基于单片机的高压脉冲调制电源系统改进设计

在常规的高压脉冲调制电源系统设计中,信号生成部分采用分离原件电路搭建而成,存在可重复性差、信号同步性差、电路复杂、精度低等问题,本文提出了一套基于单片机与CPLD为主体的脉冲信号设计。实验结果表明,通过此方法,可以有效的提高系统的重复性,实现自动控制等功能,并且简化了相应电路。

一种L波段300W GaN脉冲功率模块

随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在电子系统中逐步得到了广泛应用。研制了一款小型化L波段300 W GaN脉冲功率模块。研发了满足高压脉冲工作条件的GaN HEMT芯片,采用负载牵引技术进行了器件大信号阻抗参数提取,并以此为基础设计了小型化匹配网络进行阻抗变换。基于高压驱动芯片和开关器件芯片设计了小型化高压脉冲调制电路。测试结果表明,在工作频率990~1130 MHz、工作电压50 V、脉冲宽度100μs、占空比10%下,功率模块脉冲输出功率大于300 W,功率附加效率大于53%,功率增益大于38 dB。功率模块尺寸为30 mm×30 mm×8 mm。

高频电光调Q板条激光器的第一脉冲控制

Q开关激光器在高重复频率运行时,存在"第一脉冲现象"。这不仅在激光的很多工业应用中颇为不利,也会造成不必要的能量损失。基于激光速率方程,以电光Q开关部分端面泵浦的板条激光器为例,建立了理论模型对电光Q开关激光器的脉冲输出及粒子数积累过程进行模拟。分析了"第一脉冲问题"的产生机理,并提供了一种通过调制普克尔斯盒上电压脉冲的方法对第一脉冲能量加以控制的方案,并给出了通过这一方法控制第一脉冲问题的理论和实验结果。

高增益S波段小型化200 W功率模块研制技术

采用多级射频放大电路以及高压脉冲调制技术,实现了S波段高增益小型化200 W功率模块的研制。驱动放大电路采用Ga As功率单片进行功率合成;末级放大电路依托栅长(0.5μm)Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,选取多子胞结构来改善热分布,通过内匹配技术设计完成了双胞总栅宽24 mm Ga N芯片的匹配网络,并设计高压脉冲调制电路提供电源,成功研制出了小型化的S波段200 W内匹配Ga N功率模块。测试得出该模块实现了在输入功率10 d Bm,栅极电压-5 V,漏极电压32 V,TTL调制信号输入条件下,输出频率在3.1~3.5 GHz处,输出功率大于200 W,功率附加效率(PAE)大于55%。模块实际尺寸为2.4 mm×38 mm×5.5 mm。

医科达Precise直线加速器闸流管触发板故障及维修

本文介绍了医科达Precise直线加速器触发板1例故障现象及分析与排除的过程。