基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管

为改善双边栅和辅助栅控制的高肖特基势垒隧穿场效应晶体管性能,提出一种基于高肖特基势垒的高导通电流隧穿场效应晶体管。新设计的硅体被刻蚀成U型结构,通过刻蚀硅体两侧形成垂直插入式源漏接触,将源漏电极插入U型硅体两侧垂直部分的一定高度,使源漏接触附近带带隧穿产生区的有效面积显著增加,从而实现更高的开态电流。通过实验,将新结构与HSB-BTFET比较,表明HOSC-HSB-BTFET结构可以实现更高的开态电流、更低的反向漏电流、更小的亚阈值摆幅和更高的开关电流比。

一种基于高肖特基势垒的高性能隧穿场效应晶体管

为提升隧穿场效应晶体管的正向导通性能,有效降低晶体管的体积,根据TFET与SB MOSFET的结构优势提出一种基于高肖特基势垒的高性能隧穿场效应晶体管。提出带有等号形主控制栅的中央辅助控制栅结构,利用肖特基势垒来阻挡反向漏电流的同时,在导通机制上尽可能提高电子势垒的高度来减少热电子发射电流的产生。通过增大体硅与源漏电极接触面积提升正向导通电流,并且在体硅中间增加中央控制辅助栅极以阻挡反向泄漏电流。仿真实验结果表明该种设计实现了更好的器件特性。