题名 高压BCDMOS集成电路的工艺集成
被引量:4
1
作者
马旭
邵志标
姚剑锋
张国光
机构
西安交通大学电信学院
佛山蓝箭电子有限公司
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011年第11期72-75,共4页
文摘
对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符.
关键词
高压bcd 集成电路
横向双扩散MOS器件
工艺集成
工艺兼用
Keywords
high voltage bcd MOS--IC
LDMOS
process integration
process compatible
分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 超高压BCD工艺中多晶硅电阻的可靠性分析及实现
被引量:1
2
作者
包飞军
曹刚
葛艳辉
石艳玲
陈滔
机构
华东师范大学信息科技与技术学院
上海华虹宏力半导体制造有限公司
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2015年第3期495-498,共4页
文摘
多晶硅电阻由于其独特的温度特性及电迁移效应,阻值受温度和电流的影响很大,针对应用于超高压BCD工艺中的多晶硅电阻,其可靠性需进行特别分析和设计。通过对0.18μm 700 V BCD工艺中不同掺杂浓度多晶硅电阻的测试与分析,结合多晶硅结构、导电机制、焦耳热效应及电迁移理论,分析了焦耳热和电迁移对多晶硅电阻的影响,并实现了高压BCD工艺中高可靠性的多晶硅电阻。
关键词
超高压bcd
多晶硅电阻
可靠性
焦耳热效应
电迁移
Keywords
EHV bcd
polysilicon resistor
reliability
Joule heating effect
electromigration
分类号
TN36
[电子电信—物理电子学]
题名 高压BCD工艺优化对NLDMOS管的性能影响
被引量:2
3
作者
代钢
牛健
姬濯宇
机构
中国科学院大学微电子学院
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第1期142-147,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61674167)
国家重点研发计划资助项目(2018YFB1500500,2018YFB1500200).
文摘
基于SMIC 0.18μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板。调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片。该NLDMOS通过了电学性能合格测试。对源漏击穿电压BVds、比导通电阻Ron进行了测试和分析。结果表明,BVds达到59.2 V,Ron为50.5 mΩ·mm2。与原有的HVBCD工艺的电参数保持一致。该NLDMOS的栅极耐压值达到40 V,同时降低了成本,缩短了生产周期。
关键词
高压bcd 工艺
NLDMOS
结构参数
击穿电压
比导通电阻
Keywords
high voltage bcd process
NLDMOS
structural parameter
breakdown voltage
specific on-resistance
分类号
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 一种高压驱动器的抗辐射加固设计
被引量:1
4
作者
蒋红利
江月艳
孙志欣
邵卓
钟涛
高欣宇
机构
中科芯集成电路有限公司
出处
《电子与封装》
2023年第8期56-62,共7页
文摘
随着星载雷达技术的发展,发射及接收(T/R)组件系统中的发射功率越来越高。高压调制驱动器配套功率开关PMOS管,作为T/R组件中大功率GaN功放的电源调制驱动,大大提高了T/R组件的集成度及可靠性。介绍了一款T/R组件系统中32V的高压调制驱动器,基于高压BCD工艺进行设计、流片,设计上通过选取合适的高压器件及器件工作电压,优化逻辑结构、版图器件隔离及布线等技术进行抗辐射加固。经过验证,产品达到了100krad(Si)总剂量指标及75MeV·cm^(2)/mg的单粒子指标。
关键词
高压 驱动器
电源调制
PMOS
抗辐射加固
高压bcd 工艺
Keywords
high-voltage driver
power modulation
PMOS
radiation-resistant strengthening
high-voltage bcd process
分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 超高压集成电路中的闩锁效应与仿真
被引量:2
5
作者
程东方
易志飞
机构
新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
上海大学微电子研发中心
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期365-368,共4页
基金
上海市国际科技合作基金资助项目(07SA03)
文摘
研究超高压集成电路中的寄生闩锁效应问题。针对采用外延技术的BCD工艺,给出外延层材料电阻率、工艺和结构参数变化与寄生闩锁结构触发阈值之间的数量关系,并在分析研究的基础上,给出一种高触发耐量的合理设计方案。经仿真实验,证明了该方案的可行性。
关键词
超高压 集成电路
闩锁效应
高压bcd
结构参数
触发阈值
Keywords
Very high voltage IC
Latchup effect
HV-bcd
