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一种具有高增益和超带宽的全差分跨导运算放大器
被引量:
3
1
作者
罗杨贵
曾以成
+1 位作者
邓欢
唐金波
《中国集成电路》
2021年第3期45-50,共6页
基于GSMC 0.18um CMOS工艺,设计了一种应用于12位ADC的全差分运算放大器。为了提高增益,在套筒式共源共栅结构上运用了增益提高技术。为了提高输入跨导,采用隔离效果更好的深N阱CMOS作为输入端,从而提升增益带宽。为了降低功耗,利用单...
基于GSMC 0.18um CMOS工艺,设计了一种应用于12位ADC的全差分运算放大器。为了提高增益,在套筒式共源共栅结构上运用了增益提高技术。为了提高输入跨导,采用隔离效果更好的深N阱CMOS作为输入端,从而提升增益带宽。为了降低功耗,利用单端放大器作为辅助运放。整体电路结构简单优化。仿真结果表明,运算放大器直流开环增益大于100dB,单位增益带宽大于800MHz,相位裕度大于70°,完全满足目标ADC的性能要求,是一种新型且质量较高的运放,也可应用于其它场合。
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关键词
增益
提
高
套筒式共源共栅
高增益带宽
深N阱
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职称材料
低噪声高单位增益带宽双极型运放设计
被引量:
2
2
作者
倪雪梅
成立
+3 位作者
杨宁
严鸣
凌新
周洋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期388-392,共5页
设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pn...
设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pnp型BJT用以提升单位增益带宽;输出级则设计成低电容输入和低电容输出方式,借此拓展带宽。对所设计的运放电路进行了PSPICE仿真及硬件电路实验。结果表明,当电源电压为2.5 V时,运放电路的实测交流开环电压增益为80 dB,开环相位裕度为61.5°,单位增益带宽为203 MHz,在10 kHz处的输入电压噪声密度仅为1.2 nV/Hz^(1/Hz),因而可用于低噪声、高单位增益带宽的片上相位噪声测量电路和微波功率传感器等系统的设计中。
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关键词
锗硅
双极型晶体管
三级级联运算放大器
低噪声
高
单位
增益
带宽
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职称材料
低压低功耗电流反馈运算放大器设计
3
作者
王丽娜
陈向东
+1 位作者
李沁莲
梁建
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011年第6期193-196,共4页
基于第三代电流传输器,通过在放大级与输出之间采用隔离补偿电容,以消除低频零点的方式,设计了一种新型的低压低功耗的电流反馈运算放大器.基于TMSC 0.35μmCMOS工艺,在1.5 V电源电压工作条件下,采用Hspice在LEVEL49模型参数下对整个电...
基于第三代电流传输器,通过在放大级与输出之间采用隔离补偿电容,以消除低频零点的方式,设计了一种新型的低压低功耗的电流反馈运算放大器.基于TMSC 0.35μmCMOS工艺,在1.5 V电源电压工作条件下,采用Hspice在LEVEL49模型参数下对整个电路进行仿真.仿真结果:直流增益96.3 dB,单位增益带宽765 MHz,静态功耗0.82 mW,闭环工作状态下有64.3 MHz的固定带宽.
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关键词
高增益带宽
电流反馈运算放大器
固定
带宽
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职称材料
全差分结构低功耗CMOS运算放大器设计
被引量:
3
4
作者
肖莹慧
《沈阳工业大学学报》
EI
CAS
北大核心
2017年第6期670-674,共5页
为了减小低电源电压以及短沟道效应对放大器的影响,获得低电压高增益的放大器,提出了一种基于65 nm CMOS工艺技术的全差分运算跨导放大器(OTA).采用基于增益增强技术的折叠共源共栅拓扑结构,使放大器具有轨到轨输入及大输出摆幅特性,同...
为了减小低电源电压以及短沟道效应对放大器的影响,获得低电压高增益的放大器,提出了一种基于65 nm CMOS工艺技术的全差分运算跨导放大器(OTA).采用基于增益增强技术的折叠共源共栅拓扑结构,使放大器具有轨到轨输入及大输出摆幅特性,同时兼备高速、高增益及低功耗优点.电路仿真结果表明,其直流增益为82 d B,增益带宽为477 MHz,相位裕度为59°.正常工艺角下稳定时间为10 ns,稳定精度为0.05%,而功耗仅为4.8 m W.
