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低气压高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究 被引量:1
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作者 杨银堂 王平 +4 位作者 柴常春 付俊兴 徐新艳 杨桂杰 刘宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期359-365,共7页
低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入... 低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入射粒子流的遮蔽效应和中性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数的影响 ,使得模拟结果的准确性大大提高。论文最终还给出了要获得各向异性刻蚀的 e VS/k Ti 和 Γn0 /Γi0 展开更多
关键词 高密度等离子体刻蚀工艺 低气压 刻蚀轮廓 数值模拟 离子流通量 物理模型 刻蚀速率
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基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术 被引量:1
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作者 王巍 兰中文 +1 位作者 吴志刚 姬洪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z2期105-108,共4页
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的 OES 终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工... 高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的 OES 终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求.讨论 IEP 终点检测技术的原理,针对多晶硅栅的等离子体刻蚀工艺,讨论了 IEP 终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用,IEP 预报式终点检测技术已经运用在新近研发的 HDP 刻蚀机的试验工艺上,最后对 IEP 终点检测技术未来的发展趋势进行了展望. 展开更多
关键词 IEP 高密度等离子体 刻蚀工艺 终点检测
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应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展 被引量:3
3
作者 王平 杨银堂 +1 位作者 徐新艳 杨桂杰 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期274-281,共8页
本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行... 本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行参数上对其进行了比较。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 研究进展 高密度等离子体 电子回旋共振 感应耦合等离子体 螺旋波等离子体 生产工艺
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高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术 被引量:2
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作者 王巍 叶甜春 +2 位作者 陈大鹏 刘明 李兵 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期236-239,244,共5页
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。目前已经开发出许多终点检测技术。文章讨论了终点检测技术的原理,综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术—OES和IEP—的最新进展,讨论了终点检测技术在深亚微米... 高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。目前已经开发出许多终点检测技术。文章讨论了终点检测技术的原理,综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术—OES和IEP—的最新进展,讨论了终点检测技术在深亚微米等离子体刻蚀工艺中的应用,以及所面临的挑战。 展开更多
关键词 等离子体 刻蚀工艺 终点检测 OES IEP
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高密度等离子体淀积工艺对颗粒度的影响 被引量:1
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作者 顾梅梅 李洪芹 《上海工程技术大学学报》 CAS 2016年第2期122-127,共6页
