高压高温制备Sb掺杂的P型ZnO及电致发光

以ZnO和Sb_2O_3为前驱物,在5GPa、1100~1450℃条件下,制备出电学性能稳定的掺Sb的p型ZnO(记作ZnO:Sb)。其中1450℃掺杂4.6%Sb时合成了性能最好的P型ZnO:Sb,电阻率为1.6×10^(-2)Ωcm,载流子浓度为3.3×10^(20)cm^(-3),迁移率为12.1cm/V s。p型导电是由位于Zn位的Sb和两个Zn空位组成的复合受主引起的。测定了受主能级为113meV,讨论了压力对p型ZnO的形成和电性能的影响。此外,以高质量ZnO纳米线作为LED的发射层,通过将p型ZnO:Sb中的空穴注入ZnO纳米线中实现了激光发射。当注入电流达到20mA时,电致发光(EL)的功率可达到10mW。

BaFBr∶Eu^(2+)的发光及电特性研究

采用高温固相反应方法制备的BaFBr∶Eu2+粉末样品,未经X射线、真空紫外或紫外光辐照,用波长大于400nm的光激发样品,可观测到Eu2+的390nm发光。样品的电子自旋共振(ESR)谱证实在BaFBr∶Eu2+粉末样品的制备过程中,会产生大量的晶格缺陷,分别为电子和空穴陷阱,它们在光激励发光过程中充当不可缺少的角色。本工作将BaFBr∶Eu2+粉末制成压片,在其一侧制作两个电极,以研究电阻 电压关系、剩余电压随时间的变化以及与电极材料的关系等电学特性。电特性研究结果也表明,样品中有电子和空穴陷阱两类缺陷,BaFBr∶Eu2+的发光,源自激发能通过这两类缺陷向Eu2+的能量传递。

电发光检测聚合物绝缘起始劣化的方法

电缆聚合物绝缘的劣化 (电树枝 )有两个阶段 :第 1是诱导期或起始期 ;第 2是扩展期。文中论述了劣化初始期聚合物内电场强度增强点会有发光 ( EL )现象 ,它不同于局部放电( PD)引起的发光现象 ,至少比 PD检测灵敏度高两个数量级。文中详细介绍了 EL现象发生的机理 ,以及进行实验和检测 ,最终认为 :EL是一种可在电树枝起始之前检测聚合物劣化的有效方法 ,并成功地用于 50 0 k V XL

ZnSe的无氩快速生长及掺Ⅲ族元素的电致发光

宽禁带Ⅱ—Ⅵ族化合物ZnSe,是一种有希望制成高效率多色发光管的材料,在固体显示方面具有重要的价值。除此之外,它还是制作短波长激光器、激光屏及光波导开关的材料。近年来,已能用升华法,化学输送法和高温高压法较成功地生长出ZnSe晶体。在器件制作上,长期面临的p—n结制作和欧姆接触制备的困难,已有了可喜的进展。MS结、MIS结和各种异质结结构LED的研究也正在进行中。室温下多种结构兰色LED已经出现。但是,不论在材料制备上,还是在器件制作上,都还存在不少问题。

耐高温无碱玻璃

康宁日本KK公司推出一种型号为康宁1733的新型无碱硼铝硅酸盐玻璃衬底这种新玻璃衬底的变形温度高达640℃,热膨胀系数为36×10/℃,接近硅的热膨胀系数。这种衬底是为了满足先进的电致发光和多晶硅显示器对高温工作的要求而研制的。目前。

功能“甲壳”型液晶高分子的研究进展

“甲壳”型液晶高分子是一类具有侧链液晶高分子的结构,同时表现出主链液晶高分子性质的液晶高分子。该类液晶高分子具有不同的有序结构,同时表现出优异的结构稳定性和物理性能,使得其在功能材料方面具有广泛的应用。本文总结了近年功能型“甲壳”型液晶高分子的设计与合成、结构与性能等方面的最新进展,所涉及领域包括高温热塑性弹性体、聚合物电解质、光致发光液晶、聚合物电致发光、聚合物太阳能电池,并对其进一步发展做了展望。

国外动态

荧光体的电致发光过程 电致发光荧光粉自1936年问世以来,历经数十年的开发,已在多项工业和消费领域中获得应用。目前,在世界稀土市场中,荧光体和电致发光材料占有相当大的比例,是科学研究者极感兴趣的领域。 最近一篇题为“稀土激活材料在电致发光中的激发和复合过程”