期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路 被引量:1
1
作者 邵天骢 郑琼林 +2 位作者 李志君 黄波 刘建强 《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第4期6-15,共10页
高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一。针对如何在高开关速率下稳定驱动SiC MOSFET,并实现可靠的短路保护,根据栅源电压干扰的传导特点,基于辅助器件的跨导增益构... 高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一。针对如何在高开关速率下稳定驱动SiC MOSFET,并实现可靠的短路保护,根据栅源电压干扰的传导特点,基于辅助器件的跨导增益构建负反馈控制回路,提出一种SiC MOSFET栅极驱动,进而研究揭示该驱动的短路保护策略。首先,基于跨导增益负反馈构造栅极驱动电路并分析其工作原理;其次,研究该驱动的串扰抑制能力与短路保护特性;最后,通过实验证明基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路的可行性,及其在串扰抑制和短路保护中的有效性。 展开更多
关键词 碳化硅 MOSFET 高开关速率 栅极驱动 短路保护
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部