传声器管的高温反偏试验

近年来，驻极体传声器发展很快，对于传声器管的电参数要求更高，尤其高温反偏试验更为严苛。多年来，对此项试验发现与以前有关资料中的结果存在某些差异，给予补充说明。

高温可靠性试验对SiC MOSFET特性参数的影响

SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行。对SiC MOSFET进行了168 h的高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验。结果表明,试验前后器件的阈值电压和跨导变化较大,而导通电阻和极间电容变化较小。通过拟合分析得到试验前后器件导通电阻、阈值电压和跨导的变化率与各参数数值之间的拟合曲线。最后基于测试结果,提出了一种针对1200 V/20 A SiC MOSFET的筛选方法,以降低器件在高温可靠性试验前后的参数变化率,从而提升器件在长期高温环境中的可靠性。

柔直工程用IGBT器件可靠性试验研究及应用

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件是柔直换流阀设备的核心组件,其可靠性直接影响柔直工程稳定运行。为有效考核柔直换流阀用高压大容量IGBT器件性能,降低调试及运行期间的子模块故障率,综合分析了IGBT器件可靠性试验项目与考核要点,提出了在例行试验中开展高温反偏(HTRB)试验、抽检试验中开展HTRB与功率循环(PC)项目的可靠性试验方案;在换流阀系统级试验层面,分析了现行标准中IGBT PC试验考核指标与柔直阀运行工况对器件性能需求之间的差异,提出了通过子模块级PC试验对IGBT器件进行性能考核与二次筛选的试验方案。经工程应用,通过PC试验发现了在器件型式、例行试验中未能发现的严重设计缺陷,进而针对性地提出了芯片双面银烧结的设计改进措施。研究结果表明,应用所提IGBT器件可靠性试验方法,有助于考核器件设计方案的合理性与可靠性,在设备生产阶段及时筛选出可能发生早期失效的弱品器件。

1200V碳化硅二极管制备及可靠性分析

阐述设计并制备1 200V 10A碳化硅二极管,测试器件的静态参数和高温特性,对器件进行150℃80%BV常规高温反偏试验和175℃100%BV加严高温反偏试验,研究严苛条件下器件长期可靠性参数变化。测试结果显示所设计1 200V碳化硅二极管,常温静态反向击穿电压达到1 556V,正向导通电压为1.28V,在常规和加严高温反偏试验中均没有参数退化,显示出良好的长期可靠性。