高密度等离子体(High Density Plasma,HDP)淀积工艺具有卓越的沟槽填充性能,广泛应用于深亚微米及更先进的集成电路制造的关键工艺环节.由于其淀积与溅射相结合的工艺特点,HDP中颗粒水平直接影响器件量产的良率与可靠性,是HDP工艺中的... 高密度等离子体(High Density Plasma,HDP)淀积工艺具有卓越的沟槽填充性能,广泛应用于深亚微米及更先进的集成电路制造的关键工艺环节.由于其淀积与溅射相结合的工艺特点,HDP中颗粒水平直接影响器件量产的良率与可靠性,是HDP工艺中的最大问题.针对集成电路量产工艺中频繁出现的HDP颗粒问题,通过分析HDP淀积颗粒成分,发现其中含有非反应气体成分氟(F)和铝(Al).利用等离子体中的氧离子修复工艺设备的腔室穹顶,降低由于预淀积薄膜黏附不足而造成剥离性颗粒;研发出氧气(O_2)钝化工艺,应用于硅片淀积间隙的腔室原位清洗工艺;通过实验设计,分析和优化O_2钝化的具体工艺条件.研究表明,将优化后的带有O_2钝化的原位清洗工艺方案应用于集成电路实际量产制造,HDP工艺的颗粒水平整体降低50%. 展开更多
关键词 高密度等离子体 化学气相淀积 淀积工艺 颗粒度
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高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺 被引量:3
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《中国集成电路》 2007年第2期65-67,61,共4页
随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制... 随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求,其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护,包括浅槽隔离(Shallow—Trench—Isolation),金属前绝缘层(Pre—Met—al—Dielectric),金属层间绝缘层(Inter—Metal—Dielec—tric)等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 展开更多
关键词 等离子体化学气相淀积 制造工艺 高密度 超大规模集成电路 Metal 半导体技术 晶体管数量 半导体器件
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“一百纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”项目验收
7
《纳米科技》 2006年第5期50-50,共1页
国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”,9月28日在北京通过了科技部与北京市组织的项目验收。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售,标志着我国集成电路制造核心装备... 国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”,9月28日在北京通过了科技部与北京市组织的项目验收。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售,标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破,在该领域自主创新和产业化上又迈出了可喜的一步。 展开更多
关键词 高密度等离子体 离子注入机 项目验收 大角度 刻蚀 集成电路制造 国家863计划 纳米
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电子回旋共振CF_4+O_2等离子体中Si_3N_4刻蚀工艺研究
8
作者 徐新艳 汪家友 +3 位作者 杨银堂 付俊兴 柴常春 王平 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期425-428,共4页
在一台自行研制的电子回旋共振 (ECR)刻蚀系统中用CF4、O2 气体实现了Si3 N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2 含量为 0 %时最慢 ,然后随着气体混合比的增加而增... 在一台自行研制的电子回旋共振 (ECR)刻蚀系统中用CF4、O2 气体实现了Si3 N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2 含量为 0 %时最慢 ,然后随着气体混合比的增加而增大 ,当气体中O2 含量为 2 0 %时达到最大 ,然后随着气体混合比的增加而缓慢降低。保持气体混合比为 2 0 % ,刻蚀速率随气体流量增加而增大 ;同时 ,微波功率越大 ,刻蚀速率也越高。 展开更多
关键词 电子回旋共振 刻蚀工艺 等离子体 SI3N4 ECR 可靠性 微电子技术
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等离子体刻蚀工艺中的光学发射光谱仪数据的模型研究(英文)
9
作者 王巍 吴志刚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第B06期183-186,共4页
原位光学发射光谱仪(OES)已经成为等离子体刻蚀工艺控制过程中的一种非常有潜力的在线传感器系统。采用光谱仪实时采集高密度等离子体刻蚀机中的OES光谱数据,利用BP神经网络算法对特定波长的OES数据进行分析及建模,以便对等离子体刻蚀... 原位光学发射光谱仪(OES)已经成为等离子体刻蚀工艺控制过程中的一种非常有潜力的在线传感器系统。采用光谱仪实时采集高密度等离子体刻蚀机中的OES光谱数据,利用BP神经网络算法对特定波长的OES数据进行分析及建模,以便对等离子体刻蚀工艺过程进行反馈控制。由刻蚀产物SiCl发出的405nm谱线被选为特征谱线来确定刻蚀工艺过程的终点。 展开更多
