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高压BCDMOS集成电路的工艺集成 被引量：4
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作者 马旭 邵志标 +1 位作者 姚剑锋 张国光 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第11期72-75,共4页
对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果... 对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符. 展开更多
关键词 高压bcd集成电路 横向双扩散MOS器件 工艺集成 工艺兼用
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