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题名车规级LIN总线中55V摆率增强型LDO
被引量:1
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作者
孙力
王志亮
崔子豪
章一鸣
陈靖
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机构
南通大学信息科学技术学院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第9期776-786,共11页
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基金
江苏省科技成果转化专项资金项目(BA2022001)
江苏省高等学校自然科学研究重大项目(22KJA510005)。
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文摘
针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成建模,仿真结果显示,电压可调范围为5.5~55 V,输出5 V;负载电流为800 mA;低频电源抑制比为96 dB;1μs内负载电流从1 mA跳变到800 mA时,输出端最大上冲电压为26.6 mV,响应时间为8μs;下冲电压为45.4 mV,响应时间为7μs,满足车规级局域互联网(LIN)总线中高压LDO的性能要求。
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关键词
高压型低压差线性稳压器(LDO)
高压预调制
负载电流
摆率增强
电源抑制比(PSRR)
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Keywords
high voltage low dropout regulator(LDO)
high voltage pre-modulation
load current
slew rate enhancement
power rejection ratio(PSRR)
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分类号
TM44
[电气工程—电器]
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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