一种大功率球载雷达高抑制滤波器系统设计

为预防和解决某大功率球载雷达系统的对外干扰问题,从系统应用角度,给出了一种大功率球载雷达高抑制滤波器系统的工程设计.根据大功率球载雷达发射支路组成,设计的高抑制滤波器不仅不改变雷达系统原有结构尺寸和对外接口关系,还能实现低驻波、带内小损耗、带外高抑制.实测结果表明,该高抑制滤波器设计能满足系统环境使用要求.

高抑制型成膜钻井液新技术

近年来泥浆技术飞速发展，新的体系，新的处理剂不断更新。硅酸盐体系、聚合醇体系、有机盐体系、成膜钻井液等，已开始在一些油田应用，江汉泥浆结合本油田的实际情况，进行高抑制型成膜钻井液的技术研究。

低损耗高抑制LTCC双工器设计与实现

该文通过低温共烧陶瓷(LTCC)技术设计了一款低损耗高抑制双工器。该双工器由LC结构低、高通滤波器组成,在双工器的两个频段中分别引入串、并联谐振产生传输零点,从而提高双工器的抑制效果与隔离度。所设计的双工器具有插入损耗低,隔离度高,阻带抑制高及尺寸小等特点。实验结果表明,双工器在低端(0.95~1.35 GHz)和高端(1.65~2.15 GHz)时插入损耗均小于2.5 dB,且在1.65~2.15 GHz与0.95~1.35 GHz时抑制大于23 dB,具有良好的应用前景。

双波段高抑制的LTCC微型双工器设计

该文设计了基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的双波段高抑制、低损耗的双工器。该双工器由低通滤波器和带通滤波器组成,且在低、高频段的阻带抑制方面运用了传输零点理论,在实现双工器低损耗的同时,也实现了在多波段的高抑制,提升了双工器的性能。该双工器在低频段(0.68~0.95 GHz)及高频段(1.43~2.40 GHz)时插损均小于1.2 dB,但在1.43~2.40 GHz时双工器抑制大于20 dB,0.68~0.95 GHz时双工器抑制大于15 dB。在4.9~5.9 GHz时双工器抑制大于13 dB,具有良好的市场应用前景。

宽阻带高抑制能力的梳状滤波器

本文介绍一种高抑制能力梳状滤波器的设计。给出一种用于谐波雷达中的滤波器结构和电气性能，其指标满足谐波雷达的整机要求。

电解铝价格走高抑制中国进口,但氧化铝供应短缺仍然严重

最近一段时间,受伦敦金属交易所(LME)期铝价格的强势,以及现货铝对期铝保持逆价差的状态,令中国电解铝进口受到抑制。

一种高电源抑制比低温度系数的带隙基准电路

采用两种方式提高了带隙基准电路的电源抑制比。首先,采用峰值电流源结构将三极管自身的增益引入反馈环路,从而提高了环路增益和带隙基准核心的电源抑制比。其次,运用预调制电路进一步提高了电源抑制比。此外,还提出了一种仅需源极负反馈非对称电流镜的曲率补偿电路,该电路具有跨工艺的通用性。所提出的电路采用0.18μm BCD工艺进行了验证,并应用在一款降压DC-DC变换器中。结果表明,所提出的电路在2.4 V、3.3 V和5 V供电下,低频分别具有127 dB、134 dB和136 dB的高电源抑制比,同时实现了3.74×10^(-6)/℃的低温度系数,总电流消耗仅为6.3μA~14.5μA。

一种低温漂高电源抑制能力的振荡器设计

为了提升开关电源芯片中振荡器的温度特性和电源抑制能力,提出一种改进型拓扑结构的RC振荡器。该振荡器由电容充放电模块、偏置电流源模块、比较器模块以及寄存器模块组成。通过将电容的上下极板都接入电流源,并对电容下极板流过的电流进行采样,引入负反馈对充放电电流源进行动态调节,从而减小电容上极板电压通过沟道调制效应对充放电电流源的影响,增强充放电电流源的电源抑制能力。再配合偏置电流源模块中经过温度补偿的偏置电流,得到具有低温漂特性及高电源抑制能力的振荡频率。基于CSMC 0.18μm BCD工艺完成了电路设计,仿真实验结果表明,所设计的振荡器工作频率为411 kHz,电源电压为2.6~3.8 V时频率变化为0.119%,温度为-40~125℃时频率变化为3%。该振荡器具有较强的电源抑制能力,能很好地满足开关电源芯片中振荡器的设计要求。

