高定向排列熔喷非织造材料H-O-M柔软性评价

为了准确评价高定向排列熔喷非织造材料柔软性能,提高其在多个领域的应用潜力。利用Handle-OMeter(H-O-M)柔软性测试法获得样品不同纤维排列方向的力值-位移曲线,对曲线进行分析后得到关于样品力学特性特征值,并建立柔软得分计算公式,获得样品H-O-M柔软性评价得分。结果表明:样品纵横向柔软性得分具有明显差异,柔软性得分最大差值为37.971,说明纤维排列对样品柔软性能影响较大。最后,将样品的HO-M柔软性评价得分结果与Phabr-Ometer柔软测试得分和主观评价得分进行比较分析,说明三种柔软性测试方法结果规律性一致,也期望该方法为高定向排列熔喷非织造材料的柔软性评价提供新的思路。

高定向导热炭材料的研究进展

微电子及通讯技术领域的快速发展对热管理材料提出了更高要求,迫切需要设计和开发高定向导热炭材料。高定向炭材料因其较高的石墨微晶结晶度和石墨化度、有序规整堆叠的石墨烯层片,而具有典型的各向异性高导热特性。粉末状炭材料(如鳞片石墨、气相生长炭纤维、纳米碳管、石墨烯等)的热导率虽然很高,但作为导热填料制备的复合材料的整体导热效果不佳,因此其在大型高功率集成器件散热领域的应用会受到一定限制。控制炭材料内部石墨微晶大小、取向和取向连续性是实现炭材料高定向导热性的关键。通过选择合适的碳质前驱体、成型工艺和热处理条件,调控石墨烯层片连续取向得到的宏观尺寸炭材料(如柔性石墨、天然鳞片石墨模压块、高定向热解石墨、聚酰亚胺石墨膜/块体、中间相沥青基炭纤维连续长丝及其复合材料等),可使石墨晶体沿(002)晶面方向保持高导热特性,实现高定向、连续、多维度可调控热传导,因此在导热、散热、热防护等领域具有广阔的应用市场。

高定向石墨块的控制制备及其导热性能影响因素研究

以廉价易得的高结晶度天然鳞片石墨(NG)和中间相沥青为原料,采用中温热模压一次成型再高温炭化、石墨化处理可以制备高密度、高定向、高导热石墨块体材料。XRD、SEM和PLM分析表明该石墨块具有高度择优取向结构,其内部石墨片垂直热压方向有序堆积排列。原料中鳞片石墨和沥青粘结剂的组成和配比以及制备工艺参数等对所制石墨材料的面向导热性能有显著影响。采用86wt%+32目鳞片石墨和14wt%AR中间相沥青在500℃、10 MPa下热模压成型的炭块经1000℃炭化、2800℃石墨化后样品的热物理综合性能较好,其体积密度达到1.91 g/m3以上,室温面向热导率为550 W/(m·K),3000℃石墨化室温面向热导率高达620 W/(m·K)。

切削微角锥棱镜型超高定向反射膜的分析与测试

采用几何光学法对切削微角锥棱镜薄膜结构单元的反射特性进行理论分析,采用光学仿真软件对该结构单元的反光性能进行模拟验证,并与传统微角锥棱镜薄膜结构单元进行对照.结果表明,理论中,当平行光垂直于结构底面入射并忽略吸收时,该切削结构薄膜单元可实现完全定向反射,而相同条件下,传统微角锥棱镜结构薄膜单元定向反射率为66.7%.模拟仿真的定向反射率分别是92.3%和62.4%.建立了薄膜定向反射率测量方法,对具有上述两种结构单元的薄膜样品的定向反射率进行测试,测试结果分别为67.8%和39.5%.

