英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代...英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装,电阻仅为99mΩ)在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。展开更多
近日,SiC晶圆代工龙头X-FAB发布公告称,公司计划出资2250万欧元(折合人民币约1.76亿元)收购M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited(以下简称M-MOS)的全部股份。据介绍,M-MOS是一家专注于MOSFET技术开发的无晶圆厂(Fabless)公司。M-MOS...近日,SiC晶圆代工龙头X-FAB发布公告称,公司计划出资2250万欧元(折合人民币约1.76亿元)收购M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited(以下简称M-MOS)的全部股份。据介绍,M-MOS是一家专注于MOSFET技术开发的无晶圆厂(Fabless)公司。M-MOS销往工业、消费和汽车市场的MOSFET晶圆主要由X-FAB生产。2022年,M-MOS的营收为3200万美元(折合人民币约2.29亿元)。此外,根据M-MOS官网信息,其还具备硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率分立器件技术研发能力。展开更多
文摘英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装,电阻仅为99mΩ)在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。
文摘近日,SiC晶圆代工龙头X-FAB发布公告称,公司计划出资2250万欧元(折合人民币约1.76亿元)收购M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited(以下简称M-MOS)的全部股份。据介绍,M-MOS是一家专注于MOSFET技术开发的无晶圆厂(Fabless)公司。M-MOS销往工业、消费和汽车市场的MOSFET晶圆主要由X-FAB生产。2022年,M-MOS的营收为3200万美元(折合人民币约2.29亿元)。此外,根据M-MOS官网信息,其还具备硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率分立器件技术研发能力。