石墨炉原子化器中原子化过程的研究(Ⅴ)——高氯酸对锂和锗的干扰

本文详细地研究了HClO_(4)对Li和Ge的干扰.HClO_(4)对Li原子吸收信号有明显的抑制作用,干扰的主要原因是气相中形成LiCl。当预加热温度达2000℃时,残留HClO_(4)干扰可消除。在HClO_(4)分解之前加入NH_(4)NO_(3),可消除其干扰。HClO_(4)对Ge有增感作用,并与灰化温度有密切关系。500℃以前HClO_(4)增感效应随温度升高变化较小,高于500℃增感效应明显增加。