一种高定向性宽频带微带定向耦合器的研究

常规微带耦合器的定向性比带状线耦合器的定向性差 ,有多种方法可以改善微带耦合器的定向性。本文在分析了 1/4波长微带耦合器接补偿电容时的带宽和定向性的基础上 ,提出了一种高定向性、宽频带微带耦合器的设计方法。

水热法制备高定向掺铝氧化锌纳米棒阵列

为了制备高定向光电性能优异的掺铝氧化锌(ZAO)纳米棒阵列,采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺铝氧化锌薄膜,以ZAO薄膜为种子层,通过控制掺铝量、稳定剂等工艺参数,采用水热法制备出了高定向ZAO纳米棒阵列。实验表明,铝掺杂量为2%,直径在50nm左右的ZAO纳米棒阵列薄膜具有最好的光致发光性能,表面活性剂可以促进ZAO纳米结构的棒状生长,形成高定向ZAO纳米棒阵列。

高定向性微带定向耦合器的研究

常规微带耦合器的定向性较差,一般低于15 dB,本文从理论上分析了补偿电容型微带耦合器,在任意频带和带宽的高定向性特性(大于20dB),提出了一种高定向性微带耦合器的设计方法,以实例验证了其预期效果。

高定向石墨表面激光溅射硼及超结构的扫描隧道显微镜观察

利用扫描隧道显微镜直接观察到了在高定向石墨（HOPG）表面激光溅射硼的赋存状态，分析了HOPG表面亮点和黑洞的形成原因；

高定向热解石墨表面超大结构的扫描隧道显微镜研究

用扫描隧道显微镜（STM）对高定向热解石墨（HOPG）表面的超大结构进行了研究，观察到的超大结构是2．4～5．7mn，峰与峰之间的距离为1．0～3．8A^°，相对于HOPG表面的原子结构转动30°角．推测这种超大结构足由于电解质和溶剂小分子嵌入HOPG表面层所引起层间相互作用改变引起的表面电子态变化．

Ar离子轰击高定向石墨表面结构变化的X射线光电子能谱分析

用X射线光电子能谱(XPS)研究了3.0keVAr离子轰击高定向裂解石墨(HOPG)引起的表面结构的变化。通过对C1s、CKLL及C2s谱峰形状的定性和定量分析,表明Ar离子轰击将破坏共价π键并导致表面局域sp2杂化C键向sp3杂化C键转化。sp3/sp2之比依赖于离子轰击时间。

基于零折射率超材料的高定向性微带天线

研究了一种基于平面网格状零折射率超材料的高定向性微带天线。利用超材料结构的平均效应实现了在10.24 GHz处介电常数为零,进而实现了超材料的折射率为零。实验结果表明,利用零折射率超材料对波束产生汇聚作用,使微带天线的定向性明显增强,E面、H面半功率波束宽度分别收缩了56.67°和26.60°,侧向辐射明显减弱,天线的增益提高了3.80 dB。

高定向石墨材料的研究进展

普通石墨材料由于制备工艺条件、原料组成等多方面的原因,其导电和导热性能均不能满足日益发展的高科技领域的要求。作为高导热石墨材料的一种,热解石墨因其高定向性及具有许多特殊的物理化学性能(如各向异性显著、良好的传导性能等),在许多领域更显示了其不可替代的优越性能,在宇航、微电子、机械及仪表、医疗等工业部门中获得了广泛应用。特别是在单色器方面的应用,促使越来越多的人开始进行这方面的研究。但热解石墨的生产工艺条件要求较高,因此,通过其他途径来制取高定向石墨,扩大其应用范围具有很重要的意义,这也是炭素材料工作者长期以来的研究方向。

一种新型高定向膜状炭的制备方法——蒙脱土层间嵌入化合物炭化法

一、前言由于优质的天然石墨资源的有限性,人们正在努力开发各种合成高定向石墨炭的工艺过程。但是,迄今为止,只有高定向热解石墨和集结石墨具有或接近理想石墨的晶体结构。可是,高定向热解石墨的制备需在高温,高压下进行(3500℃,25MPa);反应条件十分苛刻,并且产品成型十分困难,而集结石墨仅是金属冶炼过程的一种付产品,它是在熔融铁缓慢冷却时,在铁表面集结的石墨碳,常常含有杂质且晶体含有缺陷。至于高定向膜状碳的制备则报道更少,最近,Ohnishi等人及Murakami等人报道了可用特殊聚合物制备高定向膜状碳。

