2PO4和制备Fe PO4,都可提高产气量,其中制备Fe PO4效果最好,且最佳添加量为5%。制备出的磷酸铁,可增加产气量1 154 m L,产气速率平均提高2倍,且最终沼渣、沼液可作为有机复合肥,不产生二次污染。此方法为磷化渣资源化提供了一种新途径,为提高厌氧发酵产气量提供了一种方法。