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电容器用高方阻金属化薄膜电极设计、解析与性能调控
1
作者
董琦
李浩林
党智敏
《电力电容器与无功补偿》
2024年第1期128-139,共12页
金属化介质薄膜是高压电容器的关键组成部分,由于其突出的耐温耐压性能,被广泛应用于电力系统、脉冲功率和新能源汽车等领域。金属化薄膜具有优异的自愈特性,但在大电流冲击下,极薄的金属电极极易出现断裂、失效等现象,是影响电容器安...
金属化介质薄膜是高压电容器的关键组成部分,由于其突出的耐温耐压性能,被广泛应用于电力系统、脉冲功率和新能源汽车等领域。金属化薄膜具有优异的自愈特性,但在大电流冲击下,极薄的金属电极极易出现断裂、失效等现象,是影响电容器安全稳定运行的重要因素。此外,体积大、容量小等问题也严重限制了薄膜电容的应用,并由此形成了技术壁垒。而金属化介质薄膜在向小型化高容量发展的过程中,除新型介质薄膜材料的影响外,超薄高方阻金属化电极结构的设计对薄膜电容器性能的影响也逐渐开始显露。本文旨在综述近年来高方阻金属化薄膜的电极结构设计,及表/界面工程在电极结构设计中的应用与发展。总结过往从电极厚度、元素、图案化对金属化电极结构进行设计的局限性和存在的问题,分析了随着金属电极厚度从微米级向纳米级转变过程中界面在电气特性中承担的角色,偏重结合其自愈特性与电极结构相互作用的关系进行阐述。结合光电半导体领域中超薄金属化薄膜界面研究成果中介质薄膜金属化可以借鉴的界面研究方法,为应用于未来新能源领域中储能用超薄金属化膜如何利用界面开展结构设计及性能调控等方面提供参考。系统阐述了微观基础研究领域中金属化薄膜结构与界面设计对宏观电气性能调控的预测,并从根本上提出薄膜电容器领域发展的国产化关键技术。
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关键词
金属化介质薄膜
高方阻
电极结构
表界面工程
电气特性
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职称材料
高方阻密栅电池发射结方阻的优化
被引量:
5
2
作者
高华
黄其煜
《光电技术应用》
2013年第1期18-24,共7页
主要介绍了晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺优化,特别是对高发射结方阻方面,以及后道工序中如何使之适应高方阻工艺。在高方阻方面主要采用了深结高方阻,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化及大量实验,获得了高达635...
主要介绍了晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺优化,特别是对高发射结方阻方面,以及后道工序中如何使之适应高方阻工艺。在高方阻方面主要采用了深结高方阻,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化及大量实验,获得了高达635 mV的开路电压,5.817 A的短路电流,均值18.67%的电池效率。
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关键词
高方阻
发射结
晶体硅电池
转换效率
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职称材料
高方阻太阳能电池用正面银浆导电机理研究
被引量:
1
3
作者
郑建华
张愿成
+2 位作者
吴新正
刘玉杰
王训春
《电工材料》
CAS
2015年第6期23-27,共5页
分别研发了适用高方阻和低方阻晶硅太阳能电池的正面银浆A和B,并将两者应用到尺寸为156 mm×156 mm,方块电阻分别为60Ω/sq、85Ω/sq的多晶硅电池片上。结果显示两种银浆制备的60Ω/sq多晶硅电池片性能十分接近,而85Ω/sq多晶硅电...