关键词 光学发射光谱 等离子体刻蚀 工艺过程控制
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太阳能电池生产线中新型等离子体刻蚀机刻蚀工艺探讨
10
作者 陈特超 马度.巴布 +1 位作者 李健志 毛朝斌 《电子工业专用设备》 2011年第6期5-6,48,共3页
介绍了一种新型等离子体刻蚀机的使用条件,通过对各种参数变化的组合实验,得到了最佳工艺数据。利用该刻蚀机生产的电池片刻蚀效果好,刻蚀后经检测,电池片漏电流小,并联电阻大,提高了电池片的综合性能指标。
关键词 等离子体 刻蚀 工艺 实验
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等离子体刻蚀工艺模型研究进展 被引量:3
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作者 于骁 周再发 +1 位作者 李伟华 黄庆安 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期94-99,共6页
综述了等离子体刻蚀模型的研究进展,包括粒子方法模型和动力学模型的现状与进展。粒子方法模型主要介绍蒙特卡洛模型和结合蒙特卡洛模型的混合模型,动力学模型主要介绍反应位点模型、分子动力学模型和混合层动力学模型。在每种模型中,... 综述了等离子体刻蚀模型的研究进展,包括粒子方法模型和动力学模型的现状与进展。粒子方法模型主要介绍蒙特卡洛模型和结合蒙特卡洛模型的混合模型,动力学模型主要介绍反应位点模型、分子动力学模型和混合层动力学模型。在每种模型中,讨论了该模型的优缺点及应用范围。在此基础上,总结了过去刻蚀模型的发展历程,展望了等离子刻蚀模型的发展前景,对进行等离子刻蚀的建模分析具有参考意义。 展开更多
关键词 等离子体刻蚀 刻蚀模型 粒子方法 动力学方法 工艺模拟
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聚合物薄膜的大气压微等离子体射流无掩膜刻蚀工艺 被引量:1
12
作者 吕栎 王涛 +4 位作者 汪加豪 王圣泉 时礼平 李蒙 涂德浴 《安徽工业大学学报(自然科学版)》 CAS 2022年第1期37-42,共6页
为优化束斑直径在微米级的大气压微等离子体射流刻蚀工艺,自制搭建一种结构简单、操作方便的大气压微等离子体射流装置,以典型聚合物parylene-C薄膜为对象,研究大气压微等离子体射流处理parylene-C薄膜的刻蚀工艺,分析O2流量、工作电压... 为优化束斑直径在微米级的大气压微等离子体射流刻蚀工艺,自制搭建一种结构简单、操作方便的大气压微等离子体射流装置,以典型聚合物parylene-C薄膜为对象,研究大气压微等离子体射流处理parylene-C薄膜的刻蚀工艺,分析O2流量、工作电压、工作间距和刻蚀时间等工艺参数对刻蚀线宽和刻蚀深度的影响。结果表明:增大O_(2)流量、工作电压、工作间距及刻蚀时间均能增大刻蚀线宽和刻蚀深度;持续增大上述工艺参数,刻蚀线宽和刻蚀深度增加不明显,甚至减小;工作电压和工作间距对parylene-C薄膜刻蚀效果的影响较大,在刻蚀过程中起关键作用,通过调整这两个参数可实现聚合物刻蚀过程的可控调节。 展开更多
关键词 等离子体 聚合物薄膜 工艺参数 刻蚀工艺
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微波ECR等离子体刻蚀系统 被引量:8
13
作者 徐新艳 汪家友 +2 位作者 杨银堂 李跃进 吴振宇 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期385-388,共4页
研制成功了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,由Nd Fe B永磁磁钢形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积、均匀、高密度等离子体。利用该系统实现了SiO2... 研制成功了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,由Nd Fe B永磁磁钢形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积、均匀、高密度等离子体。利用该系统实现了SiO2 、SiN、SiC、Si等材料的微细图形刻蚀 ,刻蚀速度分别为 2 0 0nm/min ,5 0 0nm/min ,4 0 0nm/min ,70 0nm/min ,加工硅圆片Φ2 0 0mm ,线条宽度 <0 3μm ,选择性 (SiO2 、Si) >2 0 ,剖面控制 >83° ,均匀性 95 % ,等离子体密度 2 0× 10 11cm-3 。电离度大(>10 % ) ,工作气压低 (1Pa~ 10 -3 Pa) ,均匀性好 ,工艺设备简单 ,参数易于控制等优点。 展开更多
关键词 微波电子回旋共振等离子体 刻蚀 同轴腔体 集成电路 制造工艺
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PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究 被引量:3
14
作者 娄利飞 肖斌 +2 位作者 汪家友 杨银堂 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期555-558,598,共5页
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率... 以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素. 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体刻蚀 锆钛酸铅 凝胶-溶胶工艺
