含邻位羟基Schiff碱近晶相液晶中的高强向错

含邻位羟基Ｓｃｈｉｆｆ碱近晶相液晶中的高强向错张其震，崔利，孙继润（山东大学化学院，济南，２５０１００）关键词高强向错点，近晶相纹影织构，液晶纹影（Ｓｃｈｌｉｅｒｅｎ）是向列相液晶织构的常见形式，某些近晶相液晶也可出现纹影织构，其特征为以消光黑点为中...

一代树状碳硅烷液晶研究──端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含 12个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5 )端基新的一代树状碳硅烷(D1).并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征.D1为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1相行为:K82N13 3I13 2N67K,D1熔点比M5降低 3 0～ 43℃,D1清亮点比M5增加 9～ 11℃,D1介晶相区比M5加宽 3 9～ 5 4℃,观察到 8条黑刷的树状物的高强向错(S =+ 2),D1清亮焓值略低于通常液晶n i相变清亮焓值。

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含 36个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的二代树状碳硅烷液晶 (D2 ) ,并用元素分析 ,氢谱 ,激光质谱 ,红外 ,紫外 ,偏光显微镜 ,DSC和WAXD法表征 .D2为向列相 ,与M 5相同 ,二代树状物相态由介晶基元相态决定 .D2液晶态相行为是K85N10 7I10 3N69K ,其熔点比M 5降低 2 7～ 41℃ ,清亮点比M 5降低 17～ 18℃ ,液晶态温区比M 5加宽 10～ 2 3℃ .二代碳硅烷 (D2 )与一代碳硅烷 (D1)相比熔点增加 2～ 3℃ ,清亮点降低 2 6～ 2 9℃ ,液晶态温区减少 2 9～ 31℃ .在二代树状物中观察到S

一代碳硅烷树枝状大分子钯配合物的液晶性

合成了新的周边含12个4-硝基偶氮苯端基一代碳硅烷树枝状大分子的钯(II)配合物(G1Pd),并用元素分析、核磁共振氢谱、碳谱、红外、紫外-可见光谱、能量色散X射线分析(EDXRA)、偏光显微镜、差示扫描量热法和广角X射线衍射法对其结构和液晶性质进行了表征.配合物G1Pd的相行为是K122ch189I166ch90K.给出一种具有新的结构特点的液晶性树枝状大分子,它兼有配位金属和介晶基元.在液晶和液晶高分子界观察到首例胆甾相的高强向错和首例树枝状大分子配合物的高强向错现象.