宽带RF-MEMS开关驱动电压的分析研究

根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提供了有意义的探讨。

ICP-CVD制备高质量疏水性碳氟聚合物薄膜的研究

在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为400 W,c-C4F8的流量为40 sccm时,制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。

真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

Y2000-62135-149 0020140采用高密度等离子体化学汽相淀积氧化物电介质的窄铝金属化过程中感应金属空隙形成机制=A mecha-nism of stress-indueed metaI void in narrow Aluminum-brised metallization with the HDP CVD oxide dielectric[会,英]/Lee,S.G.& Oh,H.-S.//1999 IEEE Pro-ceedirigs of Internationai Interconnect Technology Con-ference.-149～151(EC)

电子束器件、阴极射线管

0210541硅微通道板电子倍增器〔刊〕/端木庆铎//电子学报.-2001,29(12).-1680～1682(K) 本文采用感应耦合等离子体刻蚀机(ICP)和低压化学气相淀积(LPCVD)技术制备了硅微孔列阵和连续打拿极,得到具有一定性能的硅微通道板。同时分析讨论了微孔列阵的表面形貌、反应离子刻蚀的尺寸效应以及电子增益系数等问题。与传统工艺相比。