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关键词
CMOS集成电路
增益
增强
运算跨导放大器
高
速
高
增益
低功耗
折叠共源共栅结构
高增益带宽
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职称材料
CMOS1.4THzΩ155Mb/s光接收机差分跨阻前置放大器
被引量:
6
5
作者
田俊
王志功
+3 位作者
梁帮立
熊明珍
施毅
郑有炓
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期1486-1490,共5页
采用本土 CSMC 0 .6μm标准 CMOS技术设计实现了一种用于光纤用户网的 CMOS跨阻前置放大器 .电路采用差分结构以提高共模抑制比 ,减小高频下电源波动和寄生反馈通路的干扰 ,抑制衬底耦合噪声和温漂 ,从而有效抑制前置放大器的噪声 .同...
采用本土 CSMC 0 .6μm标准 CMOS技术设计实现了一种用于光纤用户网的 CMOS跨阻前置放大器 .电路采用差分结构以提高共模抑制比 ,减小高频下电源波动和寄生反馈通路的干扰 ,抑制衬底耦合噪声和温漂 ,从而有效抑制前置放大器的噪声 .同时前置放大器为双端输出 ,易与后面差分结构的主放大器级联 ,无需单端 -双端转换电路和片外元件 ,电路结构更为简单 ,实现了单片集成 .电路采用单级放大结构 ,比通常的多级电路更为稳定 .测试结果表明 ,前置放大器在 5 V电源电压下增益 -带宽积可达 1.4 THzΩ,等效输入电流噪声为 1.81p A/ Hz,可稳定工作在 15 5 Mb/ s(STM- 1)
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关键词
跨阻前置放大器
差分结构
高
增益
-
带宽
积
低噪声
低成本
下载PDF
职称材料
题名
一种具有高增益和超带宽的全差分跨导运算放大器
被引量:
3
1
作者
罗杨贵
曾以成
邓欢
唐金波
机构
湘潭大学物理与光电工程学院
湖南毂梁微电子有限公司
出处
《中国集成电路》
2021年第3期45-50,共6页
文摘
基于GSMC 0.18um CMOS工艺,设计了一种应用于12位ADC的全差分运算放大器。为了提高增益,在套筒式共源共栅结构上运用了增益提高技术。为了提高输入跨导,采用隔离效果更好的深N阱CMOS作为输入端,从而提升增益带宽。为了降低功耗,利用单端放大器作为辅助运放。整体电路结构简单优化。仿真结果表明,运算放大器直流开环增益大于100dB,单位增益带宽大于800MHz,相位裕度大于70°,完全满足目标ADC的性能要求,是一种新型且质量较高的运放,也可应用于其它场合。
关键词
增益
提
高
套筒式共源共栅
高增益带宽
深N阱
Keywords
Gain enhancement
Telescopic cascode
High gain bandwidth
Deep N_well
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
低噪声高单位增益带宽双极型运放设计
被引量:
2
2
作者
倪雪梅
成立
杨宁
严鸣
凌新
周洋
机构
江苏大学电气与信息工程学院
镇江市
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期388-392,共5页
基金
国家"863"计划项目(2006AA10Z258)
文摘
设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pnp型BJT用以提升单位增益带宽;输出级则设计成低电容输入和低电容输出方式,借此拓展带宽。对所设计的运放电路进行了PSPICE仿真及硬件电路实验。结果表明,当电源电压为2.5 V时,运放电路的实测交流开环电压增益为80 dB,开环相位裕度为61.5°,单位增益带宽为203 MHz,在10 kHz处的输入电压噪声密度仅为1.2 nV/Hz^(1/Hz),因而可用于低噪声、高单位增益带宽的片上相位噪声测量电路和微波功率传感器等系统的设计中。
关键词
锗硅
双极型晶体管
三级级联运算放大器
低噪声
高
单位
增益
带宽
Keywords
SiGe
BJT
three stage operational amplifier
low-noise
high unity-gain-bandwidth
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
TN72 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
低压低功耗电流反馈运算放大器设计
3
作者
王丽娜
陈向东
李沁莲
梁建
机构
西南交通大学信息科学与技术学院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011年第6期193-196,共4页
文摘
基于第三代电流传输器,通过在放大级与输出之间采用隔离补偿电容,以消除低频零点的方式,设计了一种新型的低压低功耗的电流反馈运算放大器.基于TMSC 0.35μmCMOS工艺,在1.5 V电源电压工作条件下,采用Hspice在LEVEL49模型参数下对整个电路进行仿真.仿真结果:直流增益96.3 dB,单位增益带宽765 MHz,静态功耗0.82 mW,闭环工作状态下有64.3 MHz的固定带宽.
