钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究

铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能 :高的介电常数 ,较低的介电损耗 ,好的绝缘漏电性能 ;而且 ,通过调节材料中的Ba/Sr成分比 ,可改变材料的居里相变温度TC,以满足特定应用环境的温度需要 ,在超高密度集成的动态随机存储器 (DRAM)方面表现出广阔的应用前景 .文章概括介绍了BaxSr1-xTiO3 薄膜材料在DRAM应用中已取得的最新研究进展 。

动态随机存储器IC芯片制造技术的进展与展望

介绍了DRAM 0.1mm特征尺寸理论极限的突破及相关技术进展,以及各种非易失性随机存储器(NVRAM)如FeRAM,相变RAM,MRAM。现今PC中的RAM很快将被NVRAM所取代,从而可缩短PC的启动时间。

同步动态随机存储器辐射效应测试系统研制

在分析同步动态随机存储器(SDRAM)辐射效应主要失效现象的基础上,研制了具备了读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究。结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器件的数据保持时间不断减小,功耗电流不断增大以及读写功能失效。实验样品MT48LC8M32B2的功能失效主要由外围控制电路造成,而非存储单元翻转。数据保持时间虽然随着辐照剂量的累积不断减小,但不是造成该器件功能失效的直接原因。

动态随机存储器中堆叠电容器结构的互连寄生电容模拟

在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求 .本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高 ,速度快 ,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件 ,并通过实例计算 。

同步动态随机存储器的控制器设计与实现

为了满足不同平台的需求,简化同步动态随机存储器(SDRAM)的控制器,采用现场可编程门阵列(FPGA)方法,给出一种SDRAM控制器设计方案。引入的仲裁机制可以用Verilog硬件描述语言编写,灵活性强,只需加以简单修改即可满足不同需求。仿真结果表明,采用基于FPGA设计的SDRAM控制器能很好完成规定读写操作。

动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留的去除工艺

动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱(XRF)、扫描电镜(SEM)等检测分析手段优化硅/钨原子组成比为2.45.透射电镜(TEM)及电性参数测试结果表明,经30s、1000℃快速热处理可获得方块阻值为12Ω/cm2的硅化钨,且可刻蚀性能好.在硅化钨刻蚀前利用电子束扫描发现,15min的氢氟酸和10min浓硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)在300W超声波条件下的新湿法清洗工艺,能去除84.7%的表面微粒及残留聚合物.整合上述优化工艺可以将硅化钨残留造成的65nm动态随机存储器芯片失效率由31.3%降到1.9%,为研究下一代产品提供有效借鉴.

Flash和PSRAM结合构成的高密度低功耗新型随机存取存储器

新型MCP产品IS75V16F64GS16和IS75V16F64GS32是将64Mbit NOR-type Flash和16 Mbit/32 Mbit的PSRAM相结合所构成的高密度、低功耗随机存取存储器。这种先进的存储器解决方案是专门针对移动通信要求高性能、低功耗和小电路板的应用而开发的。

动态随机存储器刷新的分析

动态随机存储器的存储位元是基于电容器上的电荷量来存储数据的。这个电荷量会随着时间而减少,导致存储的数据丢失。为了保持数据的完整性,必须定期对电容上的电荷进行恢复和刷新。文章主要讨论关于DRAM刷新最常见的问题。首先介绍了两种基本的刷新方式,分散式刷新和集中式刷新;然后介绍三种实现刷新的方法:RAS#-only刷新,CAS#-befbre-RAS#刷新和隐蔽刷新。

同步动态随机存储器的发展研究

以SDRAM为基础采用DLL技术,并对时钟信号进行两次抓取资料,形成DDR技术。在时钟频率达到400MHZ以后,对内存内部技术和外部结构进行了一系列的改进发展,形成DDRⅡ,使内存与CUP的发展相适应。

动态随机存储器中基于混合策略的节能算法

动态随机存储器(DRAMs)是手持式设备的重要组件。由于需要进行刷新,因此,即使设备处于待机状态,存储器也会消耗大量能量。提出了一种基于纠错码和冗余策略的混合算法(HEAR)以降低待机状态下DRAMs的刷新功率。HEAR电路由BCH码模块和错位修复(EBR)模块构成,以提高纠错能力,尽量降低ECC技术的负面效应,进而有效延长刷新周期,显著降低刷新功耗。分析结果表明,HEAR策略可使待机状态下的2GbDDAM存储器节约能耗40-70%。奇偶校验数据的面积成本和HEAR策略的ECC电路分别只有单独使用ECC策略的63%和53%。

一种新型高速嵌入式动态随机存储器

基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写"0"操作通过正向偏置二极管实现,而写"1"操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现。由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用。

电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究

以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁。实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障,且以多故障为主。分析发现,电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障。另外,该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥,证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁,展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义。

基于FPGA的同步动态随机存储器细分系统研究

介绍了一种使用FPGA处理光栅信号的高倍数辨向细分电路。使用了Verilog语言编写状态机对信号进行了准确辨向并对细分数据进行计数处理。使用了同步动态随机存储器(SDRAM)代替了只读存储器作为硬件查表法的器件,因此该电路响应速度快,动态范围宽,适用于高速数据采集系统。使用FPGA作为逻辑控制器与计数器,电路简单、处理迅速、可靠性高。该电路有助于相关角度值的测量与校准工作。

三星电子宣布第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器问世

据韩联社报道，三星电子宣布开发出了世界第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器（DRAM）半导体。

动态随机存储器新动向

美国Rambus Inc.已策划出Direct Rambus DRAM规范,其目标是瞄准1999年度PC机主存储器市场。这是备有高速接口的DRAM(Direct Rambus DRAM)规范,美国Intel Corp.将于1999年投放市场的PC机用外围LSI电路里,决定嵌入Direct Rambus DRAM的接口电路。世界著名的DRAM厂家有13家鉴于此情,纷纷领取Direct Rambus DRAM生产许可证。

1.25VRDIMM：动态随机存取存储器

三星电子推出采用30纳米级企业服务器1．25V16GBDDR3RDIMM（RegisteredDualInlineMemoryModule）产品。

最高密度4Mb可变电阻式存储器

4Mb ReRAM（可变电阻式存储器）产品MB85AS4MT是富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM存储器产品，实现了目前业内的最高密度。此全新产品适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备，例如助听器等需要高密度且低功耗的电子设备。

高密度铁电阻变存储器研究获重大进展

移动硬盘读写速度太慢？随身U盘容量不够？电子标签逐一扫描费时？这些日常生活中与数据相关的问题，其实都与“存储器”有关。3月1日，复旦大学对外发布，复旦大学信息科学与工程学院微电子学系江安全教授在高密度铁电阻变存储器（Ferro—RRAM）的研究中取得重大进展，

中科院阻变存储器高密度集成研究获进展

中国科学院微电子研究所的研究人员在阻变存储器（RRAM）高密度集成研究方面取得新进展，提出了一种与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺完全兼容、具有高均一性的高性能选通器件，为两端结构电阻型存储器的高密度三维集成提供了解决方案。