高压BCDMOS集成电路的工艺集成

对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符.

超高压BCD工艺中多晶硅电阻的可靠性分析及实现

多晶硅电阻由于其独特的温度特性及电迁移效应,阻值受温度和电流的影响很大,针对应用于超高压BCD工艺中的多晶硅电阻,其可靠性需进行特别分析和设计。通过对0.18μm 700 V BCD工艺中不同掺杂浓度多晶硅电阻的测试与分析,结合多晶硅结构、导电机制、焦耳热效应及电迁移理论,分析了焦耳热和电迁移对多晶硅电阻的影响,并实现了高压BCD工艺中高可靠性的多晶硅电阻。

高压BCD工艺优化对NLDMOS管的性能影响

基于SMIC 0.18μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板。调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片。该NLDMOS通过了电学性能合格测试。对源漏击穿电压BVds、比导通电阻Ron进行了测试和分析。结果表明,BVds达到59.2 V,Ron为50.5 mΩ·mm2。与原有的HVBCD工艺的电参数保持一致。该NLDMOS的栅极耐压值达到40 V,同时降低了成本,缩短了生产周期。

一种高压驱动器的抗辐射加固设计

随着星载雷达技术的发展,发射及接收(T/R)组件系统中的发射功率越来越高。高压调制驱动器配套功率开关PMOS管,作为T/R组件中大功率GaN功放的电源调制驱动,大大提高了T/R组件的集成度及可靠性。介绍了一款T/R组件系统中32V的高压调制驱动器,基于高压BCD工艺进行设计、流片,设计上通过选取合适的高压器件及器件工作电压,优化逻辑结构、版图器件隔离及布线等技术进行抗辐射加固。经过验证,产品达到了100krad(Si)总剂量指标及75MeV·cm^(2)/mg的单粒子指标。

超高压集成电路中的闩锁效应与仿真

研究超高压集成电路中的寄生闩锁效应问题。针对采用外延技术的BCD工艺,给出外延层材料电阻率、工艺和结构参数变化与寄生闩锁结构触发阈值之间的数量关系,并在分析研究的基础上,给出一种高触发耐量的合理设计方案。经仿真实验,证明了该方案的可行性。

用TCAD进行IC新工艺的开发

文章对集成电路工艺计算机辅助设计系统(TCAD虚拟FAB系统)做了简要介绍,指出了TCAD在新工艺开发中的地位,提出了利用TCAD进行新工艺开发的思想。以synopsys公司的TWB虚拟FAB系统为例,对TCAD用于新工艺的开发作了探讨,并给出了以此为平台进行700V高压BCD工艺设计的实例。

交流直接输入的LED照明驱动芯片研究与设计

本文设计了一种交流市电直接输入的LED照明驱动系统及芯片.该系统无需AC-DC变换器,同时具有功率因数校正的功能.采用高压BCD工艺进行电路设计和仿真,以脉宽调制(PWM)峰值电流的方式实现LED中电流跟随电压波形,达到提高功率因数的目的.整个系统无需使用大容量电解电容,可大大提高整个LED照明系统的工作寿命.驱动芯片结构简单,易于实现,无需复杂的数字处理单元.

嵌入式低压降线性稳压器设计与分析

以LDO内置在音频功率放大器等系统级芯片(SOC)中实现内部供电电源为目的,给出了一种简单的高精度、宽输入电压范围LDO线性稳压器,采用TSMC 0.6μm BCD高压工艺实现.与传统方法相比,该电路在温度系数、频率补偿、输出瞬态响应等关键参数指标上有所改进,输出电压作为内部供电电源所需具备的稳定性精度为±1.2%,最大输出负载电流为30 mA.

简单内置式低压降线性稳压器设计与分析

设计了一种高精度、宽输入电压范围LDO线性稳压器。电路采用0.6μm BCD高压工艺,所需版图面积小,可内置在功率放大器等系统级芯片中作为内部电源使用。与传统方法相比,该电路在频率补偿、输出瞬态响应等关键指标参数上有所改进,输出级作为内部供电电源所需具备的稳定性精度为±1.2%,最大输出负载电流为30mA。

一种用于LED驱动控制SOC的线性稳压源

设计了一种用于户外装饰照明类LED驱动控制SOC的线性稳压器LDO,将LED灯使用的12 V^40 V电源电压转换为SOC内部LED显示信号接收电路和LED驱动控制电路使用的5 V电压,并提供正常30 mA、最高100 mA的驱动电流。该LDO的设计基于CSMC 0.5μm 40 V高压BCD工艺在所有工艺角、-55℃~150℃温度范围和12 V^40 V电源电压范围下进行了仿真。结果表明,LDO输出默认情况下电压精度为≤±2.5%,而通过数字控制位Trim<3:1>对LDO的输出电压修正后,LDO输出电压精度可达≤±0.5%,该LDO在所有仿真条件下均可达到设计指标。