关键词
高增益带宽
电流反馈运算放大器
固定
带宽
Keywords
high-gain bandwidth
current feedback operational amplifier
fixed bandwidth
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
全差分结构低功耗CMOS运算放大器设计
被引量:
3
4
作者
肖莹慧
机构
中南财经政法大学武汉学院
出处
《沈阳工业大学学报》
EI
CAS
北大核心
2017年第6期670-674,共5页
基金
中国博士后科学基金资助项目(2015T80797)
文摘
为了减小低电源电压以及短沟道效应对放大器的影响,获得低电压高增益的放大器,提出了一种基于65 nm CMOS工艺技术的全差分运算跨导放大器(OTA).采用基于增益增强技术的折叠共源共栅拓扑结构,使放大器具有轨到轨输入及大输出摆幅特性,同时兼备高速、高增益及低功耗优点.电路仿真结果表明,其直流增益为82 d B,增益带宽为477 MHz,相位裕度为59°.正常工艺角下稳定时间为10 ns,稳定精度为0.05%,而功耗仅为4.8 m W.
关键词
CMOS集成电路
增益
增强
运算跨导放大器
高
速
高
增益
低功耗
折叠共源共栅结构
高增益带宽
Keywords
CMOS integrated circuit
gain enhancement
operational transconductance amplifier
high speed
high gain
low power
folded-cascode structure
high gain bandwidth
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
CMOS1.4THzΩ155Mb/s光接收机差分跨阻前置放大器
被引量:
6
5
作者
田俊
王志功
梁帮立
熊明珍
施毅
郑有炓
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
南京大学物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期1486-1490,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6982 5 10 1和 60 2 2 5 0 14 )~~
文摘
采用本土 CSMC 0 .6μm标准 CMOS技术设计实现了一种用于光纤用户网的 CMOS跨阻前置放大器 .电路采用差分结构以提高共模抑制比 ,减小高频下电源波动和寄生反馈通路的干扰 ,抑制衬底耦合噪声和温漂 ,从而有效抑制前置放大器的噪声 .同时前置放大器为双端输出 ,易与后面差分结构的主放大器级联 ,无需单端 -双端转换电路和片外元件 ,电路结构更为简单 ,实现了单片集成 .电路采用单级放大结构 ,比通常的多级电路更为稳定 .测试结果表明 ,前置放大器在 5 V电源电压下增益 -带宽积可达 1.4 THzΩ,等效输入电流噪声为 1.81p A/ Hz,可稳定工作在 15 5 Mb/ s(STM- 1)
关键词
跨阻前置放大器
差分结构
高
增益
-
带宽
积
低噪声
低成本
Keywords
transimpedance preamplifier
differential configuration
high bandwidth transimpedance gain product
low-noise
low cost
分类号
TN851 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种具有高增益和超带宽的全差分跨导运算放大器
罗杨贵
曾以成
邓欢
唐金波
《中国集成电路》
2021
3
下载PDF
职称材料
2
低噪声高单位增益带宽双极型运放设计
倪雪梅
成立
杨宁
严鸣
凌新
周洋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
下载PDF
职称材料
3
低压低功耗电流反馈运算放大器设计
王丽娜
陈向东
李沁莲
梁建
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
4
全差分结构低功耗CMOS运算放大器设计
肖莹慧
《沈阳工业大学学报》
EI
CAS
北大核心
2017
3
下载PDF
职称材料
5
CMOS1.4THzΩ155Mb/s光接收机差分跨阻前置放大器
田俊
王志功
梁帮立
熊明珍
施毅
郑有炓
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
6
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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