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等离子体表面处理在织物前处理工艺上的应用 被引量:8
15
作者 殷保璞 王慧娟 +1 位作者 赵世敏 江训瑞 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期26-28,48-3,共5页
本文通过一系列实验获得的数据,论述了棉布、坯绸的前处理工艺运用等离子体处理技术所取得的效果及等离子体对织物表面的刻蚀机理,同时阐述了等离子体刻蚀条件对处理效果的影响。
关键词 等离子体刻蚀 前处理工艺 等离子体处理 织物表面 处理效果 离子刻蚀 毛细管效应 扫描电镜照片 抗静电性 聚合度
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太阳能电池生产线中的新型等离子体刻蚀机的研制 被引量:2
16
作者 陈特超 谢利华 《电子工业专用设备》 2010年第8期41-44,共4页
介绍了用于太阳能电池片生产工艺中的新型等离子体刻蚀机及设备的工作原理、构造、简单的工艺试验结果。与现在生产线上普遍使用的老式等离子体刻蚀机相比,它大大提高了生产产能,减少了设备维护工作量。该设备操作简单,是一种实用、高... 介绍了用于太阳能电池片生产工艺中的新型等离子体刻蚀机及设备的工作原理、构造、简单的工艺试验结果。与现在生产线上普遍使用的老式等离子体刻蚀机相比,它大大提高了生产产能,减少了设备维护工作量。该设备操作简单,是一种实用、高效的生产型工艺设备。 展开更多
关键词 等离子体 反应离子 刻蚀原理 工艺实验
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新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究
17
作者 王兆祥 秦阿宾 +1 位作者 刘志强 苏兴才 《集成电路应用》 2014年第2期28-32,共5页
本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH... 本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH3等离子体中的活性组分为H*和NH*.H*是刻蚀的主要活性物种,NH自由基会产生CN聚合物保护刻蚀目标的侧壁。 展开更多
关键词 半导体工艺 刻蚀 氨气等离子体 底部抗发射层
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8英寸100纳米高密度等离子刻蚀机(NMC508A)
18
《中国集成电路》 2007年第8期27-27,29,共2页
NMC508A等离子体硅刻蚀系统是适用于8英寸集成电路生产线,面向逻辑和存储等多种电路制造的先进电感耦合等离子体多反应室刻蚀系统。该系统采用了多项专利技术,具有CD(关键尺寸)控制均匀性高、刻蚀低损伤、高产能、低消耗及多腔室多... NMC508A等离子体硅刻蚀系统是适用于8英寸集成电路生产线,面向逻辑和存储等多种电路制造的先进电感耦合等离子体多反应室刻蚀系统。该系统采用了多项专利技术,具有CD(关键尺寸)控制均匀性高、刻蚀低损伤、高产能、低消耗及多腔室多种工艺集成等特点。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 电感耦合等离子体 高密度 纳米 集成电路 专利技术 关键尺寸 生产线
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微波等离子体刻蚀技术研究
19
作者 张振宇 胡顺欣 +2 位作者 苏延芬 邓建国 刘英坤 《电子工业专用设备》 2009年第4期13-18,共6页
以Corial 200M型干法刻蚀机的三种刻蚀模式为基础,分析了微波等离子体刻蚀技术的优缺点,并讨论了下电极结构对干法刻蚀形貌、一致性和重复性的影响。利用微波等离子体刻蚀技术与反应离子刻蚀技术相结合,实现了SiO2各向同性刻蚀,成功应... 以Corial 200M型干法刻蚀机的三种刻蚀模式为基础,分析了微波等离子体刻蚀技术的优缺点,并讨论了下电极结构对干法刻蚀形貌、一致性和重复性的影响。利用微波等离子体刻蚀技术与反应离子刻蚀技术相结合,实现了SiO2各向同性刻蚀,成功应用于质量控制和失效分析等环节。 展开更多
关键词 高密度等离子体 微波 干法刻蚀 失效分析
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微波等离子体离子束刻蚀技术
20
作者 张继成 吴卫东 +2 位作者 许华 唐晓红 马小军 《中国工程物理研究院科技年报》 2004年第1期414-415,共2页
自行设计研制了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波直接通过石英窗口产生右旋圆极化波,由Nd—Fe—B永磁磁钢形成高强磁场,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生均匀的高密度等离子体。利用该系统,结合光刻... 自行设计研制了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波直接通过石英窗口产生右旋圆极化波,由Nd—Fe—B永磁磁钢形成高强磁场,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生均匀的高密度等离子体。利用该系统,结合光刻技术和反应离子束刻蚀技术,在以碳氢(CH)等元素为主要组成的有机聚合物(PMMA)表面制备出线宽3-4μm的光栅形图形。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,所得图形线条清晰,侧边比较陡直。 展开更多
关键词 微波等离子体 刻蚀技术 离子 电子回旋共振 高密度等离子体 等离子体刻蚀 原子力显微镜 有机聚合物
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