Structure parameters
Triggering voltage
分类号
TN431
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 用TCAD进行IC新工艺的开发
被引量:6
6
作者
关彦青
程东方
王邦麟
机构
上海大学微电子研究与开发中心
出处
《微计算机信息》
北大核心
2006年第10S期131-133,169,共4页
基金
上海市教委的资助(编号20443)
文摘
文章对集成电路工艺计算机辅助设计系统(TCAD虚拟FAB系统)做了简要介绍,指出了TCAD在新工艺开发中的地位,提出了利用TCAD进行新工艺开发的思想。以synopsys公司的TWB虚拟FAB系统为例,对TCAD用于新工艺的开发作了探讨,并给出了以此为平台进行700V高压BCD工艺设计的实例。
关键词
虚拟FAB
工艺辅助设计
高压bcd 工艺
Keywords
Virtual FAB, TCAD, High voltage bcd process
分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 交流直接输入的LED照明驱动芯片研究与设计
被引量:1
7
作者
陈奇萌
魏廷存
李博
刘伟
詹思维
机构
西北工业大学计算机学院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2013年第2期117-120,123,共5页
基金
陕西省科技统筹创新工程计划项目(2011KTCQ01-22)
西北工业大学研究生创业种子基金(Z2012123)
文摘
本文设计了一种交流市电直接输入的LED照明驱动系统及芯片.该系统无需AC-DC变换器,同时具有功率因数校正的功能.采用高压BCD工艺进行电路设计和仿真,以脉宽调制(PWM)峰值电流的方式实现LED中电流跟随电压波形,达到提高功率因数的目的.整个系统无需使用大容量电解电容,可大大提高整个LED照明系统的工作寿命.驱动芯片结构简单,易于实现,无需复杂的数字处理单元.
关键词
LED照明
交流直接输入
高压bcd 工艺
脉宽调制
功率因数校正
Keywords
LED Lightings
AC--direct
high voltage bcd process
PWM
PFC
分类号
TN492
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 嵌入式低压降线性稳压器设计与分析
被引量:2
8
作者
来新泉
谢飞
郑重
机构
西安电子科技大学CAD所
出处
《电子器件》
CAS
2007年第4期1230-1233,共4页
基金
西安应用材料创新基金资助(XA-AM-200504)
文摘
以LDO内置在音频功率放大器等系统级芯片(SOC)中实现内部供电电源为目的,给出了一种简单的高精度、宽输入电压范围LDO线性稳压器,采用TSMC 0.6μm BCD高压工艺实现.与传统方法相比,该电路在温度系数、频率补偿、输出瞬态响应等关键参数指标上有所改进,输出电压作为内部供电电源所需具备的稳定性精度为±1.2%,最大输出负载电流为30 mA.
关键词
SOC
稳定性
LDO
密勒补偿
等效串联电阻(ESR)
bcd 高压 工艺
Keywords
SOC
stability
LDO
mill er compensation
equivalent series resistance (ESR)
bcd technology voltage
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 简单内置式低压降线性稳压器设计与分析
9
作者
刘萌
机构
商洛学院物理与电子信息工程系
出处
《科技资讯》
2009年第10期76-77,共2页
文摘
设计了一种高精度、宽输入电压范围LDO线性稳压器。电路采用0.6μm BCD高压工艺,所需版图面积小,可内置在功率放大器等系统级芯片中作为内部电源使用。与传统方法相比,该电路在频率补偿、输出瞬态响应等关键指标参数上有所改进,输出级作为内部供电电源所需具备的稳定性精度为±1.2%,最大输出负载电流为30mA。
关键词
LDO线性稳压器
TM32
密勒补偿
稳定性
等效串联电阻(ESR)
bcd 高压 工艺
分类号
TV7
[水利工程—水利水电工程]
题名 一种用于LED驱动控制SOC的线性稳压源
被引量:2
10
作者
潘芦苇
周莉
孙涛
陈鹏
高园园
机构
山东大学信息科学与工程学院
济南大学信息科学与工程学院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2014年第3期416-421,共6页
文摘
设计了一种用于户外装饰照明类LED驱动控制SOC的线性稳压器LDO,将LED灯使用的12 V^40 V电源电压转换为SOC内部LED显示信号接收电路和LED驱动控制电路使用的5 V电压,并提供正常30 mA、最高100 mA的驱动电流。该LDO的设计基于CSMC 0.5μm 40 V高压BCD工艺在所有工艺角、-55℃~150℃温度范围和12 V^40 V电源电压范围下进行了仿真。结果表明,LDO输出默认情况下电压精度为≤±2.5%,而通过数字控制位Trim<3:1>对LDO的输出电压修正后,LDO输出电压精度可达≤±0.5%,该LDO在所有仿真条件下均可达到设计指标。
关键词
LED驱动控制SOC
线性稳压器
工艺角
bcd 高压 工艺
数字控制位
Keywords
LED control and driver SOC
low drop-out regulator
process comer
bcd process
digital trim signal
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]