分别研发了适用高方阻和低方阻晶硅太阳能电池的正面银浆A和B,并将两者应用到尺寸为156 mm×156 mm,方块电阻分别为60Ω/sq、85Ω/sq的多晶硅电池片上。结果显示两种银浆制备的60Ω/sq多晶硅电池片性能十分接近,而85Ω/sq多晶硅电池片性能差异明显。在利用A、B两种浆料制备的85Ω/sq多晶硅电池片中,B的Rs较A高8.15 mΩ,FF低8.1%,Eff低2.28%,接触电阻率是A的5倍以上。并将A、B两种银浆印刷于已经扩散、镀膜的抛光单晶片上,烧结后再使用HNO3、HF依次腐蚀银和玻璃,观察玻璃、硅界面的状态。结果表明A在硅上留下的腐蚀坑较B的数量多、分布均匀、腐蚀深度均一,且A的玻璃层厚度更小,对氮化硅的开孔率更高。
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关键词
高方阻
传输线
接触电
阻
腐蚀坑
隧道效应
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职称材料
单晶硅太阳电池高阻密栅工艺的研究
被引量:
2
4
作者
王静
张东升
《电子技术与软件工程》
2017年第14期138-138,共1页
扩散高方阻匹配密栅丝网印刷工艺是提升单晶硅太阳电池效率的主要方向之一,高方阻,即浅结扩散能够减少"死层",密栅网版缩窄了金属栅线的间距以减少发射区电池横向移动的复合,同时,增加了副栅线总面积,提高填充因子FF,最终达...
扩散高方阻匹配密栅丝网印刷工艺是提升单晶硅太阳电池效率的主要方向之一,高方阻,即浅结扩散能够减少"死层",密栅网版缩窄了金属栅线的间距以减少发射区电池横向移动的复合,同时,增加了副栅线总面积,提高填充因子FF,最终达到提升电池效率的目的,本文通过对比三种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度。分析高方阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明:方阻为85Ω/□的发射区电池转换效率提高了0.1%。
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关键词
单晶硅
电池效率
高方阻
金属栅线
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职称材料
低压扩散机理及其对扩散方阻均匀性的影响研究
被引量:
1
5
作者
张宝锋
陈晖
《电子工业专用设备》
2016年第4期12-16,共5页
传统的太阳能电池扩散工艺采用常压扩散,随着高效晶硅电池的发展,扩散结深的不断变浅,常压扩散已难以满足晶体硅太阳能电池高效、低成本发展的技术要求。低压扩散通过在反应管内提供低压工艺环境,提升扩散制结的性能。对低压扩散机理进...
传统的太阳能电池扩散工艺采用常压扩散,随着高效晶硅电池的发展,扩散结深的不断变浅,常压扩散已难以满足晶体硅太阳能电池高效、低成本发展的技术要求。低压扩散通过在反应管内提供低压工艺环境,提升扩散制结的性能。对低压扩散机理进行了详细分析,从扩散分子自由程、掺杂原子分压比和气场均匀性等方面详细分析了低压扩散对高方阻均匀性的影响关系。采用新型低压扩散炉进行工艺实验测试,结果表明,低压扩散在可达到扩散方阻目标值110Ω时更好的均匀性,载片量较常压扩散大幅度提升,具有无可比拟的生产优势,是未来扩散技术的主要发展方向。
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关键词
低压扩散
高方阻
均匀性
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职称材料
减压扩散高阻密栅技术应用研究
被引量:
2
6
作者
汪已琳
任哲
+1 位作者
赵志然
张威
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第12期2659-2662,共4页
本文对减压扩散机理及高阻密栅技术作了详细的分析,并就设备及工艺方面的关键技术进行了阐述,最后对减压扩散高方阻工艺及密栅匹配技术电池效率进行了对比分析,有以下结论:(1)减压扩散在工艺优化后,方阻均匀性得到大幅改善,达到3%以内。...
