高密度陶瓷封装技术

高密度封装是对高性能集成电路和系统的一种要求。由于器件的集成度越来越高,要求封装的管脚数越来越多,管脚间的间距越来越小,从而使封装的难度也越来越大。为了适应和满足大规模集成电路(LSI)迅速发展的要求,高密度封装技术在不断更新,采用MLC(多层陶瓷)载体与BGA技术相结合。

高密度陶瓷封装外壳电镀涨金问题分析与解决

采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线镀层厚度测试仪等现代测试手段,对某型号高密度陶瓷封装外壳电镀后的涨金失效问题进行了分析。结果发现,在外壳装配钎焊过程中引入了无法通过普通清洗工艺去除的含碳异质沾污,从而导致电镀涨金问题。在优化装配治具和钎料清洗工艺,以及镀前增加退火和等离子清洗工艺后,故障得以解决。

高密度陶瓷封装外壳电镀多余金问题若干思考

随着集成电路的发展,为了更好适应其大规模发展需求,高密度封装技术也在不断发展中得到提升。但是在发展过程中存在一些问题,本文针对高密度陶瓷封装外壳电镀多余金问题,采用现代化的测试手段,对涨金失效问题进行探究,并针对存在的问题,提出相对应的解决措施,意在推动高密度封装技术更好发展。

高温共烧陶瓷精细线条批量印刷工艺

当前,丝网印刷厚膜工艺已成为高温共烧陶瓷(HTCC)生瓷生产中的关键工艺,高密度陶瓷封装外壳的典型埋层布线线宽/线间距要求已达到45μm/45μm,为满足精细线条批量印刷要求,主要从原材料、网版和印刷工艺参数等方面分析了影响精细丝网印刷质量的因素。通过选用窄线径丝网规范(<15μm)的精密印刷网版,并调节浆料黏度至合适范围,同时优化印刷工艺参数,将印刷速度调整到250~300mm/s,减少了孔隙、断路、扩散等线条缺陷,印刷出状态优异的45μm线宽精细线条,从而实现45μm/45μm线宽/线间距的批量印刷,满足了高密度陶瓷封装外壳工艺要求。

小型化是IC封装的永恒主题

IC封装的最主要的发展方向是小型化。本文介绍了IC封装小型化的最新发展动态。