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快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响 被引量：2
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作者 苗振华 徐应强 +3 位作者 张石勇 吴东海 赵欢 牛智川 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1749-1752,共4页
用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法... 用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0.88eV). 展开更多
关键词 分子束外延 高应变in0.45ga0.55as/gaas量子阱 快速热退火 室温光致发光
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