本文对减压扩散机理及高阻密栅技术作了详细的分析,并就设备及工艺方面的关键技术进行了阐述,最后对减压扩散高方阻工艺及密栅匹配技术电池效率进行了对比分析,有以下结论:(1)减压扩散在工艺优化后,方阻均匀性得到大幅改善,达到3%以内。(2)减压扩散电池效率完全可达到常规产线的水平,且在高阻密栅方面更有优势,可有效提升太阳电池效率。
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关键词
减压扩散
高方阻
密栅技术
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职称材料
量产效率>22.3%的高阻密栅PERC太阳电池及性能研究
被引量:
1
7
作者
王璞
俞健
+3 位作者
陈涛
黄跃龙
吴俊旻
张忠文
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期115-119,共5页
采用低压三步法通磷源扩散制备低掺杂浓度的p-n结,并应用于高阻密栅p型单晶硅钝化发射极局域背接触(PERC)太阳电池。通过增加第二步小氮的流量以改变扩散后硅片的方阻。随着方阻的增大,发射极表面掺杂浓度降低、俄歇复合降低、平均少子...
采用低压三步法通磷源扩散制备低掺杂浓度的p-n结,并应用于高阻密栅p型单晶硅钝化发射极局域背接触(PERC)太阳电池。通过增加第二步小氮的流量以改变扩散后硅片的方阻。随着方阻的增大,发射极表面掺杂浓度降低、俄歇复合降低、平均少子寿命增加。通过ECV测试,研究不同方块电阻对发射极掺杂浓度及结深的影响,结合发射极光电损耗机理的理论分析,确定优化的扩散后方块电阻180Ω/□及激光选择性掺杂区域方阻为80Ω/□,并对应细栅的数目为114。研究表明,随着发射极方块电阻的提高,太阳电池的短波响应显著提高,短路电流稳定提升80 mA,而通过对细栅线设计的优化,可抑制方阻提高对串联电阻及填充因子的影响,高方阻密栅PERC太阳电池的光电性能显著提升,电池效率稳定提升0.28%,转化效率达到22.3%,体现出高方阻密栅技术应用于PERC太阳电池的巨大潜力。
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关键词
PERC太阳电池
高方阻
平均少子寿命
密栅数目
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职称材料
低压扩散机理及其对扩散方阻均匀性的影响研究
被引量:
1
8
作者
张宝锋
陈晖
《电子工业专用设备》
2016年第7期10-14,共5页
传统的太阳能电池扩散工艺采用常压扩散,随着高效晶硅电池的发展,扩散结深的不断变浅,常压扩散已难以满足晶体硅太阳能电池高效、低成本发展的技术要求。低压扩散通过在反应管内提供低压工艺环境,提升扩散制结的性能。通过对低压扩散机...
传统的太阳能电池扩散工艺采用常压扩散,随着高效晶硅电池的发展,扩散结深的不断变浅,常压扩散已难以满足晶体硅太阳能电池高效、低成本发展的技术要求。低压扩散通过在反应管内提供低压工艺环境,提升扩散制结的性能。通过对低压扩散机理的详细分析,从扩散分子自由程、掺杂原子分压比和气场均匀性等方面详细分析了低压扩散对高方阻均匀性的影响关系。采用新型低压扩散炉进行工艺实验测试,结果表明,低压扩散在可达到扩散方阻目标值110Ω时获得更好的均匀性,载片量较常压扩散大幅度提升,具有无可比拟的生产优势,是未来扩散技术的主要发展方向。
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关键词
低压扩散
高方阻
均匀性
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职称材料
晶硅太阳电池低压扩散工艺优化研究
被引量:
2
9
作者
郭进
杨晓生
+2 位作者
陆运章
任哲
蒋超
《电子工业专用设备》
2017年第3期51-54,共4页
随着高效晶硅太阳电池技术的发展,低压扩散工艺以其均匀性好,产量大,成本低的优势,成为未来发展的主要方向。对低压扩散工艺进行优化研究可以提高扩散均匀性,从而提升晶硅电池光电转换效率。
关键词
晶硅太阳电池
低压扩散工艺
高方阻
均匀性
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职称材料
题名
电容器用高方阻金属化薄膜电极设计、解析与性能调控
1
作者
董琦
李浩林
党智敏
机构
浙江工业大学教科学院
清华大学电机系新型电力系统运行与控制全国重点实验室
浙江理工大学材料学院
出处
《电力电容器与无功补偿》
