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一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路
被引量:
1
1
作者
邵天骢
郑琼林
+2 位作者
李志君
黄波
刘建强
《电源学报》
CSCD
北大核心
2021年第4期6-15,共10页
高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一。针对如何在高开关速率下稳定驱动SiC MOSFET,并实现可靠的短路保护,根据栅源电压干扰的传导特点,基于辅助器件的跨导增益构...
高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一。针对如何在高开关速率下稳定驱动SiC MOSFET,并实现可靠的短路保护,根据栅源电压干扰的传导特点,基于辅助器件的跨导增益构建负反馈控制回路,提出一种SiC MOSFET栅极驱动,进而研究揭示该驱动的短路保护策略。首先,基于跨导增益负反馈构造栅极驱动电路并分析其工作原理;其次,研究该驱动的串扰抑制能力与短路保护特性;最后,通过实验证明基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路的可行性,及其在串扰抑制和短路保护中的有效性。
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关键词
碳化硅
MOSFET
高开关速率
栅极驱动
短路保护
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职称材料
题名
一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路
被引量:
1
1
作者
邵天骢
郑琼林
李志君
黄波
刘建强
机构
北京交通大学电气工程学院
泰科天润半导体科技(北京)有限公司
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2021年第4期6-15,共10页
文摘
高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一。针对如何在高开关速率下稳定驱动SiC MOSFET,并实现可靠的短路保护,根据栅源电压干扰的传导特点,基于辅助器件的跨导增益构建负反馈控制回路,提出一种SiC MOSFET栅极驱动,进而研究揭示该驱动的短路保护策略。首先,基于跨导增益负反馈构造栅极驱动电路并分析其工作原理;其次,研究该驱动的串扰抑制能力与短路保护特性;最后,通过实验证明基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路的可行性,及其在串扰抑制和短路保护中的有效性。
关键词
碳化硅
MOSFET
高开关速率
栅极驱动
短路保护
Keywords
silicon carbide(SiC)
MOSFET
high switching rate
gate drive
short-circuit protection
分类号
TM461 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路
邵天骢
郑琼林
李志君
黄波
刘建强
《电源学报》
CSCD
北大核心
2021
1
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