从“虚劳”论治脓毒症并发持续炎症-免疫抑制-高分解代谢综合征

本文以“虚劳”理论为基础并结合临床研究,分析脓毒症并发持续炎症-免疫抑制-高分解代谢综合征(PICS)的病因、病机及辨治,认为“营卫失调,正虚邪恋,瘀毒阻络”为脓毒症并发PICS的病机,治疗上以“扶正解毒通络”为总体治则,以补益为主并辅以清透,维持阴阳气血低水平平衡,同时开达通路清透余邪,消除体内痰瘀浊毒等积聚的病理产物,调节免疫代谢紊乱,以期预防反复感染,为中医辨治PICS拓展思路。

一种无片外电容高电源抑制比LDO设计

低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路要求低输入输出压差和高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)。本文采用前馈纹波消除电路和负电容电路实现了在低输入输出压差(≤0.2 V)条件下分别对无片外电容高电源抑制比LDO的10 KHz以下频段和1 MHz频带内的电源噪声抑制能力进行提升。此外,提出的方案还通过调整第二级误差放大器的增益,实现了级间电源噪声制约,进一步提升了电源抑制比。本文基于SMIC 55 nm工艺对提出的LDO电路进行了设计与仿真。结果表明,设计的LDO在1.8 V输入电压下可以获得稳定的1.6 V输出电压,输入输出压差≤0.2 V,在1MHz以下频段内PSRR均大于75 dB,10~100 KHz频段的积分噪声为15μV_(RMS)。此外,该LDO还实现1.43 mV/V线性调整率,负载调整率为10μV/mA,总体电路消耗静态电流为76μA。

一种高电源抑制比低温漂带隙基准电压源设计

针对传统带隙基准电压源温度系数大、电源抑制比低等问题,设计了一种低温漂高电源抑制比的带隙基准电压源。将具有二阶温度项的亚阈值状态NMOS管漏电流转化为电压,以消除输出支路三极管的二阶温度项,实现二阶温度补偿;增加了一个前置的新型预稳压电路,以提高基准源的电源抑制能力。SMIC 180 nm CMOS工艺下的后仿真结果表明,当供电电压为3.3 V时,在-40~140℃,温度系数为3.05×10-6/℃;在低于1 kHz的频率范围内,电源电压抑制比(PSRR)为-105 dB,整体静态电流仅为32μA。

一种低噪声高电源抑制比的带隙基准源

基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声、高电源电压抑制比(PSRR)的新型带隙基准源(BGR)。使用低噪声的垂直双极结型晶体管取代MOS晶体管作为运算放大器输入,削减了低频闪烁噪声;通过引入三输入的运算放大器将电源扰动传递到电流管的栅极,极大程度地降低了电源纹波对输出基准电压的干扰;并通过RC低通滤波器进一步改善噪声和PSRR性能;利用修调电路修调工艺偏差,实现了良好的温度特性。实测结果表明,该BGR的PSRR在57.7 Hz下为-108 d B,与仿真结果基本一致(-102.3 d B@50 Hz);输出电压噪声在10 Hz时为42.20 n V/√Hz,通过新提出的测试方法在0.1~1 k Hz测得总噪声电压有效值低于0.503 5μV;在-40~125℃,基准电压温度系数可以修调至20×10^(-6)/℃以下,最小值仅14.09×10^(-6)/℃;BGR面积为254.1μm×370.0μm,功耗约为8.6μA@3 V。

一种高电源抑制比带隙基准电压源设计

针对实际电路中的电源噪声对带隙基准精度的影响问题,设计一款具有高电源抑制比的带隙基准源。设计包含专用的电源抑制比提高电路,辅以启动电路、带隙主体电路、温度补偿电路等。利用电压负反馈技术,使带隙基准输出电压获得高电源抑制比,减少电源对输出基准电压的干扰。对带隙基准电路设计温度补偿,显著减小温度漂移,可稳定输出2.5V基准电压。电路在Candance Spectre环境下进行温度特性和电源抑制比的仿真,实验结果表明带隙具有较的低温度系数和较高的电源抑制能力,适用于A/D转换器,DC-DC转换器等高精度电路应用场合。

磷脂酰肌醇-3-激酶抑制剂相关高血糖症1例并文献复习

目的探讨因使用阿培利司(Alpelisib,ALP)导致磷脂酰肌醇-3-激酶抑制剂(Phosphatidylinositol-3-Kinase Inhibitor,PI3Ki)相关高血糖症患者的临床特点。方法回顾分析1例确诊为PI3Ki相关高血糖症患者的临床资料,并复习相关文献。结果本例患者具有雌激素受体阳性(HR+)、人表皮生长因子受体2-阴性(HER2-)、PIK3CA突变乳腺癌病史,接受阿培利司治疗后,出现高血糖伴高胰岛素血症,入院予以二甲双胍、达格列净以及胰岛素治疗后,血糖控制可。结论PI3Ki相关高血糖症是阿培利司治疗最常见的副作用,建议使用阿培利司前行糖尿病危险因素筛查,并于治疗中密切监测血糖,尽早识别,及时干预,避免严重并发症发生。