2024年第1期128-139,共12页
基金
国家重点研发计划(2021YFB2401504)。
文摘
金属化介质薄膜是高压电容器的关键组成部分,由于其突出的耐温耐压性能,被广泛应用于电力系统、脉冲功率和新能源汽车等领域。金属化薄膜具有优异的自愈特性,但在大电流冲击下,极薄的金属电极极易出现断裂、失效等现象,是影响电容器安全稳定运行的重要因素。此外,体积大、容量小等问题也严重限制了薄膜电容的应用,并由此形成了技术壁垒。而金属化介质薄膜在向小型化高容量发展的过程中,除新型介质薄膜材料的影响外,超薄高方阻金属化电极结构的设计对薄膜电容器性能的影响也逐渐开始显露。本文旨在综述近年来高方阻金属化薄膜的电极结构设计,及表/界面工程在电极结构设计中的应用与发展。总结过往从电极厚度、元素、图案化对金属化电极结构进行设计的局限性和存在的问题,分析了随着金属电极厚度从微米级向纳米级转变过程中界面在电气特性中承担的角色,偏重结合其自愈特性与电极结构相互作用的关系进行阐述。结合光电半导体领域中超薄金属化薄膜界面研究成果中介质薄膜金属化可以借鉴的界面研究方法,为应用于未来新能源领域中储能用超薄金属化膜如何利用界面开展结构设计及性能调控等方面提供参考。系统阐述了微观基础研究领域中金属化薄膜结构与界面设计对宏观电气性能调控的预测,并从根本上提出薄膜电容器领域发展的国产化关键技术。
关键词
金属化介质薄膜
高方阻
电极结构
表界面工程
电气特性
Keywords
metallized dielectric film
high square resistance
electrode structure
surface and interface engineering
electrical characteristic
分类号
TM5 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
高方阻密栅电池发射结方阻的优化
被引量:
5
2
作者
高华
黄其煜
机构
上海交通大学微电子学院
出处
《光电技术应用》
2013年第1期18-24,共7页
基金
"上海市闵行区校企合作技术创新专项"(#2011MH060)支持
文摘
主要介绍了晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺优化,特别是对高发射结方阻方面,以及后道工序中如何使之适应高方阻工艺。在高方阻方面主要采用了深结高方阻,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化及大量实验,获得了高达635 mV的开路电压,5.817 A的短路电流,均值18.67%的电池效率。
关键词
高方阻
发射结
晶体硅电池
转换效率
Keywords
high sheet resistance emitter
crystalline silicon solar cell
conversion efficiency
分类号
TM911.11 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
高方阻太阳能电池用正面银浆导电机理研究
被引量:
1
3
作者
郑建华
张愿成
吴新正
刘玉杰
王训春
机构
上海太阳能工程技术研究中心有限公司
出处
《电工材料》
CAS
2015年第6期23-27,共5页
基金
上海市科学技术委员会优秀技术带头人计划课题"高效太阳电池用低阻高分辨率银浆"(14XD1425200)
文摘
分别研发了适用高方阻和低方阻晶硅太阳能电池的正面银浆A和B,并将两者应用到尺寸为156 mm×156 mm,方块电阻分别为60Ω/sq、85Ω/sq的多晶硅电池片上。结果显示两种银浆制备的60Ω/sq多晶硅电池片性能十分接近,而85Ω/sq多晶硅电池片性能差异明显。在利用A、B两种浆料制备的85Ω/sq多晶硅电池片中,B的Rs较A高8.15 mΩ,FF低8.1%,Eff低2.28%,接触电阻率是A的5倍以上。并将A、B两种银浆印刷于已经扩散、镀膜的抛光单晶片上,烧结后再使用HNO3、HF依次腐蚀银和玻璃,观察玻璃、硅界面的状态。结果表明A在硅上留下的腐蚀坑较B的数量多、分布均匀、腐蚀深度均一,且A的玻璃层厚度更小,对氮化硅的开孔率更高。
关键词
高方阻
传输线
接触电
阻
腐蚀坑
隧道效应
Keywords
high sheet resistance
transmission line
contact resistance
etch pit
tunneling effect
分类号
TG146.32 [金属学及工艺—金属材料]
TN914.4 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