THz无线通信系统高定向光学发射器性能分析

为提高太赫兹无线通信系统的传输距离,设计了带有高增益天线和波导输出光电二极管模块的光学发射器。分析了含有HEMT和不含HEMT的WG-PM输出功率与光电流、输出功率与信号频率的关系,对比了四种光学发射器的BER特性,理论计算了发射器的最大传输距离。分析结果显示:该WG-PM在120GHz时的3dB带宽大于16GHz,采用此发射器的无线通信系统传输距离可达到500m。

高定向热解石墨对铯的吸附行为研究

为处理核反应堆中的放射性废物137 Cs,采用高定向热解石墨对铯的吸附行为进行了研究。利用双室法进行石墨吸铯的实验结果显示,高定向热解石墨在600℃下具有最佳的吸铯性能,吸铯后最大的质量增加比可达130%。

简易高定向耦合器

随着相控阵雷代的发展,系统对耦合器定向性提出了较高的要求。尤其是现代相控阵大型雷达中使用的耦合器数量会较多,为了保证定向性,增大生产过程中的精度控制及加长调试时间是常用的方法,而这并不适应批生产。文中提出了一种较为简易的方法来提高耦合器的定向性,而且并不影响其批生产性,实际的工程制作也验证了其可行性。

酞菁氧钒分子及纳米簇在高定向石墨表面的自组装(英文)

报导了酞菁氧钒(VOPc)分子及其纳米簇在高定向石墨(HOPG)表面的自组装.在室温下,将HOPG浸入含有VOPc纳米簇(2-20nm)和VOPc分子(约为10-3g·L-1)的1,2-二氯乙烷胶体溶液中,VOPc分子在HOPG表面自组装形成单分子层(SAM),VOPc纳米簇在上述SAM表面进行尺寸选择性自组装.组装于VOPc单分子层表面的纳米簇的粒径为(4.60±0.47)nm.扫描隧道显微镜研究表明,随着酞菁氧钒胶体溶液浓度由2.5×10-2g·L-1增至2.5×10-1g·L-1,组装于SAM表面的VOPc纳米粒子的数量逐渐增多,最终形成稠密的单层粒子组装体.本文提供的自组装结构及方法在发展光电功能体系等方面具有潜在应用价值.

退火对高定向热解石墨的输运特性的影响

研究了退火对磁场诱导下高定向热解石墨(HOPG)输运特性的影响,结果表明,退火后HOPG的R-T曲线明显变得光滑,且退火后电阻率增大了近50%,相应温度下的磁电阻效应均减小约40%。分析认为,这是由于HOPG内部存在层错与所含杂质缺陷引起的。磁场下电阻率随温度的变化表明,外加磁场对低温下的金属导电行为存在抑制作用,随着外加磁场的增加,低温下的金属导电行为受到抑制,在H=5.57×104A/m时,低温下的绝缘体-金属转变(I-M)被完全抑制,呈半导体性质。随着磁场的继续增加,在磁场高于H=9.24×105A/m时再次出现绝缘体-金属转变,即再入型金属导电行为,且退火对这一转变过程没有影响,表明这种绝缘体-金属转变是由外加磁场诱导产生的。

高定向纳米金刚石膜的高功率微波等离子体化学气相沉积研究

采用高功率微波等离子体化学气相沉积法制备了高定向的纳米金刚石膜,研究了制备过程中促进<100>高定向纳米金刚石膜的生长条件与生长规律间的关联,并采用扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪对在不同实验条件下选择相同的氮气和氧气添加比例所制备的样品形貌、光学性质和晶向织构进行表征分析.研究结果表明,<100>高定向纳米金刚石膜的形成是各种生长条件的综合效应,相同的氮气和氧气添加并非是其形成的必然条件.