一种高共模电压集成差分放大器的设计

针对差分放大器芯片国产化的需求,基于兼容金属薄膜电阻40 V双极工艺,设计一款高共模抑制比(Common Mode Rejection Ratio,CMRR)、±120 V共模输入电压的集成差分放大器。文章介绍了高共模电压差分放大器的基本原理和结构组成,分析了差分放大器的设计难点,分别为共模抑制比、输入失调电流以及增益误差,采用片内集成金属薄膜电阻结合激光在线修调技术实现高共模抑制比、通过改进型的基极电流补偿结构降低了输入失调电流,减少输入失调电流对电路采样精度的影响,采用改进型达林顿管提高放大器的开环增益,降低放大器的增益误差。整体芯片尺寸为2.82 mm×2.02 mm,采用±15 V双电源供电,静态电流为1.36 mA。流片后的测试结果表明:差分放大器在正常供电时,共模抑制比达到85 dB,输入失调电流仅为84 pA,失调电流的补偿精度达到98.1%,增益误差为0.02%。

高阻带抑制LTCC滤波器的设计与实现

提出了一种基于LTCC技术的新型高阻带抑制带通滤波器的实现方法。采用在并联谐振器的圆柱形电感之间引入感性耦合,在高阻带产生一个传输零点,并且能实现非常好的阻带衰减性能。本文对传统的梳状线带通滤波器结构进行改进,利用过孔的寄生电感效应,将过孔用作谐振杆,明显减小了器件的尺寸。并且通过利用空间耦合的寄生效应,实现滤波器的阻带高抑制传输零点,以满足了对特殊频点高抑制的要求。运用该方法设计了中心频率1.65GHz,通带200MHz,带外2GHz处衰减大于60dBc的五级带通滤波器。实物测试结果和全波电磁仿真结果吻合较好。

一种抑制天然气水合物分解的高效冲洗液体系性能研究

海洋深水天然气水合物地层钻完井作业面临诸多问题,如深水低温环境、水泥环与地层胶结质量差、天然气水合物受热易分解等,研究一套能够在天然气水合物层提高固井质量的冲洗液体系,是保证海洋深水天然气水合物高效、安全开采的关键。室内根据天然气水合物固井对冲洗液的特殊要求,结合复合材料体系协同增效原理,开发了一套具有抑制天然气水合物分解特性的新型冲洗液体系。该冲洗液体系对模拟井壁冲洗率达到91.8%,与钻井液和低水化热水泥浆体系有良好的配伍性,并且能够在一定程度上抑制水合物的生成,不会对低水化热水泥浆固井产生不利影响。

高共模抑制比全频段脑电采集系统

为了实时消除脑电信号采集过程中引入的直流成分,提高系统的共模抑制比,拓宽信号的采样带宽,设计一款具有动态直流校正功能的全频段脑电采集系统。通过微处理器读取脑电采集系统中所包含的直流成分,然后将直流成分通过数模转换器反馈到实时直流校正系统,接着实时直流校正系统将处理后的直流分量输出至仪用运算放大器的参考端,并和原有的直流分量进行反相相加,从而实现对直流信号的消除。测试结果表明,该脑电采集系统能够实时消除直流成分,将系统共模抑制比提高至120 d B以上,并实现DC^1 000 Hz的全频段脑电信号采集。因此,该系统能够为使用者提供更加精确的脑电信号,可以用于认知科学的研究、医疗诊断等领域,促进相关领域的进一步发展;而且由于系统电路结构相对简单,可以集成到柔性电路板上,制作成可穿戴医疗监护设备,帮助使用者更好地监测自身生理状态。

高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源

基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度。采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真。结果表明,在-40℃～135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×10-7/℃。设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5 V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时-为95.4 dB,在1 kHz时为-92.4 dB。

强抑制性高钙盐聚合物钻井液体系的研究与应用

研究形成了以无机-有机单体聚合物SIOP、两性离子磺酸盐聚合物CPS-2000、聚合铝防塌剂AOP-1及固相化学清洁剂ZSC-201等为主处理剂的强抑制性高钙盐聚合物钻井液体系。该体系游离钙离子质量浓度大于1.5 g/L,具有良好的抑制防塌性能,抗温达到180℃,抗盐达饱和,抗钙达到30 g/L,流变性能良好,在中原、塔河、塔中、西南等油田的盐膏层和硬脆性地层及易水化泥页岩、胶结较差的火成岩、微裂缝发育等不稳定地层都得到成功应用。结果表明,由于钻井液的问题,应用井未出现井下复杂情况,井径规则,平均井径扩大率小于5.17%,起下钻顺利,下套管一次成功率达100%,电测一次成功率达95.45%。