单晶硅太阳电池高阻密栅工艺的研究
被引量:
2
4
作者
王静
张东升
机构
英利能源(中国)有限公司
出处
《电子技术与软件工程》
2017年第14期138-138,共1页
文摘
扩散高方阻匹配密栅丝网印刷工艺是提升单晶硅太阳电池效率的主要方向之一,高方阻,即浅结扩散能够减少"死层",密栅网版缩窄了金属栅线的间距以减少发射区电池横向移动的复合,同时,增加了副栅线总面积,提高填充因子FF,最终达到提升电池效率的目的,本文通过对比三种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度。分析高方阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明:方阻为85Ω/□的发射区电池转换效率提高了0.1%。
关键词
单晶硅
电池效率
高方阻
金属栅线
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
低压扩散机理及其对扩散方阻均匀性的影响研究
被引量:
1
5
作者
张宝锋
陈晖
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《电子工业专用设备》
2016年第4期12-16,共5页
文摘
传统的太阳能电池扩散工艺采用常压扩散,随着高效晶硅电池的发展,扩散结深的不断变浅,常压扩散已难以满足晶体硅太阳能电池高效、低成本发展的技术要求。低压扩散通过在反应管内提供低压工艺环境,提升扩散制结的性能。对低压扩散机理进行了详细分析,从扩散分子自由程、掺杂原子分压比和气场均匀性等方面详细分析了低压扩散对高方阻均匀性的影响关系。采用新型低压扩散炉进行工艺实验测试,结果表明,低压扩散在可达到扩散方阻目标值110Ω时更好的均匀性,载片量较常压扩散大幅度提升,具有无可比拟的生产优势,是未来扩散技术的主要发展方向。
关键词
低压扩散
高方阻
均匀性
Keywords
Low pressure diffusion
High sheet resistance
Uniformity
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
减压扩散高阻密栅技术应用研究
被引量:
2
6
作者
汪已琳
任哲
赵志然
张威
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第12期2659-2662,共4页
基金
智能制造综合标准化与新模式应用
文摘
本文对减压扩散机理及高阻密栅技术作了详细的分析,并就设备及工艺方面的关键技术进行了阐述,最后对减压扩散高方阻工艺及密栅匹配技术电池效率进行了对比分析,有以下结论:(1)减压扩散在工艺优化后,方阻均匀性得到大幅改善,达到3%以内。(2)减压扩散电池效率完全可达到常规产线的水平,且在高阻密栅方面更有优势,可有效提升太阳电池效率。
关键词
减压扩散
高方阻
密栅技术
Keywords
decompression diffusion
high square resistance
dense grid technology
分类号
TN305.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
量产效率>22.3%的高阻密栅PERC太阳电池及性能研究
被引量:
1
7
作者
王璞
俞健
陈涛
黄跃龙
吴俊旻
张忠文
机构
西南石油大学光伏产业技术研究院
通威太阳能(成都)有限公司
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期115-119,共5页
基金
国家自然基金青年科研基金(51702269)
四川省科技厅应用基础研究项目(2018JY0015)
西南石油大学科研启航计划(2018QHZ022)。
文摘
采用低压三步法通磷源扩散制备低掺杂浓度的p-n结,并应用于高阻密栅p型单晶硅钝化发射极局域背接触(PERC)太阳电池。通过增加第二步小氮的流量以改变扩散后硅片的方阻。随着方阻的增大,发射极表面掺杂浓度降低、俄歇复合降低、平均少子寿命增加。通过ECV测试,研究不同方块电阻对发射极掺杂浓度及结深的影响,结合发射极光电损耗机理的理论分析,确定优化的扩散后方块电阻180Ω/□及激光选择性掺杂区域方阻为80Ω/□,并对应细栅的数目为114。研究表明,随着发射极方块电阻的提高,太阳电池的短波响应显著提高,短路电流稳定提升80 mA,而通过对细栅线设计的优化,可抑制方阻提高对串联电阻及填充因子的影响,高方阻密栅PERC太阳电池的光电性能显著提升,电池效率稳定提升0.28%,转化效率达到22.3%,体现出高方阻密栅技术应用于PERC太阳电池的巨大潜力。
关键词
PERC太阳电池
高方阻
平均少子寿命
密栅数目
Keywords
PERC solar cells
high sheet resistance
average minority carrier lifetime
narrow finger gap
分类号
TK513 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
低压扩散机理及其对扩散方阻均匀性的影响研究
被引量:
1
8
作者
张宝锋
陈晖
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《电子工业专用设备》
2016年第7期10-14,共5页
文摘
传统的太阳能电池扩散工艺采用常压扩散,随着高效晶硅电池的发展,扩散结深的不断变浅,常压扩散已难以满足晶体硅太阳能电池高效、低成本发展的技术要求。低压扩散通过在反应管内提供低压工艺环境,提升扩散制结的性能。通过对低压扩散机理的详细分析,从扩散分子自由程、掺杂原子分压比和气场均匀性等方面详细分析了低压扩散对高方阻均匀性的影响关系。采用新型低压扩散炉进行工艺实验测试,结果表明,低压扩散在可达到扩散方阻目标值110Ω时获得更好的均匀性,载片量较常压扩散大幅度提升,具有无可比拟的生产优势,是未来扩散技术的主要发展方向。
关键词
低压扩散
高方阻
均匀性
Keywords
Low pressure diffusion
High sheet resistance
Uniformity
分类号
TN305.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
晶硅太阳电池低压扩散工艺优化研究
被引量:
2
9
作者
郭进
杨晓生
陆运章
任哲
蒋超
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《电子工业专用设备》
2017年第3期51-54,共4页
文摘
随着高效晶硅太阳电池技术的发展,低压扩散工艺以其均匀性好,产量大,成本低的优势,成为未来发展的主要方向。对低压扩散工艺进行优化研究可以提高扩散均匀性,从而提升晶硅电池光电转换效率。
关键词
晶硅太阳电池
低压扩散工艺
高方阻
均匀性
Keywords
Crystalline silicon solar cells
Low pressure diffusion technology
High sheet resistance
Uniformity
分类号
TN305.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电容器用高方阻金属化薄膜电极设计、解析与性能调控
董琦
李浩林
党智敏
《电力电容器与无功补偿》
2024
0
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职称材料
2
高方阻密栅电池发射结方阻的优化
高华
黄其煜
《光电技术应用》
2013
5
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职称材料
3
高方阻太阳能电池用正面银浆导电机理研究
郑建华
张愿成
吴新正
刘玉杰
王训春
《电工材料》
CAS
2015
1
下载PDF
职称材料
4
单晶硅太阳电池高阻密栅工艺的研究
王静
张东升
《电子技术与软件工程》
2017
2
下载PDF
职称材料
5
低压扩散机理及其对扩散方阻均匀性的影响研究
张宝锋
陈晖
《电子工业专用设备》
2016
1
下载PDF
职称材料
6
减压扩散高阻密栅技术应用研究
汪已琳
任哲
赵志然
张威
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
下载PDF
职称材料
7
量产效率>22.3%的高阻密栅PERC太阳电池及性能研究
王璞
俞健
陈涛
黄跃龙
吴俊旻
张忠文
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
8
低压扩散机理及其对扩散方阻均匀性的影响研究
张宝锋
陈晖
《电子工业专用设备》
2016
1
下载PDF
职称材料
9
晶硅太阳电池低压扩散工艺优化研究
郭进
杨晓生
陆运章
任哲
蒋超
《电子工业专用设备》
2017
2
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职称材料
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